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首页 > 热门关键词 > 精密基准电压芯片
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精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准
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  • 1+

    ¥55.86
  • 10+

    ¥48.04
  • 30+

    ¥43.27
  • 有货
  • ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管(XFET)电压基准源,采用 SOIC 和 MSOP 封装,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比,XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞
    数据手册
    • 1+

      ¥63.98
    • 10+

      ¥54.81
    • 30+

      ¥49.22
  • 有货
  • ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W 和 ADR3550W 是低成本、低功耗、高精度的 CMOS 电压基准源,其最大温度系数(TC)为 5 ppm/°C(B 级)、8 ppm/°C(A 级),工作电流低,采用 8 引脚 MSOP 封装,输出噪声低。为实现高精度,在最终组装过程中使用专有 DigiTrim 技术对输出电压和温度系数进行数字微调。低输出电压滞后和低长期输出电压漂移可提高系统的长期精度
    数据手册
    • 1+

      ¥41.09
    • 10+

      ¥40.01
    • 30+

      ¥39.29
  • 有货
  • TL432 可调节精密并联稳压器(反向引脚)
    数据手册
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      ¥1.0768
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      ¥0.85
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      ¥31.38
    • 30+

      ¥30.88
  • 有货
  • ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源,具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装,以及 4 引脚 SOIC 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.45
    • 10+

      ¥35.6
    • 30+

      ¥35.03
  • 有货
  • ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比,全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括:在相同电流下工作时,电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一;极低且超线性的温度漂移;低热滞;以及出色的长期稳定性
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    • 1+

      ¥49.48
    • 10+

      ¥48.28
    • 30+

      ¥47.48
  • 有货
  • ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管(XFET)电压基准源,采用 SOIC 和 MSOP 封装,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比,XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞
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    • 1+

      ¥75.64
    • 10+

      ¥64.79
    • 30+

      ¥58.18
  • 有货
  • AD584是一款8引脚精密电压基准源,可通过引脚编程选择四种常用输出电压:10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。通过添加外部电阻,还可获得高于、低于或介于这四种标准输出之间的其他输出电压。输入电压可在4.5 V至30 V之间变化。采用激光晶圆微调(LWT)技术来调整引脚可编程输出电平及温度系数,使其成为单片形式下最灵活的高精度电压基准源。除可编程输出电压外,AD584还设有独特的选通引脚,可开启或关闭该器件。当AD584用作电源基准时,可通过单个低功率信号关闭电源。关闭状态下,AD584的电流消耗降至约100 μA。开启状态下,包括输出缓冲放大器在内,总电源电流通常为750 μA。建议将AD584用作需要外部精密基准源的8位、10位或12位数模转换器(DAC)的基准源。此外,该器件非常适合精度高达14位的模数转换器(ADC),无论是逐次逼近型还是积分型设计,总体而言,其性能优于标准内置基准源。AD584J和AD584K的工作温度范围为0℃至+70℃,AD584S和AD584T的工作温度范围为 -55℃至+125℃。所有等级产品均采用密封的8引脚TO - 99金属罐封装,AD584J和AD584K也提供8引脚PDIP封装。
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    • 1+

      ¥273.36
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      ¥246.84
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      ¥234.6
  • 有货
  • TL431 可调精密并联稳压器
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      ¥0.96
    • 400+

      ¥0.928
    • 800+

      ¥0.912
    • 1600+

      ¥0.88
    ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045专为对空间要求严苛的应用而设计,是高精度并联电压基准源,采用超小型SC70和SOT - 23封装。这些电压基准源用途广泛、易于使用,可应用于众多领域。它们具有低温漂特性,初始精度优于0.1%,且建立时间短
    • 1+

      ¥11.76
    • 10+

      ¥11.48
    • 30+

      ¥11.29
  • 有货
  • ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045专为对空间要求严苛的应用而设计,是高精度并联电压基准源,采用超小型SC70和SOT - 23封装。这些电压基准源用途广泛、易于使用,可应用于众多领域。它们具有低温漂特性,初始精度优于0.1%,且建立时间短
    数据手册
    • 1+

      ¥11.96
    • 10+

      ¥10.09
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      ¥42.26
    • 10+

      ¥41.25
    • 30+

      ¥40.58
  • 有货
  • ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源,具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装,以及 4 引脚 SOIC 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥86.05
    • 10+

      ¥83.41
  • 有货
  • ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管(XFET)电压基准源,采用 SOIC 和 MSOP 封装,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比,XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞
    数据手册
    • 1+

