可调式电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ADR421ARMZ 编号：C659530

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

超精密、低噪声、2.500 V XFET®基准电压源

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单价：
￥37.152 / 个

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型号：REF6133IDGKR 编号：C2156651

封装：VSSOP-8-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

REF6133 具有集成缓冲器和使能引脚的 3.3V、8ppm/°C 高精度电压基准

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型号：ADR431ARMZ-REEL7 编号：C208009

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：ADR280AKSZ-REEL7 编号：C2156560

封装：SC-70-3

品牌：ADI(亚德诺)

ADR280是一款1.2 V的带隙核心基准源，具有出色的线性调整率和电源抑制比，专为承受大幅动态电源变化的应用而设计，例如GSM、GPRS和3G移动台应用中的数据转换器基准源。除移动台外，ADR280还适用于各种通用应用。另一方面，ADR280对带隙核心电压进行了优化，用户只需添加自己喜欢的运算放大器，即可调整电压、电流或瞬态响应

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型号：ADR06BUJZ-REEL7 编号：C659473

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源，具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装，以及 4 引脚 SOIC 封装。

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型号：REF195GRUZ 编号：C691029

封装：TSSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

REF19x 系列精密带隙电压基准源采用专利温度漂移曲率校正电路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光微调，以实现极低的温度系数和较高的初始精度。REF19x 系列由微功耗、低压差电压（LDV）器件组成，可在仅比输出电压高 100mV 的电源下提供稳定的输出电压，且电源电流消耗小于 45μA。在睡眠模式下（通过向 SLEEP 引脚施加低电平 TTL 或 CMOS 电平来启用），输出关闭，电源电流进一步降低至小于 15μA

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型号：LT6654AIS6-1.25#TRPBF 编号：C673256

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LT6654是一系列小型精密电压基准源，具有高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗的特点。LT6654可在最高36V的电压下工作，工作温度范围为-55°C至125°C，并在此温度范围内进行了全面的性能指标测试。其缓冲输出可提供±10mA的驱动能力，输出阻抗低，负载调整率精确

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型号：REF195GRUZ-REEL7 编号：C581304

封装：TSSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

5.0V精密、微功耗、低压差、低压基准电压源

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型号：REF02BU/2K5 编号：C2868726

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF02 宽电源电压范围、5V 输出精密电压基准

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型号：LT1461CIS8-4#PBF 编号：C663901

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：MAX6010AEUR+T 编号：C570999

封装：SOT-23

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

高精度、微功耗、3V系列电压基准，SOT23封装、低功耗、低噪声、3V系列基准，2kHz下具有高达-60dB的PSRR

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型号：ADR02WARZ-REEL7 编号：C207732

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源，具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装，以及 4 引脚 SOIC 封装。

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型号：ADR02BRZ 编号：C579275

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源，具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装，以及 4 引脚 SOIC 封装。

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型号：REF03GSZ-REEL7 编号：C495339

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

REF01/REF02/REF03系列精密电压基准源可提供稳定的10.0V、5.0V或2.5V输出，且在电源电压、环境温度或负载条件变化时，输出变化极小。这些器件有8引脚SOIC、PDIP、CERDIP和TO - 99封装，以及20引脚LCC封装（仅适用于883标准），进一步提高了器件在标准应用和高应力应用中的适用性。通过外接缓冲器和简单的电阻网络，TEMP引脚可用于温度感应和近似测量

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型号：LT6657BHMS8-5#PBF 编号：C673457

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

1.5ppm/°C 漂移、低噪声、缓冲基准

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型号：LT6650HS5#TRPBF 编号：C673239

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

采用SOT-23 封装并具轨至轨缓冲放大器的微功率、400mV 基准

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型号：LT1790AIS6-3#TRMPBF 编号：C579898

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：AD587JRZ-REEL7 编号：C207480

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

高精度10 V基准电压源

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￥46.501 ￥47.45
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￥41.8558 ￥42.71

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型号：LT1790ACS6-2.5#TRMPBF 编号：C579894

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：ADR431BRMZ 编号：C659548

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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￥67.2581 ￥73.91

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型号：REF1004I-2.5/2K5 编号：C914114

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF1004-2.5 2.5V、20ppm/°C 微功耗基准电压

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型号：REF6041IDGKT 编号：C2156944

封装：VSSOP-8-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

REF6041 具有集成缓冲器和使能引脚的 4.096V、5ppm/°C 高精度电压基准

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型号：REF5050EIDR 编号：C43525406

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：LT1236AIS8-5#PBF 编号：C579701

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1236是一款精密基准源，它将超低漂移和噪声与出色的长期稳定性和高输出精度相结合。该基准输出既能提供又能吸收高达10mA的电流，并且几乎完全不受输入电压变化的影响。有两种电压可选：5V和10V

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型号：ADR433ARZ 编号：C659552

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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型号：LTC6655LNCHMS8-4.096#PBF 编号：C3680353

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 - 40°C至125°C的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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￥80.61

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型号：LT1634AIS8-1.25#PBF 编号：C579792

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种微功耗、精密的并联电压基准。带隙基准采用微调的精密薄膜电阻，实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术保证最大10ppm/°C的温度漂移。设计、处理和封装技术的进步保证10μA的工作电流和低温循环滞后。不需要输出补偿电容，但在容性负载下稳定。低动态阻抗使基准易于在非稳压电源下使用。可以作为LM185/LM385、LT1004和LT1034的高性能升级版，适用于需要更低功耗和有保证的温度漂移的场景。

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￥92.9019 / 个￥102.09 / 个

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型号：LT1460BIS8-2.5#PBF 编号：C663768

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1460是一款微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。该基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调整特性，非常适合精密稳压器应用

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￥93.6522 ￥99.63
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￥85.3426 ￥90.79
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￥78.1046 ￥83.09

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型号：LT1461BIS8-3.3#PBF 编号：C579740

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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￥98.25
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￥97.2675 ￥98.25

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型号：ADR434ARMZ-REEL7 编号：C659555

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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