Infineon英飞凌电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ITS5215L 编号：C2149781

封装：BSOP-12-EP-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 MOSFET 与电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥24.52
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型号：IR3840WMTRPBF 编号：C537714

封装：QFN-15(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3840W是一款高效、易于使用的集成降压调节器,支持1.5V至16V的宽输入电压范围和0.7V至0.9*Vin的宽输出电压范围。它具有连续12A负载能力,内置自举二极管,可编程开关频率高达1.5MHz,具备多种保护功能,适用于服务器、网络通信、存储和计算等应用。

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￥27.1032 ￥29.46
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型号：XDPS2221XUMA1 编号：C6336713

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

PWM控制器是高度集成的设备，结合了多模式交流-直流PFC控制器和多模式直流-直流混合反激式控制器。将PFC和混合反激式集成到单个封装中，可减少外部材料清单组件，并通过两个阶段的协调运行优化系统性能。

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型号：TLE75620-EST 编号：C540050

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TDA21570AUMA1 编号：C3655211

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器；用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器；电信受控和非受控应用。TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，它与控制和同步 MOSFET 共同封装，并带有一个有源二极管结构，该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比，内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应，允许输出电感以及输入和输出电容小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器，该驱动器经过优化，可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson 电流感测不依赖于电感，但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外，很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测，在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。

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￥37.33
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型号：1EDI3025ASXUMA1 编号：C43907588

封装：PG-DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压电流隔离IGBT驱动器，专为高压汽车应用而设计。基于无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供8kV电流隔离。支持高达1200V的IGBT，具有高达20A峰值电流的强大输出级。分立式输出级（TON、TOFF）可通过独立的栅极电阻实现不同的开关导通和关断斜率

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型号：BTS721L1XUMA1 编号：C2150055

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥47.08
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型号：ITS4880R 编号：C2150057

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考CMOS或V(bb)/2兼容输入以及通用诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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￥68.98
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型号：BTS4880RAUMA1 编号：C2150059

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵、接地参考的 CMOS 或 Vbb/2 兼容输入以及通用诊断反馈，采用 SmartSIPMoS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥76.12
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型号：XDPE132G5HG000XUMA1 编号：C3187196

封装：QFN-56(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款数字多相降压控制器，可配置为单环或双环模式，功能集经过优化，以支持需要AVSBus、AMD SVI2或nVIDIA PWMVID的高性能处理器。它最多可支持16相，并允许在两个环路之间灵活分配相位。该控制器允许通过PMBus进行系统电压设定点编程和裕度调节，或通过AVSBus进行动态电压缩放。输出电压设定点也可以通过SVI2总线或nVIDIA PWM_VID进行控制。包含效率优化技术，可在整个负载范围内以最低成本实现卓越的效率。动态相位控制根据负载电流增加或减少相位

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￥80.54
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型号：BCR 400W H6327 编号：C533881

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：即使在低电池电压和极端环境温度变化下也能提供稳定的偏置电流。低压降：0.7V。无铅（符合 RoHS 标准）封装。根据 AEC Q101 认证。应用：稳定 NPN 晶体管和 FET 的偏置电流，范围从小于 0.2mA 到超过 200mA。作为 Siegel 和其他晶体管的理想补充

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型号：TLE4286G 编号：C539741

封装：SCT-595-5

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4286 G 是一款 5V 低压差固定电压稳压器，采用超小型 SMD 封装 PG-SCT-595-5。其最大输入电压为 42V。在将输出电压调节至 4%的精度范围内时，输出端能够驱动超过 10mA 的负载

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型号：BSP742TXUMA1 编号：C2653765

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：ICE3BS03LJGXUMA1 编号：C535799

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是一款适用于低至中功率应用的多功能PWM控制器，具有最低待机功率和低EMI特性，兼具自动重启和锁定关闭保护功能，可增强系统的稳健性。它适用于离线电池适配器和中低功率范围的低成本开关电源，如DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD播放器和录像机、机顶盒、充电器、笔记本电脑适配器等应用。其继承的出色特性包括500V启动单元、有源突发模式（实现最低待机功率，例如在Vin = 270Vac无负载时<100mV）和传播延迟补偿（宽范围输入的精确输出功率限制）、调制栅极驱动（低EMI）等。新增的技术和特性进一步增强了产品性能，包括BiCMOS技术（进一步降低功耗并将Vcc工作范围扩展至26V）、频率抖动功能（低EMI）、内置软启动、内置消隐窗口（可延长消隐时间以应对高负载跳跃）、外部锁定关闭使能引脚（便于额外保护）等

