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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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低电阻单刀双掷天线孔径开关
型号：BGSA12UGL8E6327XTSA1 编号：C3304089
封装：TSLP-8
品牌：Infineon(英飞凌)
BGSA12UGL8是一款多功能单刀双掷（SPDT）射频天线孔径开关，针对低C₀FF和低R₀N进行了优化，适用于高达6.0 GHz的应用。这款单电源芯片集成了2位控制逻辑，还具备低电流待机模式。与砷化镓技术不同，该开关的0.1 dB压缩点超过其最大输入功率电平，可在所有信号电平下实现线性性能。仅当外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。由于其极高的射频电压耐受性，它适用于切换射频匹配电路中的任何电抗元件，如电感和电容，且品质因数不会有显著损失。

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    高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器
    型号：IRS2183STRPBF 编号：C538305
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。
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    半桥驱动器
    型号：IRS2111SPBF 编号：C538274
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容
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    双通道隔离栅极驱动IC
    型号：2EDR8258XXUMA1 编号：C17613836
    封装：DSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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    IRS2308SPBF
    型号：IRS2308SPBF 编号：C538319
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    IRS44262SPBF
    型号：IRS44262SPBF 编号：C538357
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    TLE7268LC
    型号：TLE7268LC 编号：C540022
    封装：TSON-14-EP(3x4.5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    125V高端栅极驱动器
    型号：1EDL8011XUMA1 编号：C34117288
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力，可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器，以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压

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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75080ESDXUMA1 编号：C2150432
    封装：TSSOP-24-EP-150mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    新集成的产品包括2个低边 (8 + 4通道)、2个高边 (8通道) 和5个灵活设备 (8通道)，最多可配置6个通道，因此可满足广泛的应用需求。新的8通道高边设备为驱动小型高边负载提供了非常经济高效的解决方案，包括导通时的开路负载检测。产品具有改进和附加功能，如跛行回家和启动功能、极低的电流消耗、增强的诊断功能、出色的热性能 (外露焊盘封装) 以及2个直接输入的输入映射功能。采用统一的SPI寄存器、所有通道相同的输出级和全面的引脚对引脚兼容性的系列化设计方法，可减少设计工作量，并在无需重新设计PCB的情况下提供降低成本的选项/分区调整
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    超小型天线调谐单刀四掷开关
    型号：BGSA14M2N10E6327XTSA1 编号：C3303189
    封装：TSNP-10
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BGSA14M2N10是一款超小型单刀四掷（SP4T）天线调谐开关，针对高达7.125GHz的射频应用进行了优化。其MIPI RFFE数字控制接口在蜂窝移动射频前端设计中易于实现且具有出色的灵活性。BGSA14M2N10包含4个低导通电阻（RON）端口，非常适合高Q值调谐应用。由于其具有较高的射频电压耐受性，适用于在射频匹配电路中切换电感器和电容器等任何电抗器件，且损耗极小。

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    硅锗低噪声放大器用于LTE
    型号：BGA 7H1BN6 E6327 编号：C534171
    封装：TSNP-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BGA7H1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，其覆盖了从1805 MHz到2690 MHz的宽频范围。在第3章描述的应用配置中，该LNA提供12.3 dB增益和0.85 dB噪声系数，电流消耗为4.3 mA。在旁路模式下，LNA提供的插入损耗为-3.1 dB。BGA7H1BN6基于英飞凌科技公司的B7HF硅锗技术。它的工作电压范围是从1.5 V到3.6 V。该器件具有单线两状态控制（旁路模式和高增益模式）。可通过关闭Vcc来启用关断状态。
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    高速CAN FD收发器
    型号：TLE9252VLCXUMA1 编号：C6881206
    封装：TSON-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE9252V是一款专为汽车和工业应用中高达5 Mbit/s的高速CAN网络设计的收发器。作为物理总线层和CAN协议控制器之间的接口，TLE9252V将信号驱动到总线上，并保护微控制器免受网络内产生的干扰。基于CANH和CANL信号的高度对称性，TLE9252V具有极低的电磁辐射，无需共模扼流圈即可运行。非低功耗模式（正常运行模式和仅接收模式）和低功耗模式（睡眠模式和待机模式）根据所需功能进行了优化，以降低电流消耗。即使在全温度范围内静态电流低于25 μA的睡眠模式下，TLE9252V也能够检测到高速CAN总线上的唤醒模式（WUP）。V10电压参考输入用于支持3.3 V和5 V供电的微控制器。TLE9252V采用符合RoHS标准的PG-DSO-14或PG-TSON-14封装，满足ISO11898-2（2016）标准的要求。

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    160V 1A/2A 半桥栅极驱动器，带集成自举二极管
    型号：2ED2742S01GXTMA1 编号：C5502859
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。

