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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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  • 单线 LIN 收发器,传输速率高达 20 kbps,符合 ISO17987-4、LIN 规范 2.2A 和 SAE J2602 标准。具有低功耗睡眠模式和唤醒功能。
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      ¥3.5
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
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      ¥4.89
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  • IR3899A是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和MOSFET,以及集成的启动二极管,使其成为小型化解决方案,提供高效能的电源管理。具备强制连续导通模式(FCCM)和二极管仿真模式(DEM)操作,以及过压、欠压保护和热关断功能。
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  • 专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计,在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造,兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度,包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小,仅为 1.9×1.5 mm²,最大厚度为 0.6 mm。
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      ¥5.47
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      ¥5.34
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      ¥5.26
  • 有货
  • 是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。
    数据手册
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      ¥6.1
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      ¥6
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  • TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用(如后视镜x-y调节)而设计。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载
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    • 1+

      ¥7.94
    • 10+

      ¥7.73
    • 30+

      ¥7.6
  • 有货
  • 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并终止栅极驱动电压。提供开漏FAULT信号以指示发生过电流关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.25
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      ¥9.01
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      ¥8.86
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      ¥6.03
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    • 10+

      ¥9.58
    • 30+

      ¥9.44
  • 有货
  • 单线LIN收发器,传输速率高达20 kBit/s,符合ISO 17987-4和LIN规范2.2 A及SAE J2602。内置5V或3.3V低压差线性稳压器,电流能力为70 mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.86
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      ¥6.95
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  • TLE8386-2EL 是一款带有内置保护功能的升压控制器,主要功能是将输入电压提升到更高的输出电压。开关频率可调,范围为100kHz至700kHz,并可与外部时钟同步。设备具有使能功能,关断电流消耗小于2 μA。电流模式调节方案通过小型外部补偿组件提供稳定的调节回路。集成软启动功能通过外部组件调整限制峰值电流,同时提供过电压保护和过温关断。
    • 1+

      ¥10.37
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      ¥10.1
    • 30+

      ¥9.92
  • 有货
  • 是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。
    • 1+

      ¥10.93
    • 10+

      ¥10.65
    • 30+

      ¥10.46
  • 有货
  • 是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为高端电源供电,对自举电容器进行充电。保护功能包括Vcc和VB引脚上的欠压锁定。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。
    • 1+

      ¥10.93
    • 10+

      ¥10.65
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      ¥10.46
  • 有货
  • IR3823A是一款易于使用的、完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效能和快速控制响应。该芯片具有内部低dropout电压调节器,支持单电源操作,具备过电压和欠电压保护及热关断功能。
    • 1+

      ¥11.16
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      ¥9.39
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      ¥8.28
  • 有货
  • CY8CMBR3xxx CapSense Express 控制器可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。该系列控制器可通过寄存器配置,最多支持 16 个电容感应输入,无需进行耗时的固件开发。这些控制器非常适合在最短的开发周期内实现电容式按钮、滑块和接近感应解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥11.25
    • 10+

      ¥9.55
    • 30+

      ¥8.49
  • 有货
  • EZ - PDM BCR - PLUS是一款高度集成的预编程USB Type - C受电端口控制器,属于桶形连接器替代(BCR)系列产品。它能够支持具备或不具备USB数据功能的端口。其主要目标应用于使用传统桶形连接器(功率高达100W)或USB micro - B连接器供电的电子设备,如无人机、智能音箱、电动工具及其他可充电设备
    • 1+

      ¥11.91
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  • 有货
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      ¥12.09
    • 10+

      ¥11.78
    • 30+

      ¥11.58
  • 有货
  • 双独立LIN收发器,支持高达20kBaud传输速率。符合LIN规范1.3、2.0和2.1及SAE J2602标准。具有高ESD鲁棒性、低电磁辐射、高抗干扰能力、低功耗睡眠模式等功能。
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    • 1+

      ¥12.39
    • 10+

      ¥12.1
    • 30+

      ¥11.9
  • 有货
  • 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥13.02
    • 10+

      ¥12.69
    • 50+

      ¥12.48
  • 有货
  • IR3823是一款3A易用、高度集成且高效的同步降压调节器,专为负载点(POL)应用设计。它支持1.0V至21V的宽输入电压范围,输出电压范围为0.6V至0.86倍输入电压。该芯片具有可编程开关频率(300kHz至1.5MHz)、三种可选软启动时间选项以及平滑的外部时钟同步功能。其他重要功能包括热补偿过流保护、输出过压保护和热关断等。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.38
    • 10+

      ¥13.08
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      ¥12.88
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      ¥13.08
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      ¥12.87
  • 有货
  • TLT9255WLC 是一款高速 CAN 收发器,支持部分网络功能。它符合 ISO 11898-2 (2016) 标准,数据速率高达 5 Mbps,具有多种低功耗模式和唤醒功能。
    • 1+

      ¥13.74
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      ¥13.4
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      ¥13.17
  • 有货
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    • 10+

      ¥14.4
    • 30+

      ¥14.19
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  • 高频、薄型DC - DC转换器;用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器;TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC,它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装,该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd,且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时,该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比,可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能(带热关断的OTP)、逐周期过流保护(OCP)、控制MOSFET短路检测(HSS - 高端短路检测)、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应,允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化,同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器,该驱动器经过优化,可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法(如DCR感测和Rdson感测)的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感,需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面,Rdson电流感测不依赖于电感器,但MOSFET的rdson存在温度系数。此外,很难对高端MOSFET实施rdson电流感测,因此用模拟电流代替,而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测,消除了所有这些局限性,同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像,该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分,因此具有固有的温度补偿,无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。
    • 1+

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      ¥14.57
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      ¥14.32
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