可调式电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：REF192ESZ-REEL7 编号：C581297

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5V精密、微功耗、低压差、低压基准电压源

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型号：LTC6655BHMS8-4.096#TRPBF 编号：C689431

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：LT1461BIS8-2.5#PBF 编号：C663877

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：ADR444BRZ 编号：C459700

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，该系列产品在电压随温度变化时的非线性得到了极大改善。相比掩埋齐纳基准源，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作

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型号：LT1460BIS8-2.5#PBF 编号：C663768

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1460是一款微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。该基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调整特性，非常适合精密稳压器应用

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型号：LT1461AIS8-5#TRPBF 编号：C663866

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：LT1461AIS8-5#PBF 编号：C663865

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器

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型号：AD586LRZ-REEL7 编号：C578311

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

高精度5 V基准电压源

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型号：ADR293ERZ 编号：C659498

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR293是一款低噪声、微功耗精密电压基准源，采用了XFET°（额外注入结型场效应晶体管）基准电路。与传统的带隙和埋入式齐纳基准源相比，XFET架构在性能上有显著提升。这些提升包括：在相同电流下，电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一；极低且超线性的温度漂移；低热滞；以及出色的长期稳定性

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型号：ADR4550CRZ 编号：C3679836

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 器件是高精度、低功耗、低噪声的电压基准源，B、C 和 D 级的最大初始误差为±0.02%，具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列电压基准源采用创新的核心拓扑结构，在实现高精度的同时，还具备业界领先的温度稳定性和噪声性能。这些器件的热致输出电压滞后效应小、长期输出电压漂移低，可在温度变化和长时间使用的情况下提高系统精度

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型号：LTZ1000CH#PBF 编号：C690851

封装：TO-99

品牌：ADI(亚德诺)

是超稳定的温度可控基准源，设计用于提供7V输出，温度漂移为0.05ppm/℃，噪声约为1.2μVₚ₋ₚ，长期稳定性为2μV/kHr。芯片上包括一个表面下齐纳基准源、一个用于温度稳定的加热电阻和一个温度传感晶体管。外部电路用于设置工作电流并使基准源温度稳定，这可实现最大的灵活性以及最佳的长期稳定性和低噪声。如果用户实现加热控制并正确管理热布局，其性能优于旧设备，如LM199。为简化热绝缘，采用专有管芯连接方法，提供比其他型号更高的热阻。

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