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首页 > 热门关键词 > 台湾宏康电池保护芯片
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描述
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NPN 电流:600mA 电压:40V
型号：MMBT2222A RFG 编号：C483925
封装：SOT-23
品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
NPN 电流:600mA 电压:40V
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.1uA
    型号：BZX55C9V1 R0G 编号：C486153
    封装：DO-35
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:9.1V 电流:0.1uA
    数据手册

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907A RFG 编号：C483926
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    特性：外延平面芯片结构。 表面贴装器件类型。 湿度敏感度等级1。 带镍底层的哑光锡（Sn）引脚镀层。 无铅版本且符合RoHS标准。 包装代码后缀为“G”且日期代码前缀为“G”的绿色化合物（无卤）
    数据手册

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    独立式 耐压:5.1V 电流:1.8uA@2V
    型号：BZT52C5V1 RHG 编号：C486139
    封装：SOD-123F
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:5.1V 电流:1.8uA@2V
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    100V 200mA
    型号：MMBD4148SE RFG 编号：C483924
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    特性：设计用于小表面贴装。 低电容。 低正向压降。 湿度敏感度等级：根据J-STD-020标准为1级。 符合RoHS指令2011/65/EU，符合WEEE 2002/96/EC。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品。应用：开关模式电源（SMPS）。 适配器
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    1kV 1A
    型号：1N4007G-K A0G 编号：C483896
    封装：DO-41
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    特性：玻璃钝化芯片结。 高电流能力。 低正向电压。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 低功耗，高效率。应用：开关模式电源（SMPS）。 适配器
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847A RFG 编号：C486131
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    NPN 电流:100mA 电压:45V
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54A RFG 编号：C486012
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:30V 电流:200mA
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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA
    型号：BZV55C18 L1G 编号：C410854
    封装：MiniMELF
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA
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    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
    型号：BZT52C75 RHG 编号：C486141
    封装：SOD-123F
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
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    独立式 耐压:51V 电流:0.1uA
    型号：BZV55C51 L0G 编号：C486149
    封装：MiniMELF
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:51V 电流:0.1uA
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    独立式 耐压:39V 电流:0.1uA@28V
    型号：BZV55C39 L1G 编号：C486148
    封装：MiniMELF
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:39V 电流:0.1uA@28V
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    电压:44V 电流:200mA
    型号：BAS40-04 RFG 编号：C486009
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:44V 电流:200mA
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    独立式 耐压:20V 电流:0.045uA@14.0V
    型号：BZT52C20 RHG 编号：C485492
    封装：SOD-123F
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:20V 电流:0.045uA@14.0V
    数据手册

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    耐压:12V 电流:0.09uA@8.0V
    型号：BZT52B12 RHG 编号：C485480
    封装：SOD-123F
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:12V 电流:0.09uA@8.0V
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    电压:46V 电流:200mA
    型号：BAS40-06 RFG 编号：C486010
    封装：SOT-23
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:46V 电流:200mA
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    独立式 耐压:6.8V 电流:1.8uA@4.0V
    型号：BZT52B6V8S RRG 编号：C485490
    封装：SOD-323F
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    独立式 耐压:6.8V 电流:1.8uA@4.0V
    数据手册

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    • 立即购买
    400V 2A
    型号：2A04G A0G 编号：C485042
    封装：DO-15
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    特性：玻璃钝化芯片结。 高效率，低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 低功耗。 符合RoHS指令2011/65/EU，并符合WEEE 2002/96/EC。 根据IEC 61249-2-21定义为无卤
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    HSX111AU 26.000MHZ 12PF -20~+85℃
    型号：X1C026000BC1H-HZ 编号：C254216
    封装：SMD1612-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

    • 1+

      ￥0.442 ￥2.21

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      ￥0.39 ￥1.95

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      ￥0.368 ￥1.84

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      ￥0.34 ￥1.7
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    HSX321S 24MHZ 9pF 10PPM
    型号：X3S024000B91HA-R 编号：C136071
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    特性：频率：24.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10ppm。 等效电阻：最大60欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-20℃至+75℃。 温度漂移：在-20℃至+75℃时为±10ppm。 负载电容（CL）：9.0pF。 驱动电平：10μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从50cm高度落在硬木上3次，频率变化小于±5ppm，电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±5ppm/年
    数据手册

    • 1+

      ￥0.46563 ￥1.5521

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    HSX321S 27MHZ 12PF ±30PPM
    型号：X3S027000FC1H-V 编号：C254332
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

    • 1+

      ￥0.48753 ￥1.6251

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    HSX321S 26.000MHZ 8PF ±10PPM
    型号：X3S026000B81H-NCHZ 编号：C254325
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

    • 1+

      ￥0.50787 ￥1.6929

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    HSX221S 26.000MHZ 9PF ±8PPM
    型号：X2B026000L91H-S 编号：C254317
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    HSX221S 26.000MHZ 9PF ±10PPM
    型号：X2B026000B91H-HR 编号：C254316
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    特性：频率：26.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10ppm。 等效电阻：最大60欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-20℃至+75℃。 温度漂移：在-20℃至+75℃时为±10ppm。 负载电容（CL）：9.0pF。 驱动电平：10μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基波。 冲击：从120cm高度在混凝土地板上掉落3次，频率变化小于±5ppm，电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±3ppm/年。 湿度敏感度等级：1级
    数据手册

    • 1+

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    HSX221S 26.000MHZ 9PF ±10PPM
    型号：X2B026000B91H-U 编号：C254315
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    HSX221SR 26.000MHZ 7PF
    型号：X2R026000BZ1HZ-DEHPZ 编号：C254318
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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      ￥0.12301 ￥1.2301

    • 100+

      ￥0.10377 ￥1.0377
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    HSX221S 26.000MHZ 12PF ±10PPM
    型号：X2B026000BC1H-Z 编号：C254306
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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      ￥0.12663 ￥1.2663

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      ￥0.10682 ￥1.0682
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    • 立即购买
    HSX321S 13.560MHz 10PF ±20PPM
    型号：X3S013560DA1H-HU 编号：C254294
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    特性：频率：13.560000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±20ppm。 等效电阻：最大60欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+90℃。 工作温度范围：-30℃至+85℃。 温度漂移：在-30℃至+85℃时为±20ppm。 负载电容（CL）：10.0pF。 驱动电平：10μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从120cm高度在混凝土地板上掉落3次，频率变化小于±5ppm，电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于+3ppm/年。 湿度敏感度等级：1级
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：25ns
    型号：MUR120S M4G 编号：C5249575
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：25ns
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    HSX321S 26.000MHZ 7.9PF ±10PPM
    型号：X3S026000B71HZ-NCHPR 编号：C254273
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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