3v基准电压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ADR3650ARMZ 编号：C20047637

封装：MSOP-8

ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调

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型号：LT1461DHS8-2.5#PBF 编号：C663905

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：LT6654AMPS6-2.5#TRMPBF 编号：C580256

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准

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型号：LT1461AIS8-2.5#TRPBF 编号：C663859

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：LTC6655BHMS8-2.048#TRPBF 编号：C689423

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：ADR291ERZ 编号：C579282

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

低噪声、微功耗、精密基准电压源(2.5 V)

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型号：ADR3625BRMZ 编号：C5555943

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调

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型号：ME4315AM6G-2 编号：C2926917

封装：SOT-23-6

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME4315是一个专为恒压/恒流的SMPS应用而设计的高集成度解决方案。ME4315内含一个1.21±1%的电压基准源、一个电流感应电路和两路运算放大器。其中的电压基准源与一路运算放大器使得ME4315非常适用于电源适配器和电池充电器。另外一路低压基准和运算放大器使得ME4315是针对输出电流感应的理想电流限流器。36V的输入输出高耐压使其在很多应用中无需降压齐纳管，有效节约了系统成本。

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型号：LM4040DIM3X-3.0/NOPB 编号：C2156610

封装：SOT-23-3

品牌：TI(德州仪器)

LM4040-N 100ppm/°C 精密微功耗并联电压基准

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型号：REF3030AIDBZT 编号：C2156522

封装：SOT-23-3

品牌：TI(德州仪器)

REF3030 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准

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型号：LHR4030DFGR 编号：C42459134

封装：SOT-23-3

品牌：Legendsemi(领慧立芯)

低功耗(30uA)、低噪声(10µVpp/V）、低温漂（15 ppm/°C最大值）、高精度（0.1%最大值）电压基准

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型号：LM4040B30IDBZT 编号：C2157064

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

LM4040 固定和电压、45μA、精密微功耗并联电压基准

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型号：REF2930AIDBZT 编号：C2872905

封装：SOT-23-3

品牌：TI(德州仪器)

REF2930 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3V、100ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准

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型号：GM7400BRZ-3-R7 编号：C41433520

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-3-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 10ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.1% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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型号：LM4040A30IDCKR 编号：C701879

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

LM4040 固定和电压、45μA、精密微功耗并联电压基准

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型号：LM4040A30IDBZT 编号：C2156531

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

LM4040 固定和电压、45μA、精密微功耗并联电压基准

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型号：LM4128BMF-3.0/NOPB 编号：C132064

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

LM4128 具有使能引脚的 0.1% 75ppm/°C SOT-23 精密微功耗串联电压基准

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型号：ISL60002CIH330Z-TK 编号：C2156593

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL60002 FGA电压基准源是采用浮栅模拟（FGA）技术制造的高精度模拟电压基准源，具有低电源电压工作特性，工作电流超低，仅为350nA。此外，ISL60002系列确保初始精度低至±1.0mV，温度系数为20ppm/°C。ISL60002系列的初始精度和温度稳定性，加上低电源电压和350nA的功耗，无需为降低功耗而牺牲热稳定性，使其成为高分辨率、低功耗数据转换系统的理想选择。

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型号：ZJR1004-3BUAET 编号：C46656517

封装：MSOP-8

品牌：治精微

3 V精密电压基准源、供电电压3.3 至40 V、温度系数5 ppm max、初始误差0.05% max、供电电流 160 µA

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型号：LM4128AQ1MF3.0/NOPB 编号：C2873104

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

LM4128-Q1 汽车类 0.1% 75ppm/°C SOT-23 精密微功耗系列电压基准关断使能引脚

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型号：ADR443ARZ-REEL7 编号：C659571

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，该系列产品在电压随温度变化时的非线性得到了极大改善。相比掩埋齐纳基准源，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作

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型号：LT6654AHS6-2.5#TRMPBF 编号：C580252

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LT6654是一系列小型精密电压基准源，具有高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗的特点。LT6654可在最高36V的电压下工作，工作温度范围为-55°C至125°C，并在此温度范围内进行了全面的性能指标测试。其缓冲输出可提供±10mA的驱动能力，输出阻抗低，负载调整率精确

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型号：REF3430MDBVTEP 编号：C2865667

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

REF3430-EP 增强型产品 3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准

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型号：ADR3625ARMZ 编号：C7455309

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调

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型号：REF192GPZ 编号：C691022

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5V精密、微功耗、低压差、低压基准电压源

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型号：ADR443BRZ 编号：C659572

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、3.0V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：ADR433ARZ 编号：C659552

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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