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    快速、稳健的双通道功能性和增强型隔离式MOSFET栅极驱动器，具有精确稳定的时序
    型号：2EDS8165HXUMA2 编号：C1869518
    封装：DSO-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）
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    BTM9011EPXUMA1
    型号：BTM9011EPXUMA1 编号：C43860463
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75080ESHXUMA1 编号：C1882557
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    全新集成式 SPIDER+ 系列包含 9 款可进行价值扩展的产品。简化后的产品组合包括 2 款低侧（8 + 4 通道）、2 款高侧（8 通道）和 5 款灵活器件（8 通道），最多具备 6 个可配置通道
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    适用于伺服驱动器应用的单通道ADC电机驱动器
    型号：TLE4206-2G 编号：C539660
    封装：DSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE 4206 - 2G 是一款受保护的 H 桥驱动器，专为汽车前照灯光束控制和工业伺服控制应用而设计。该器件采用英飞凌的双极高压功率技术 DOPL 制造。标准增强型功率 PG - DSO - 14 封装可满足应用需求，同时节省 PCB 板空间和成本
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    受保护的四半桥驱动器
    型号：TLE94004EPXUMA1 编号：C2653448
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款受保护的四半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是更大系列产品的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具有直接接口或SPI接口。半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作方式驱动直流电机负载。正向（cw）、反向（cow）、制动和高阻抗等操作模式可通过直接接口控制。它提供诊断功能，如短路、电源故障和过温检测。结合其低静态电流，该器件在汽车应用中具有吸引力。小间距外露焊盘封装PG-TSDSO-14提供了良好的热性能，并减少了印刷电路板空间和成本。
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    BGS 16GA14 E6327
    型号：BGS 16GA14 E6327 编号：C534212
    封装：QFN-14-EP(2x2)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款单刀八掷 (SP8T) 分集开关模块，针对高达 3.8 GHz 的无线应用进行了优化。作为引脚和功能兼容的 SP3T-SP8T 产品系列的一部分，旨在满足芯片组参考设计的要求。采用微型 ATSLP 封装，包含一个带集成 GPIO 接口的高功率 CMOS SP8T 开关。是基于 LTE 和 WCDMA 的多模式手机的理想解决方案。开关通过 GPIO 接口控制，具有无直流的 RF 端口，与 GaAs 技术不同，仅在外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容。
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    八通道半桥功率驱动器
    型号：TLE94108ESXUMA1 编号：C3655640
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE94108ES是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载。正转（顺时针）、反转（逆时针）、制动和高阻抗等操作模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备诊断功能，如短路、开路负载、电源故障和过温检测。结合其低静态电流特性，该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的热性能，可减少PCB板空间和成本。

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    半桥驱动器
    型号：IR21094SPBF 编号：C537551
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    四半桥功率输出保护驱动
    型号：TLE94104EP 编号：C540157
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    刷式直流电动机驱动器
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    高端和低端驱动器
    型号：IRS2001SPBF 编号：C538232
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容
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    434 MHz ASK/FSK 发射器，10 引脚封装
    型号：TDK5110F 编号：C2654776
    封装：MSOP-10-3mm
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是单芯片ASK/FSK发射器，用于433 ... 435 MHz频段。该IC集成度高，仅需少量外部组件。器件包含一个完全集成的PLL合成器和一个高效功率放大器，用于驱动环形天线。采用特殊电路设计和独特的功率放大器设计，以节省电流消耗，从而延长电池寿命。附加功能包括掉电模式和分频时钟输出。
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    半桥驱动器
    型号：IR2109SPBF 编号：C537553
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    双路低端驱动器
    型号：IRS4427SPBF 编号：C538360
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
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    AUIRS21811STR
    型号：AUIRS21811STR 编号：C533511
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    具备增益步进和MiPI控制功能的4.5GHz低噪声放大器
    型号：BGA9C1MN9E6327XTSA1 编号：C3191834
    封装：XFLGA-9
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款适用于 LTE 和 5G 的低噪声放大器，覆盖 4.4 GHz 至 5.0 GHz 的宽频率范围。在第 7 章所述的应用配置中，该 LNA 可提供高达 19.0 dB 的增益和 1.0 dB 的噪声系数，电流消耗为 5.6 mA。借助增益阶跃功能，可调整增益和线性度，以增加系统动态范围并适应不断变化的干扰场景。支持 2 μA 的超低旁路电流和 1.2 V 的工作电压，以降低功耗。在不同温度下，其工作电源电压范围为 1.1 V 至 2.0 V。紧凑的 9 引脚 TSNP-9 封装尺寸为 1.1×1.1 mm，有助于节省 PCB 空间。

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    十个半桥功率输出
    型号：TLE94110ES 编号：C2984889
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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    6EDL04N065PRXUMA1
    型号：6EDL04N065PRXUMA1 编号：C41733442
    封装：TSSOP-25
    品牌：Infineon(英飞凌)

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