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LM4140 具有使能引脚的 0.1% 3ppm/°C 精密微功耗低压降串联电压基准

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型号：LM4140CCM-1.0/NOPB 编号：C1575290

封装：SOIC-8

LM4140 具有使能引脚的 0.1% 3ppm/°C 精密微功耗低压降串联电压基准

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￥33.25 / 个

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型号：MAX6029EUK30+T 编号：C3680637

封装：SOT-23-5

超低功耗、高精度串联型电压基准

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型号：LT6650CS5#TRMPBF 编号：C580249

封装：TSOT-23-5

LT6650是一款微功耗、400mV低压基准源。该器件的电源电压范围为1.4V至18V，典型电流仅为5.6μA，非常适合用于低压系统、手持仪器和工业控制系统。只需两个电阻，内部缓冲放大器就能将400mV基准电压缩放至电源电压范围内的任意所需值

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型号：LT1004CZ-1.2#PBF 编号：C661098

封装：TO-92

LT1004微功耗电压基准源是一款两端口带隙基准二极管，旨在以极低的工作电流提供高精度和出色的温度特性。通过对该器件设计、制造和测试过程中的关键参数进行优化，其精度指标达到了以往只有经过筛选的器件才能实现的水平。LT1004可与LM185/LM385系列基准源引脚兼容，且精度指标有所提升

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型号：ZJR1004-2BUABT 编号：C46656512

封装：MSOP-8

品牌：治精微

2.048 V精密电压基准源、供电电压2.4 至40 V、温度系数5 ppm max、初始误差0.05% max、供电电流 160 µA

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型号：MAX6070AAUT30+T 编号：C2157033

封装：SOT-23-6

低噪声、高精度系列电压基准、高性能SOT23电压基准，最大温度系数为6ppm/°C

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型号：ZJR1004-5BSABR 编号：C46656611

封装：SOIC-8

品牌：治精微

5 V精密电压基准源、供电电压5.3 至40 V、温度系数5 ppm max、初始误差0.05% max、供电电流 160 µA

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型号：REF5040IDGKR 编号：C2876407

封装：VSSOP-8

REF5040 4.096V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：REF3430SQDBVRQ1 编号：C2866295

封装：SOT-23-5

REF34-Q1 汽车类低温漂、低功耗、小型串联电压基准

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型号：LM4140ACM-2.0/NOPB 编号：C1575288

封装：SOIC-8

LM4140 具有使能引脚的 0.1% 3ppm/°C 精密微功耗低压降串联电压基准

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型号：MAX6012AEUR+T 编号：C3680739

封装：SOT-23-3

MAX6012/MAX6021/MAX6025/MAX6030/MAX6041/MAX6045/MAX6050 是精密、低压差、微功耗电压基准源，采用微型 SOT23-3 表面贴装封装。它们采用了专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，实现了低于 15 ppm/°C 的低温漂系数和优于 0.2% 的初始精度。这些器件在扩展温度范围内有明确的性能指标。这些串联模式电压基准源的静态电源电流仅为 27 μA，可吸收或提供高达 500 μA 的负载电流。与传统的并联模式（两端）基准源不同，后者会浪费电源电流且需要外部电阻，而 MAX6012 系列器件的电源电流几乎与电源电压无关（电源电压每变化 1V，电流变化仅 0.8 μA），且无需外部电阻。此外，这些内部补偿器件无需外部补偿电容，在负载电容高达 2.2 nF 时仍能保持稳定。省去外部补偿电容可在对空间要求苛刻的应用中节省宝贵的电路板空间。其低压差电压和与电源无关的超低电源电流，使这些器件非常适合电池供电的低压系统。

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型号：MAX6220ASA-2.5+ 编号：C1575514

封装：SOIC-8

低噪声、高精度+2.5V/+4.096V/+5V电压基准、确保工作在40V的电压基准，在-40°C至+125°C温度范围内具有20ppm/°C温漂

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型号：REF6250IDGKR 编号：C524322

封装：MSOP-8

REF6250 具有集成缓冲器和使能引脚的 5V、3ppm/°C 高精度电压基准

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型号：ADR425ARZ-REEL7 编号：C2157476

封装：SOIC-8

超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源

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型号：LT6657BHMS8-4.096#TRPBF 编号：C673456

封装：MSOP-8

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型号：REF6241IDGKR 编号：C2157039

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF6241 具有集成缓冲器和使能引脚的 4.096V、3ppm/°C 高精度电压基准

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型号：LT6658AHMSE-5#PBF 编号：C673481

封装：MSOP-16-EP

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型号：REF6233IDGKR 编号：C2157040

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF6233 具有集成缓冲器和使能引脚的 3.3V、3ppm/°C 高精度电压基准

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型号：REF5050MDREP 编号：C2157022

封装：SOIC-8

REF5050-EP 低噪声、超低漂移、高精度电压基准（增强型产品）

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型号：ADR435ARZ 编号：C208014

封装：SOIC-8

超低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：LM236H-5.0/NOPB 编号：C701121

封装：TO-46-3

LM136-5.0 5.0V 基准二极管

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型号：LT6657BHMS8-1.25#PBF 编号：C673449

封装：MSOP-8

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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型号：AD587UQ 编号：C18166376

封装：CDIP-8

AD587代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调技术，AD587以低成本提供了卓越的性能。与带隙电压基准源相比，掩埋齐纳二极管的基准设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供了一个降噪引脚，可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。AD587推荐用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合用于精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC。一般来说，它的性能优于标准的片上基准源。AD587J和AD587K规定的工作温度范围为0℃至70℃，AD587U规定的工作温度范围为 -55℃至 +125℃。AD587JQ和AD587UQ型号采用8引脚CERDIP封装。其他型号提供适用于表面贴装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP封装。

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型号：AD688BQ 编号：C879531

封装：CDIP-16

是高精度的±10V跟踪参考源。低跟踪误差、低初始误差和低温漂，使其具有出色的±10V绝对精度性能。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管，以及对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆漂移微调，以提供出色的性能。包含基本参考单元和三个附加放大器，放大器经过激光微调，具有低失调和低漂移特性，可保持参考源的精度

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型号：XT385-1.2 编号：C513535

封装：TO-92-3

品牌：XINLUDA(信路达)

微功耗电压参考

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￥0.5479
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型号：LM4040EIM3X-2.5/NOPB 编号：C2156754

封装：SOT-23-3