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型号：BTS3080EJ 编号：C3232307

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3080EJ是一款80 mΩ单通道智能低边功率开关，采用PG - TDSO8 - 31封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件为单片集成式

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型号：TLS205B0EJ V33 编号：C540253

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款微功耗、低噪声、低压差电压调节器，能够提供500 mA的输出电流，压差电压为320 mV。专为电池供电系统设计，30 μA的低静态电流使其成为理想选择。该调节器的一个关键特性是其低输出噪声，通过添加一个外部10 nF旁路电容，可在10 Hz至100 kHz带宽内实现低至24 μVRMS的输出噪声值。使用低至3.3 μF的输出电容时也能保持稳定，可使用小型陶瓷电容，而无需许多其他线性电压调节器所需的串联电阻。内部保护电路包括反向电池保护、限流和反向电流保护。有3.3 V固定输出电压版本以及带1.22 V参考电压的可调版本，提供PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。

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型号：ICE2PCS05G 编号：C535745

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE2PCS05/G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 8 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计，所需的外部元件极少

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型号：ITS41K0SMEN 编号：C98953

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

智能高侧 NMOS 电源开关

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￥8.02
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型号：TLE4253E 编号：C150908

封装：SOIC-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

单片集成低压跟踪调压器

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型号：TLF80511EJ V50 编号：C540218

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

一款适用于高达 400 mA 负载电流的线性低压差稳压器。高达 40 V 的输入电压可被调节至 VQ,nom = 5 V（TLF80511EJV50）或 VQ,nom = 3.3 V（TLF80511EJV33），精度为±2%。其典型静态电流为 38 μA，是需要极低工作电流的系统（如那些永久连接到电池的系统）的理想解决方案

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￥9.18
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型号：1ED3145MC12HXUMA1 编号：C34592053

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥9.22
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型号：ITS4200SMEO 编号：C2150211

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

ITS4200S-ME-O是一款采用SOT-223-4封装的单通道受保护智能高端NMOS功率开关，具备电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。

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￥9.41
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￥7.01

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型号：BTS5030-2EKA 编号：C534808

封装：SOIC-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5030 - 2EKA是一款导通电阻为30 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 40 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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￥10.75
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￥9.13
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￥8.11

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型号：BTS730XUMA1 编号：C2150355

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

该器件可对灯具、LED 或感性负载进行连续功率控制。

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￥11.3378 ￥13.66
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￥9.7455 ￥13.35
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￥8.2845 ￥13.15
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￥8.1585 ￥12.95

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型号：BTS51202EKAXUMA1 编号：C2680435

封装：DSO-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款120mΩ双通道智能高端功率开关，采用PG-DSO-14-40 EP、外露焊盘封装，提供保护功能和诊断。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，采用Smart6技术集成。专为在恶劣汽车环境中驱动高达1 * 10W的灯具以及LED而设计。

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￥11.9504 ￥15.52
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￥10.1706 ￥15.18
30+
￥8.5215 ￥14.95
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￥8.3904 ￥14.72

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型号：BTS7012-2EPA 编号：C534834

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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￥10.17
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￥9.03

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型号：ITS4060SSJNXUMA1 编号：C2150089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款受保护的单通道智能高端NMOS功率开关，采用PG-DSO-8封装，带有电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。

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￥12.43
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￥10.58
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￥9.42

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型号：TLF80511EJV50 编号：C6285359

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是线性低压差电压调节器，适用于高达400 mA的负载电流。高达40 V的输入电压被调节为VQ,nom = 5 V或VQ,nom = 3.3 V，精度为±2%。典型静态电流为38 μA，是要求非常低工作电流的系统的理想解决方案，例如那些永久连接到电池的系统。当输出电流小于100 mA时，压差电压非常低，为100 mV

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￥12.45
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￥10.56
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￥9.39

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型号：BTG70502EPLXUMA1 编号：C17645408

封装：TSSOP-14-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款智能高端开关，提供保护功能和增强的诊断能力。该器件提供可调电流限制，为保护系统提供更高的可靠性。在接地短路的情况下，可以保护PCB走线、连接器以及负载。此外，还实现了电容性负载开关模式来对电容器进行充电。

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￥13.15
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￥11.03
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￥9.71

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型号：2ED3141MC12LXUMA1 编号：C28927937

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动 Si、SiC 和 IGBT 功率开关。所有产品均采用 14 引脚 DSO 封装，输入到输出爬电距离为 8 mm，并提供加强绝缘。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作

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