12v基准电压芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOT-23-6L

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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￥30.0021 ￥30.93

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型号：REF02BU 编号：C523995

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF02 宽电源电压范围、5V 输出精密电压基准

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型号：ADR441ARZ-REEL7 编号：C192235

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、2.5V LDO XFET® 基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：LT6654BHS6-5#TRPBF 编号：C673295

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LT6654是一系列小型精密电压基准源，具有高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗的特点。LT6654可在最高36V的电压下工作，工作温度范围为-55°C至125°C，并在此温度范围内进行了全面的性能指标测试。其缓冲输出可提供±10mA的驱动能力，输出阻抗低，负载调整率精确

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型号：ADR444ARMZ 编号：C208353

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR44x系列是XFET系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用温度漂移曲线校正和XFET(外加离子注入结型场效应管)专利技术，ADR44x电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于掩埋齐纳二极管基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5V)。

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型号：ADR3650ARMZ 编号：C20047637

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调

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型号：LT6654AHS6-1.25#TRMPBF 编号：C580251

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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￥56.4788 ￥61.39
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型号：ADR420ARZ-REEL7 编号：C659527

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

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型号：LT1034CS8-1.2#PBF 编号：C661551

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1034是一款微功耗、精密的1.2V/2.5V基准源，同时集成了一个7V辅助基准源。1.2V/2.5V基准源是一款经过微调的薄膜带隙电压基准源，初始容差为1%，温度漂移保证在20ppm/°C以内。LT1034仅需20μA的工作电流，具有有保证的漂移、低温循环滞后特性和良好的长期稳定性

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型号：LT1460HCS3-10#TRMPBF 编号：C663814

封装：SOT-23

品牌：ADI(亚德诺)

LT1460是一款微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。该基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调整特性，非常适合精密稳压器应用

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￥60.5088 ￥68.76
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型号：LT1460HCS3-2.5#TRMPBF 编号：C579735

封装：SOT-23

品牌：ADI(亚德诺)

LT1460是一款微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。该基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调整特性，非常适合精密稳压器应用

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型号：ADR441ARZ 编号：C192245

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、2.5V LDO XFET® 基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：MAX6126B21+ 编号：C1575486

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6126是一款超低噪声、高精度的低压差电压基准源。该系列电压基准源采用了曲率校正电路和高稳定性、激光微调的薄膜电阻，可实现3ppm/°C（最大值）的温度系数和出色的±0.02%（最大值）初始精度。其专有的低噪声基准架构可产生1.3μVₚ₋ₚ的低闪烁噪声，以及低至60nV/√Hz（2.048V输出）的宽带噪声，且不会像常见的低噪声基准源那样增加电源电流

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型号：LT1790AIS6-4.096#TRMPBF 编号：C579900

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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￥65.91
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型号：MAX6192AESA+ 编号：C1575312

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

精密、微功耗、低压差电压基准源通过专有的曲率校正电路和激光微调精密薄膜电阻提供高初始精度和非常低的温度系数。这些串联模式带隙基准源的最大静态电源电流仅为35μA，非常适合电池供电的仪器。它们的电源电流几乎不受输入电压变化的影响。负载调节规格保证源电流和灌电流高达500μA。这些器件内部补偿，非常适合需要快速稳定的应用，并且在高达2.2nF的容性负载下稳定。

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￥67.52
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型号：REF102CU 编号：C181311

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF102 2.5ppm/℃ 温漂、10V 精密电压基准

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型号：REF102CU/2K5 编号：C2157592

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF102 2.5ppm/℃ 温漂、10V 精密电压基准

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型号：ADR431BRMZ 编号：C659548

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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￥72.7872 ￥75.82

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型号：ADR4533BRZ 编号：C208120

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度3.3V基准电压源

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￥73.31

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型号：LTC6655CHMS8-4.096#PBF 编号：C689447

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：LT6657BHMS8-1.25#PBF 编号：C673449

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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￥99.82
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￥78.4784 ￥80.08

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型号：LT1019CS8-5#PBF 编号：C579615

