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首页 > 热门关键词 > 电压基准芯片
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2.8V~18V 串联 75uA 25ppm/℃
型号：LT1790BIS6-2.048#TRMPBF 编号：C665256
封装：TSOT-23-6
品牌：ADI(亚德诺)
SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度
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    2.6V~18V 串联 60uA 10ppm/℃
    型号：LT1790AIS6-2.048#TRPBF 编号：C665236
    封装：TSOT-23-6
    品牌：ADI(亚德诺)
    SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度
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    11.5V~40V 串联 2mA
    型号：LT1021DCS8-10#PBF 编号：C579616
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
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    8V~40V 串联 1.4mA 10ppm/℃
    型号：REF02BU 编号：C523995
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    REF02 宽电源电压范围、5V 输出精密电压基准
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    1.8V~5.5V 串联 375uA 3ppm/℃
    型号：LM4140ACM-2.5/NOPB 编号：C2878174
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM4140 具有使能引脚的 0.1% 3ppm/°C 精密微功耗低压降串联电压基准
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    3V~18V 串联 850nA 20ppm/℃
    型号：LT6656BCS6-2.5#TRMPBF 编号：C673400
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT6656是一款微型精密电压基准源，其电源电流小于1µA，且在电源电压与输出电压相差10mV以内时仍可正常工作。LT6656的初始精度为0.05%，温度漂移为10ppm/°C。低功耗与高精度的特性组合使其非常适合用于便携式和电池供电的仪器设备
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    并联 25ppm/℃
    型号：LT1009S8#TRPBF 编号：C661494
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT1009是一款经过精密微调的2.5V并联稳压二极管，最大初始容差仅为±5mV。低动态阻抗和宽工作电流范围增强了其通用性。通过片上微调可实现0.2%的基准容差，这不仅能将初始电压容差降至最低，还能减小温度漂移
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    5.5V~36V 串联 600uA 20ppm/℃
    型号：LT6654BHS6-5#TRMPBF 编号：C580260
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用
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    2.35V~15V 串联 190uA 9ppm/℃
    型号：ADR360BUJZ-REEL7 编号：C659515
    封装：TSOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366 是精密的 2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V 和 3.300 V 带隙电压基准源，采用紧凑的 TSOT 封装，具备低功耗和高精度的特点。通过使用专有的温度漂移曲率校正技术，ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366 基准源在 TSOT 封装中实现了 9 ppm/°C 的低温漂。ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366 系列微功耗、低压差电压基准源在比输出电压高至少 300 mV 的电源供电时，可提供稳定的输出电压
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    5.5V~18V 串联 3.75mA 10ppm/℃
    型号：ADR445ARMZ-REEL7 编号：C659577
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    超低噪声、5.0V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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    5.5V~20V 串联 70uA 12ppm/℃
    型号：LT1461CIS8-5#TRPBF 编号：C663904
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将高精度、低漂移与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻器以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35μA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力也使其适用于更高功率需求的场合，如精密稳压器
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    4V~36V 1.1mA 3ppm/℃
    型号：CM5102-SOPTA 编号：C22446832
    封装：SOP-8
    品牌：CIMO(士模微)
    超高精度的带隙电压基准芯片,工作温度范围最大为-55℃~125℃

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    4.596V~13.2V 串联 7.5mA 5ppm/℃
    型号：LTC6655CHMS8-4.096#PBF 编号：C689447
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用
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    3V~18V 串联 3.75mA 10ppm/℃
    型号：ADR441ARZ-REEL7 编号：C192235
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    超低噪声、2.5V LDO XFET® 基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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    4.6V~18V 串联 3.75mA 10ppm/℃
    型号：ADR444ARMZ 编号：C208353
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADR44x系列是XFET系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用温度漂移曲线校正和XFET(外加离子注入结型场效应管)专利技术，ADR44x电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于掩埋齐纳二极管基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5V)。
