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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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TLE9185QX是一款多功能IC,采用散热焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、多个半桥及支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,无刷直流(BLDC)驱动器提供了主要功能,如5 V低压差稳压器、用于BLDC电机控制的三个半桥、一个电流检测放大器和一个32位串行外设接口(SPI)。该器件具备诊断和监控功能,如漏源极监测和开路负载检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗,以及过温保护。该器件旨在与5.0 V微控制器配合使用。
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    ¥60.03
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    ¥52
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    ¥47.1
  • 有货
  • 是一款多功能IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、多个半桥和支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,提供主要功能,如3.3V低压差稳压器、用于BDLC电机控制的三个半桥、一个电流检测放大器和一个32位串行外设接口(SPI)。该器件包括诊断和监控功能,如漏源监测和开路检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗以及过温保护。该器件旨在与3.3V微控制器配合使用。
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      ¥63.31
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      ¥54.84
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      ¥49.67
  • 有货
  • CY8C9560A是一款具有60位I/O扩展和板载用户可用EEPROM的多端口I/O扩展器。
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      ¥82.24
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      ¥78.18
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      ¥71.14
  • 有货
  • 对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统,HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞,同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口,HyperFlash 密度为 512 Mb(64 Mbyte)和 256 Mb(32 Mbyte),并与 64 Mb(8 Mbyte)的 HyperRAM 组合。
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      ¥112.81
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      ¥107.12
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      ¥97.27
  • 有货
  • IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 单价:

      ¥12.119596 / 个
    IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案,可实现高效的功率传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器,允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作,其工作输入电压(PVin)范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器,提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式(FCCM)和二极管仿真模式(DEM)操作。它还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能,可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。
    数据手册
    • 单价:

      ¥11.2644 / 个
    EZ-PD CCG6DF和EZ-PD CCG6SF分别是双端口和单端口的USB Type-C控制器,符合最新的USB Type-C和PD规范。这些器件为PC和笔记本电脑提供了完整的USB Type-C和USB电力传输端口控制解决方案。这两款器件均包含一个VBUS供电路径负载开关。它们还配备了用于认证的真随机数发生器(TRNG)、一个32位、48 MHz的Arm Cortex-M0处理器,该处理器带有64 KB闪存和96 KB ROM,并集成了一个完整的Type-C收发器,包括Type-C终端电阻Rp、Rd和死电池Rd终端。CCG6DF采用96球BGA封装,而CCG6SF采用48引脚QFN封装。
    数据手册
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      ¥33.83
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      ¥33.01
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      ¥32.47
  • 有货
  • 对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统,HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞,同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口,HyperFlash 密度为 512 Mb(64 Mbyte)和 256 Mb(32 Mbyte),并与 64 Mb(8 Mbyte)的 HyperRAM 组合。
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      ¥112.03
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      ¥106.39
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      ¥96.6
  • 有货
  • 1ED312xMU12F(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚,它们可提供高达14.0 A的典型输出电流;若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路,则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V的微控制器
    • 1+

      ¥8.8
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      ¥8.27
  • 订货
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    600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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      ¥10.387
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    是单通道隔离栅极驱动器IC,用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装,输入到输出爬电距离为4mm,通过片上无芯变压器(CT)技术实现隔离。具有严格的时序规格,适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸,使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。
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      ¥13.38
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      ¥7.53
  • 订货
  • 1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器,其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽,为 3 V 至 15 V,采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.24
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  • 订货
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      ¥10.296
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      ¥10.2024
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      ¥10.1088
    BGS12PN10是一款单刀双掷(SPDT)高功率射频开关,专为移动电话应用优化。与GaAs技术不同,0.1dB压缩点超过了开关最大输入功率水平,从而在所有信号水平下实现线性性能,外部DC阻断电容器仅在外部施加DC电压时才需要。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.11
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  • 订货
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  • 订货
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      ¥4.93
  • 订货
  • RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。与GaAs技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。该器件尺寸非常小,仅为2.0mm×2.4mm,厚度为0.63mm。
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  • 订货
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      ¥21.2
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      ¥20.8
    IR38060 PMBus SuplRBuckTM 是一款易于使用、高度集成且高效的 DC/DC 稳压器,具备 I2C/PMBus 接口。板载 PWM 控制器和 MOSFET 使 IR38060 成为节省空间的解决方案,可为低输出电压和大电流应用提供精确的电力输送。IR38060 可通过 PMBus 进行全面配置,配置信息存储在内部存储器中
    数据手册
    • 40+

      ¥46.090286
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      ¥42.604467
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      ¥39.215475
    6ED2230S12T 是一款高压、高速 IGBT,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容,低至 3.3V。
    数据手册
    • 1+

      ¥70.33
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      ¥60.06
    • 30+

      ¥53.8
    • 100+

      ¥48.55
  • 订货
  • 完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准,支持CAN FD数据帧高达5 MBit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.6105
    • 50+

      ¥6.102
    • 100+

      ¥5.84775
    • 500+

      ¥5.6952
    • 1000+

      ¥5.5935
    2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥8
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      ¥6.57
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      ¥5.79
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      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.51
    • 1000+

      ¥4.33
  • 订货
  • 2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时,仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥8.4
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      ¥8.18
    • 30+

      ¥8.04
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      ¥7.89
  • 订货
  • 该系列是一组采用DSO-8 300 mil封装的单通道驱动IC。驱动IC可提供高达18 A的典型峰值输出电流。该系列实现了两级压摆率控制(2L-SRC),此功能允许控制两个独立的栅极电阻,从而优化EMI和开关损耗。该系列包括标准输出配置和具有相同电流额定值的有源米勒钳位输出配置,以防止寄生导通
    • 1+

      ¥12.42
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      ¥11.91
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      ¥11.7
  • 订货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥12.58
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      ¥12.25
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      ¥12.04
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      ¥11.82
  • 订货
  • IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围(2.5V-14V),连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式(FCCM)和二极管仿真模式(DEM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.7857
    • 50+

      ¥7.1868
    • 100+

      ¥6.88735
    • 500+

      ¥6.70768
    • 1000+

      ¥6.5879
    该产品是双路隔离栅极驱动器,用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装,输入到输出爬电距离为8mm,通过片上无芯变压器(CT)技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离,适用于更高母线电压或更高污染程度的应用,一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护(STP)和死区时间控制(DTC)功能,可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器,死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度(CMTI)、低器件间偏差和快速信号传播,非常适合用于快速开关电源转换系统。
    • 1+

      ¥15.26
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      ¥13.03
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      ¥11.63
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      ¥10.19
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      ¥9.26
  • 订货
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    • 30+

      ¥17.12
    • 100+

      ¥16.84
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