固定电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM4040C30QDBZT 编号：C2157134

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

LM4040 固定和电压、45μA、精密微功耗并联电压基准

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型号：LM4140BCMX-1.0/NOPB 编号：C2157411

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM4140 具有使能引脚的 0.1% 3ppm/°C 精密微功耗低压降串联电压基准

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型号：ADR4550BRZ 编号：C579307

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了时间和温度变化下的系统精度。

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型号：ISL21090BFB825Z-TK 编号：C2156550

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21090是一款超低噪声、高直流精度的精密电压基准源，具有较宽的输入电压范围。ISL21090采用全新的Intersil先进双极技术，在0.1Hz至10Hz频率范围内实现了低于1.0μVₚ₋ₚ（1.25V选项）的噪声，初始电压精度达0.02%（2.5V选项）。ISL21090提供1.25V、2.5V、5.0V和7.5V的输出电压选项，温度系数为7ppm/°C，同时具备出色的线性调整率和负载调整率

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型号：LT6656ACDC-2.5#TRMPBF 编号：C673330

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

1μA 精准串联电压基准

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型号：LT6658AHDE-1.8#PBF 编号：C673461

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LT6658 是一系列精密双输出基准源，它将精密电压基准源和线性稳压器的性能相结合，我们将其称为 Refulator™。两个输出端非常适合驱动高分辨率 ADC 和 DAC 的基准输入，即使在重载情况下也能如此，同时还能为微控制器和其他电路供电。两个输出端具有相同的精密规格，并能在温度和负载变化时相互跟踪

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型号：ADR292GRZ 编号：C659496

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比，全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括：在相同电流下工作时，电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一；极低且超线性的温度漂移；低热滞；以及出色的长期稳定性

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型号：LT1461ACS8-3.3#PBF 编号：C663853

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：LT1634AIS8-1.25#PBF 编号：C579792

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种微功耗、精密的并联电压基准。带隙基准采用微调的精密薄膜电阻，实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术保证最大10ppm/°C的温度漂移。设计、处理和封装技术的进步保证10μA的工作电流和低温循环滞后。不需要输出补偿电容，但在容性负载下稳定。低动态阻抗使基准易于在非稳压电源下使用。可以作为LM185/LM385、LT1004和LT1034的高性能升级版，适用于需要更低功耗和有保证的温度漂移的场景。

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型号：LT1461ACS8-5#PBF 编号：C663856

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：LT1019IN8-2.5#PBF 编号：C661973

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1019是一款第三代带隙电压基准源，采用了薄膜技术和大幅改进的曲率校正技术。晶圆级的基准电压和输出电压微调相结合，可实现极低的温度系数（TC）和严格的初始输出电压容差。LT1019能够吸入和输出高达10mA的电流，可在串联或并联模式下使用，无需外部元件即可使基准源在正或负输出电压下工作

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型号：LT6654AMPS6-3.3#TRMPBF 编号：C580257

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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型号：ADR4525WBRZ-R7 编号：C659582

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了时间和温度变化下的系统精度。

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型号：LM185H-1.2/NOPB 编号：C1575298

封装：TO-92-3

品牌：TI(德州仪器)

LM185-1.2-N 微功耗电压基准二极管

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型号：ADR425BRZ 编号：C579296

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

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型号：ADR292FRZ 编号：C659492

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比，全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括：在相同电流下工作时，电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一；极低且超线性的温度漂移；低热滞；以及出色的长期稳定性

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型号：AD586JNZ 编号：C650284

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

AD586代表了先进的单片电压基准源的重大进步。AD586采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管，并对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调，以低成本提供了卓越的性能。与大多数其他5V基准源相比，AD586的性能要高得多

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型号：LM136AH-2.5/883 编号：C5215755

封装：TO-3

品牌：TI(德州仪器)

LM136A-2.5QML 2.5V 基准二极管

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型号：ME431LAXG 编号：C487902

封装：SOT-23

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME431L是一款三引脚低静态电流可调节分流稳压器，在全温度范围内如同低温度系数的齐纳管一样稳定。ME431L具有较宽的工作电流范围，在典型动态阻抗0.05Ω时为35uA到80mA。较低的温度系数和较低的动态阻抗使其在开关电源、充电管理、运放电路等许多应用中代替齐纳二极管。

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型号：XT385-1.2 编号：C513535

封装：TO-92-3

品牌：XINLUDA(信路达)

微功耗电压参考

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型号：LM4040D33FTA 编号：C7296133

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一系列带隙电路，旨在实现 2.5V、3.0V、3.3V、4.096V 和 5.0V 的精密微功耗电压基准。器件有 0.2% B 级、0.5% C 级和 1% D 级的初始容差。器件采用小外形 SOT23 表面贴装封装，非常适合空间有限的应用。在 30μA 至 15mA 的工作电流范围内保持出色的性能，典型温度系数仅为 20ppm/°C。该器件设计为对电容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。该器件为汽车应用中的行业标准 LM4040 电压基准提供了引脚对引脚兼容的替代方案。