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REF2030 3V Vref、低温漂、低功耗、双输出 Vref 和 Vref/2 电压基准

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型号：REF35125YBHR 编号：C32667732

封装：DSBGA-4

REF35 是毫微功耗、低漂移、高精度串联基准系列器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度，典型功耗为 650nA。该器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性（1000 小时内为 40ppm）有助于提高系统稳定性和可靠性。凭借低功耗以及高精度规格，此器件适用于多种便携式应用和低电流应用。

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型号：TPR6040F30-S3TR-S 编号：C22401212

封装：SOT-23G-3

是一款分流电压基准源，在整个工作温度范围内具有保证的温度稳定性。温度范围从 -40℃ 扩展到 +125℃。工作电流范围宽，从 0.15 到 15 mA，典型动态阻抗为 0.3Ω。

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型号：TPR6040F50-S3TR-S 编号：C5360015

封装：SOT-23G-3

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型号：REF2041AIDDCT 编号：C2156503

封装：SOT-23-5

REF2041 4.1V Vref、低温漂、低功耗、双输出 Vref 和 Vref/2 电压基准

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型号：REF5040AIDGKR 编号：C2157075

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF5040 4.096V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：MSR025 编号：C5371291

封装：SOT-23-5

品牌：杭州瑞盟

MSR015/MSR025是低温漂、低功耗、高精度CMOS电压基准，具有±0.05%初始精度、低功耗特点。该器件的低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移特性，进一步提高稳定性和系统可靠性。此外，器件的小尺寸和低运行电流特性使其非常适合便携式和电池供电应用。

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型号：ADR280ARTZ-REEL7 编号：C579281

封装：SOT-23-3

ADR280是一款1.2 V的带隙核心基准源，具有出色的线性调整率和电源抑制比，专为承受大幅动态电源变化的应用而设计，例如GSM、GPRS和3G移动台应用中的数据转换器基准源。除移动台外，ADR280还适用于各种通用应用。另一方面，ADR280对带隙核心电压进行了优化，用户只需添加自己喜欢的运算放大器，即可调整电压、电流或瞬态响应

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型号：LM4050AEM3-10/NOPB 编号：C2156513

封装：SOT-23-3

LM4050-N 50ppm/°C 精密微功耗并联电压基准

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型号：TPR5040-SO1R 编号：C22411631

封装：SOP-8

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型号：MAX6225BCSA+T 编号：C559512

封装：SOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低噪声、高精度+2.5V/+4.096V/+5V电压基准

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型号：LT1790BCS6-2.048#TRPBF 编号：C665246

封装：TSOT-23-6

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：TPR5012-SO1R 编号：C38730292

封装：SOP-8

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型号：REF3425QDGKRQ1 编号：C3679651

封装：VSSOP-8

REF34-Q1 汽车类低温漂、低功耗、小型串联电压基准

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型号：MAX6070BAUT33+T 编号：C490944

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低噪声、高精度系列电压基准、高性能SOT23电压基准，最大温度系数为6ppm/°C

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型号：ADR02AUJZ-REEL7 编号：C141936

封装：TSOT-23-5

超紧凑精密 5.0 V 基准电压源

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型号：LT1790AIS6-3#TRMPBF 编号：C579898

封装：TSOT-23-6L

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：ADR434ARZ 编号：C659556

封装：SOIC-8

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351系列是一组XFET电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性得到了最小化。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800 μA），所需的电源电压裕量也更低（2 V）

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单价：
￥65.92 / 个

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型号：AD587JRZ 编号：C650293

封装：SOIC-8

AD587代表了最先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶圆微调技术，AD587以低成本提供了出色的性能。与大多数其他10V基准源相比，AD587的性能要高得多

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型号：AD780ARZ 编号：C578527

封装：SOIC-8

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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型号：LTC6655BHMS8-3.3#PBF 编号：C689428

封装：MSOP-8

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：REF5040MDREP 编号：C2157009

封装：SOIC-8

REF5040-EP 低噪声、超低漂移、高精度电压基准（增强型产品）

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型号：LTC6655LNBHMS8-5#PBF 编号：C1012929

封装：MSOP-8