Fixed电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MAX6071AAUT30+T 编号：C2157057

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低噪声、高精度系列电压基准、高性能SOT23电压基准，最大温度系数为6ppm/°C

1+
￥53.7
10+
￥46.69
30+
￥39.09

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型号：ADR03BRZ-REEL7 编号：C579279

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源，具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装，以及 4 引脚 SOIC 封装。

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1+
￥59.28
10+
￥50.68
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￥45.43

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型号：ADR420ARZ-REEL7 编号：C659527

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

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1+
￥59.3824 ￥67.48
10+
￥51.3128 ￥58.31
30+
￥46.3936 ￥52.72
100+
￥42.2752 ￥48.04

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型号：ADR441ARZ 编号：C192245

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、2.5V LDO XFET® 基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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1+
￥63.72
10+
￥55.54
30+
￥46.03

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型号：REF102CU 编号：C181311

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF102 2.5ppm/℃ 温漂、10V 精密电压基准

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1+
￥72.63
10+
￥68.03
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￥62.14

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型号：REF102CU/2K5 编号：C2157592

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF102 2.5ppm/℃ 温漂、10V 精密电压基准

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1+
￥76.45
10+
￥65.74
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￥59.22

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型号：LTC6655CHMS8-4.096#PBF 编号：C689447

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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1+
￥83.03
10+
￥72.21
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￥65.61

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型号：MAX6325CSA+ 编号：C402922

封装：SOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6325/MAX6341/MAX6350是低噪声、高精度电压基准源，典型温度系数极低，仅为0.5ppm/°C，初始精度极佳，可达±0.02%。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标保证在最高15mA的源电流和灌电流条件下有效

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1+
￥87.41
10+
￥83.46
30+
￥76.63

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型号：ADR4533BRZ 编号：C208120

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度3.3V基准电压源

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1+
￥90.19
10+
￥86.45
30+
￥73.31

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型号：MAX6341CSA+ 编号：C7454805

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6325/MAX6341/MAX6350是低噪声、高精度电压基准源，典型温度系数极低，仅为0.5ppm/°C，初始精度极佳，可达±0.02%。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标保证在最高15mA的源电流和灌电流条件下有效

1+
￥197.14
30+
￥187.76

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型号：LTC6655LNBHLS8-2.5#PBF 编号：C41374593

封装：LCC-8(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 - 40°C至125°C的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

1+
￥246
30+
￥234

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型号：REF80000B1NAJT 编号：C47023650

封装：LCCC-20

品牌：TI(德州仪器)

是一款高度集成的超低漂移埋入式齐纳精密电压基准。将精密7.6V基准与内部加热器相结合，可实现0.05ppm/°C的极低温度漂移。集成式加热器将芯片内部温度保持在恒定的设定点，有助于基准电压保持恒定，而不受环境温度变化的影响。器件内部温度经过预编程，从而消除设计复杂性，使得设计周期更短，启动更容易，并且不依赖于高成本外部精密元件。采用20引脚LCCC封装，该封装是一种密封陶瓷封装，可实现0ppm（稳定后）的超低长期稳定性规格，对于需要长时间不校准的应用至关重要，还具有出色的抗湿度变化性能。

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1+
￥849.96
30+
￥811.67

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型号：GS78L05Y-STR3 编号：C49326394

封装：SOT-89-3B

品牌：Gainsil(聚洵)

5+
￥0.5662
50+
￥0.451
150+
￥0.3934
500+
￥0.3502

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型号：HT385R-2.5 编号：C5241922

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

微功耗电压基准

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5+
￥0.8212
50+
￥0.6532
150+
￥0.5692
1000+
￥0.5062
2000+
￥0.4558
5000+
￥0.4305

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型号：HT385R-1.2 编号：C5241923

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT285/HT385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差

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5+
￥0.9402
50+
￥0.7722
150+
￥0.6882
1000+
￥0.6042
2000+
￥0.5538
5000+
￥0.5285

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型号：LM4040CIM3-2.5/TR 编号：C42370281

封装：SOT-23

品牌：HGSEMI(华冠)

Precision Micropower Shunt Voltage Reference

1+
￥1.83
10+
￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.37
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

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型号：LM4040CIM3-3.0/TR 编号：C42370285

封装：SOT-23

品牌：HGSEMI(华冠)

Precision Micropower Shunt Voltage Reference

1+
￥1.83
10+
￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.37
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

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型号：LM385BLPR-1-2 编号：C2156711

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

LM385B-1.2 具有 0°C 至 70°C 工作温度范围的 1.235V、1%、微功耗基准电压

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1+
￥2.71
10+
￥2.16
30+
￥1.92
100+
￥1.62

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型号：ZRB500F02TA 编号：C76874

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRB500采用带隙电路设计，实现了5.0伏的精密微功耗电压基准。该器件有小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用，也有通孔封装可供选择。 ZRB500的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRB500在50μA至15mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA的情况下，该器件仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏的处理能力使该基准源能够承受高达200mA的瞬态效应和电流。卓越的开关能力使该器件仅需几微秒即可达到稳定的工作状态。

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