      ¥116.55
    • 10+

      ¥111.11
    • 30+

      ¥101.68
  • 有货
  • ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比,全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括:在相同电流下工作时,电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一;极低且超线性的温度漂移;低热滞;以及出色的长期稳定性
    数据手册
    • 1+

      ¥126.85
    • 10+

      ¥123.01
  • 有货
  • ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045专为对空间要求严苛的应用而设计,是高精度并联电压基准源,采用超小型SC70和SOT - 23封装。这些电压基准源用途广泛、易于使用,可应用于众多领域。它们具有低温漂特性,初始精度优于0.1%,且建立时间短
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥6.49
  • 有货
  • 设计用于对空间要求严格的应用,是一款低电压(1.200V)、精密并联模式的电压基准源。具有低温漂(60ppm/℃)、高精度(±0.30%)和超低噪声(4μVₚ₋ₚ)的性能。先进的设计无需外部电容,在任何容性负载下都能保持稳定。最低工作电流从仅100μA到最大10mA。低工作电流和易用性使其非常适合手持电池供电的应用。提供一个TRIM端子,可在±0.5%范围内调节输出电压,而不影响器件的温度系数,为用户提供了消除系统误差的灵活性。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.92
    • 10+

      ¥31.61
    • 30+

      ¥28.46
  • 有货
  • ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源,具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装,以及 4 引脚 SOIC 封装。
    • 1+

      ¥44.58
    • 10+

      ¥43.58
    • 30+

      ¥42.9
  • 有货
  • ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比,全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括:在相同电流下工作时,电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一;极低且超线性的温度漂移;低热滞;以及出色的长期稳定性
    数据手册
    • 1+

      ¥85.22
    • 10+

      ¥68.53
    • 30+

      ¥61.64
  • 有货
  • ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W 和 ADR3550W 是低成本、低功耗、高精度的 CMOS 电压基准源,其最大温度系数(TC)为 5 ppm/°C(B 级)、8 ppm/°C(A 级),工作电流低,采用 8 引脚 MSOP 封装,输出噪声低。为实现高精度,在最终组装过程中使用专有 DigiTrim 技术对输出电压和温度系数进行数字微调。低输出电压滞后和低长期输出电压漂移可提高系统的长期精度
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    • 1+

      ¥23.35
    • 10+

      ¥22.77
    • 30+

      ¥22.39
  • 有货
  • ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W 和 ADR3550W 是低成本、低功耗、高精度的 CMOS 电压基准源,其最大温度系数(TC)为 5 ppm/°C(B 级)、8 ppm/°C(A 级),工作电流低,采用 8 引脚 MSOP 封装,输出噪声低。为实现高精度,在最终组装过程中使用专有 DigiTrim 技术对输出电压和温度系数进行数字微调。低输出电压滞后和低长期输出电压漂移可提高系统的长期精度
    数据手册
    • 1+

      ¥30.11
    • 10+

      ¥29.34
    • 30+

      ¥28.83
  • 有货
  • ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045均为高精度分流基准电压源,针对空间受限的应用而设计,采用超小型SC70和SOT-23封装,具有多用途、易于使用的特点,适合众多应用领域。此外还具有低温度漂移、优于0.1%的初始精度和快速建立时间特性。 ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045分别提供2.048V、2.5V、3.0V、4.096V和5.0V输出电压,其先进的设计无需外部电容来提供补偿,而且使用任何容性负载均可保持稳定。
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    • 单价:

      ¥5.1192 / 个
    TL431 可调精密并联稳压器
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    • 5+

      ¥1.4467
    • 50+

      ¥1.06
    • 150+

      ¥0.9347
    • 1000+

      ¥0.7784
    • 2000+

      ¥0.7088
    • 5000+

      ¥0.667
  • 订货
  • ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥38.5236 / 个
    ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源,具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装,以及 4 引脚 SOIC 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥33.1992 / 个
    ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045专为对空间要求严苛的应用而设计,是高精度并联电压基准源,采用超小型SC70和SOT - 23封装。这些电压基准源用途广泛、易于使用,可应用于众多领域。它们具有低温漂特性,初始精度优于0.1%,且建立时间短
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    • 单价:

      ¥4.428 / 个
    ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045专为对空间要求严苛的应用而设计,是高精度并联电压基准源,采用超小型SC70和SOT - 23封装。这些电压基准源用途广泛、易于使用,可应用于众多领域。它们具有低温漂特性,初始精度优于0.1%,且建立时间短
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    • 单价:

      ¥7.506 / 个
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