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    7V~18V 串联 500uA 10ppm/℃
    型号：ADR425ARMZ-REEL7 编号：C659537
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
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    3V~16V 65uA 6ppm/℃
    型号：ADR3650ARMZ 编号：C20047637
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调
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    3V~5.5V 串联 1.1mA 3ppm/℃
    型号：REF6225IDGKT 编号：C2157026
    封装：VSSOP-8-0.65mm
    品牌：TI(德州仪器)
    REF6225 具有集成缓冲器和使能引脚的 2.5V、3ppm/°C 高精度电压基准
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    2.2V~18V 串联 1.5uA 20ppm/℃
    型号：LT6656BIDC-1.25#TRMPBF 编号：C673410
    封装：DFN-6-EP(2x2)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT6656是一款微型精密电压基准源，其电源电流小于1µA，且在电源电压与输出电压相差10mV以内时仍可正常工作。LT6656的初始精度为0.05%，温度漂移为10ppm/°C。低功耗与高精度的特性组合使其非常适合用于便携式和电池供电的仪器设备
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    8V~40V 串联 3.5mA 7.5ppm/℃
    型号：LT1027ECS8-5#TRPBF 编号：C661548
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT1027是一款精密基准源，具有超低漂移、卓越的精度、出色的线性和负载调整率，以及高频下的低输出阻抗。该器件适用于12位至16位的模数（A-to-D）和数模（D-to-A）系统，这些系统要求在不使用高功耗加热衬底基准源的情况下满足严苛的精度要求。其快速稳定的输出能够从负载瞬变（如数模转换器基准输入所产生的瞬变）中迅速恢复
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    3V~18V 串联 3.75mA 3ppm/℃
    型号：ADR440BRZ-REEL7 编号：C579303
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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    3.5V~36V 串联 3.2mA 10ppm/℃
    型号：LT6658AIDE-1.2#PBF 编号：C1012931
    封装：DFN-16-EP(3x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款结合了精密电压基准和线性稳压器性能的精密双输出基准。两个输出端非常适合驱动高分辨率ADC和DAC的参考输入，即使在重载情况下也能同时为微控制器和其他电路供电。两个输出端具有相同的精度规格，并在温度和负载变化时相互跟踪。每个输出端都可以通过外部电阻配置，以提供高达6V的输出电压
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    3V~13.2V 串联 7.5mA 5ppm/℃
    型号：LTC6655CHMS8-2.048#PBF 编号：C689439
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用
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    3V~13.2V 串联 7.5mA 2ppm/℃
    型号：LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF 编号：C689421
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用
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    4V~18V 串联 600uA 3ppm/℃
    型号：ADR420BRZ-REEL7 编号：C659529
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    超精密、低噪声、2.048 V XFET®基准电压源
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    4.6V~18V 串联 3.75mA 10ppm/℃
    型号：ADR444ARZ-REEL7 编号：C659575
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    超低噪声、4.096V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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    3V~15V 串联 15uA 8ppm/℃
    型号：ADR291ERZ 编号：C579282
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    低噪声、微功耗、精密基准电压源(2.5 V)
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      ￥84.7509 ￥91.13
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    并联 10uA 25ppm/℃
    型号：LT1634BIS8-5#PBF 编号：C664463
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT1634是一款微功耗、精密并联电压基准源。该带隙基准源采用微调的精密薄膜电阻，可实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术可确保最大温度漂移为10ppm/°C
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    5.9V~20V 串联 225uA 10ppm/℃
    型号：LT1460ACS8-5#PBF 编号：C663761
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一种微功率带隙基准源，将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调节特性，非常适合精密调节器应用。相较于必须使整个负载电流处于空载状态才能工作的并联基准源，该系列基准源在电源电流和功耗方面具有优势。此外，无需输出补偿电容，但在容性负载下仍能保持稳定。在电池反接的情况下，这些基准源不会导通电流，因此可防止损坏。有8引脚的MSOP、SO、PDIP以及3引脚的TO-92和SOT23封装可供选择。
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    4.296V~18V 串联 800uA 5ppm/℃
    型号：REF5040MDREP 编号：C2157009
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    REF5040-EP 低噪声、超低漂移、高精度电压基准（增强型产品）
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