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1019是一款第三代带隙电压基准源，采用了薄膜技术和大幅改进的曲率校正技术。晶圆级的基准电压和输出电压微调相结合，可实现极低的温度系数（TC）和严格的初始输出电压容差。LT1019能够吸入和输出高达10mA的电流，可在串联或并联模式下使用，无需外部元件即可使基准源在正或负输出电压下工作

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型号：AD587KNZ 编号：C650295

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

使用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶圆微调技术，以低成本提供出色的性能。比大多数其他10V基准源具有更高的性能。采用行业标准引脚排列，可立即升级许多系统。掩埋齐纳基准设计比带隙电压基准具有更低的噪声和漂移

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￥166.63
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￥147.5259 ￥158.63

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型号：MAX6341CSA+ 编号：C7454805

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6325/MAX6341/MAX6350是低噪声、高精度电压基准源，典型温度系数极低，仅为0.5ppm/°C，初始精度极佳，可达±0.02%。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标保证在最高15mA的源电流和灌电流条件下有效

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￥187.76

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型号：AD587UQ 编号：C18166376

封装：CDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

AD587代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调技术，AD587以低成本提供了卓越的性能。与带隙电压基准源相比，掩埋齐纳二极管的基准设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供了一个降噪引脚，可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。AD587推荐用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合用于精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC。一般来说，它的性能优于标准的片上基准源。AD587J和AD587K规定的工作温度范围为0℃至70℃，AD587U规定的工作温度范围为 -55℃至 +125℃。AD587JQ和AD587UQ型号采用8引脚CERDIP封装。其他型号提供适用于表面贴装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP封装。

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￥243.09
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￥226.6152 ￥231.24

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型号：LTC6655LNBHLS8-2.5#PBF 编号：C41374593

封装：LCC-8(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 - 40°C至125°C的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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￥246
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￥234

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型号：AD580SH/883B 编号：C1530606

封装：TO-52

品牌：ADI(亚德诺)

AD580是一款三端、低成本、具有温度补偿功能的带隙电压基准源，在输入电压为4.5 V至30 V的范围内，可提供2.5 V的固定输出电压。先进的电路设计与激光晶圆微调薄膜电阻独特结合，使AD580的初始容差为±0.4%，温度稳定性优于10 ppm/°C，长期稳定性优于250 μV。此外，最大1.5 mA的低静态电流消耗使其相对于传统的齐纳技术具有明显优势

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￥316.2658 ￥385.69
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￥302.006 ￥368.3

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型号：LTZ1000CH#PBF 编号：C690851

封装：TO-99

品牌：ADI(亚德诺)

是超稳定的温度可控基准源，设计用于提供7V输出，温度漂移为0.05ppm/℃，噪声约为1.2μVₚ₋ₚ，长期稳定性为2μV/kHr。芯片上包括一个表面下齐纳基准源、一个用于温度稳定的加热电阻和一个温度传感晶体管。外部电路用于设置工作电流并使基准源温度稳定，这可实现最大的灵活性以及最佳的长期稳定性和低噪声。如果用户实现加热控制并正确管理热布局，其性能优于旧设备，如LM199。为简化热绝缘，采用专有管芯连接方法，提供比其他型号更高的热阻。

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1+
￥705.1
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￥669.87

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型号：REF80000B1NAJT 编号：C47023650

封装：LCCC-20

品牌：TI(德州仪器)

是一款高度集成的超低漂移埋入式齐纳精密电压基准。将精密7.6V基准与内部加热器相结合，可实现0.05ppm/°C的极低温度漂移。集成式加热器将芯片内部温度保持在恒定的设定点，有助于基准电压保持恒定，而不受环境温度变化的影响。器件内部温度经过预编程，从而消除设计复杂性，使得设计周期更短，启动更容易，并且不依赖于高成本外部精密元件。采用20引脚LCCC封装，该封装是一种密封陶瓷封装，可实现0ppm（稳定后）的超低长期稳定性规格，对于需要长时间不校准的应用至关重要，还具有出色的抗湿度变化性能。

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￥849.96
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￥811.67

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型号：JTDH431 编号：C42443470

封装：SOT-23

品牌：JTD(晶泰达)

AC-DC配套--可调节精密基准电压源

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