反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TNY177PG 编号：C568020

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TinySwitch™-LT集成了一个650 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选）和热关断电路。该IC系列采用开/关控制方案，提供了一种设计灵活的解决方案，具有较低的系统成本和扩展的功率能力。

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型号：BM1P061FJ-E2 编号：C3093713

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：NCP4307WASNT1G 编号：C5209129

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP4307是一款高性能驱动器，专为控制开关模式电源中的同步整流MOSFET而设计。凭借其高性能驱动器和多功能性，它可用于各种拓扑结构，如DCM或CCM反激、准谐振反激和正激。内部最小关断时间和导通时间消隐期有助于抑制由PCB布局和其他寄生元件引起的振铃。自同步功能确保了SR系统可靠且无噪声运行。NCP4307还采用驱动器与MOSFET的开尔文连接，以在满载时实现高效运行，并采用轻载检测架构，以在轻载时实现高效率。精确的关断阈值、极短的关断延迟时间和高灌电流能力使同步整流MOSFET的导通时间达到最长，从而实现开关模式电源的最高效率。自供电能力使NCP4307可用于高端配置和/或无辅助绕组或其他电源的低输出电压开关模式电源。

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型号：UC3842BDR2G 编号：C108535

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠电压锁闭且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：NCP12400CBBAB0DR2G 编号：C904413

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：NCV1362AADR2G 编号：C3093913

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高度集成的初级侧准谐振反激式控制器，能够控制坚固且高性能的离线电源。借助一种新方法，该控制器节省了用于恒压和恒流调节的次级反馈电路，无需传统的光耦合器和TL431电压基准即可实现出色的线路和负载调节。在高负载下，该控制器以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行，以提供高效率。当次级侧的功率开始减小时，控制器会自动调整占空比，然后在低负载下，控制器以固定峰值电流进入脉冲频率调制，并进行谷底开关检测。这种技术允许在微小假负载下保持输出调节。前4个谷底的谷底锁定可防止谷底跳跃操作，然后在低负载下进行谷底开关可提供高效率。

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型号：UCC24636DBVR 编号：C2868874

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC24636 具有超低待机电流的同步整流控制器 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：NCP4305DMTTWG 编号：C603717

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4305 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4305 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：UCC28704DBVR-1 编号：C2864380

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC28704 具有一次侧稳压功能的恒压恒流 PWM 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：NCP1055ST136T3G 编号：C894948

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

是单片高压调节器，可使终端产品设备符合低待机功耗要求。该器件系列集成了所需的转换器功能，为办公自动化、消费和工业产品提供了简单经济的电源系统解决方案。这些器件设计为直接从整流交流线路电源工作。在反激式转换器应用中，当固定交流输入为100V、115V或230V时，它们能够提供6.0W至40W的输出功率；当可变交流输入范围为85V至265V时，能够提供3.0W至20W的输出功率。

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型号：TOP253PN 编号：C568133

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

特性：多模式操作，可在所有负载下实现最高效率。新型eSIP-7F和eSIP-7C封装。低热阻结壳：每瓦2℃。低高度，适用于空间有限的适配器。采用夹子简单安装，有助于低成本制造。卧式eSIP-7F封装，适用于超低高度适配器和显示器应用

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型号：LNK6763E 编号：C567950

封装：SIP-6

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

特性：多模式控制，在全负载范围内实现最高效率。 230VAC时空载功耗低于30mW（LNK67x）。 230VAC输入1W时效率>75%。 230VAC输入0.1W时效率>50%。应用：LCD显示器和电视适配器。家电

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型号：INN3368C-H302-TL 编号：C567573

封装：InSOP-24D-9.4mm

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

InnoSwitch™3-Pro系列IC极大地简化了完全可编程、高效电源的开发和制造，尤其适用于紧凑型外壳的电源。通用I2C接口可实现输出电压和电流的动态控制，以及许多可配置功能。遥测功能可报告编程功能和故障模式。InnoSwitch3-Pro器件非常适合需要精细（10 mV、50 mA）输出电压和电流调节的AC/DC电源应用。典型应用包括带有I²C端口的系统微处理器或专用微控制器，用于配置、控制和监控电源子系统的运行。uVCC引脚为独立应用（如USB PD适配器和充电器）中的微处理器提供偏置电源。

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型号：NCP1342DADBDGD1R2G 编号：C5208454

封装：SOP-10

品牌：onsemi(安森美)

NCP1342 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1342 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。NCP1342 具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1342 进入静音跳过模式来管理功率传递，同时最大程度减小噪音。为了确保高频率设计的轻负载性能，NCP1342 结合了最低峰值电流调制 (MPCM) 以快速降低开关频率。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1342 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除交流线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：UCC28C54DR 编号：C20346035

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiCMOSFET。是UCCx8C4x的更高效、更稳健的版本。除持续支持SiMOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiCMOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiCMOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。

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型号：NCP1342ENDCEAD1R2G 编号：C2902219

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1342 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1342 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。NCP1342 具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1342 进入静音跳过模式来管理功率传递，同时最大程度减小噪音。为了确保高频率设计的轻负载性能，NCP1342 结合了最低峰值电流调制 (MPCM) 以快速降低开关频率。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1342 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除交流线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：NCP1219BD65R2G 编号：C904388

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1219 是成功的 7 引脚电流模式 NCP12XX 系列的新一代引脚-引脚兼容新产品。该控制器通过使用可调节的跳过模式和集成式高电压启动 FET，实现了出色的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿、基于计时器的故障检测和锁存输入使得此控制器成为耐用性和部件成本为关键限制因素的转换器的绝佳备选。动态自供电 (DSS) 大大简化了变压器的设计，无需使用辅助绕组为 NCP1219 供电。此功能对于输出电压在运行期间会发生变化的应用尤其有用（如电池充电器）。由于其高电压技术，该集成电路直接联接高电压直流轨。

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型号：TNY177PN 编号：C568019

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TinySwitch™-LT集成了一个650 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选）和热关断电路。该IC系列采用开/关控制方案，提供了一种设计灵活的解决方案，具有较低的系统成本和扩展的功率能力。

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型号：SRK1004CTR 编号：C22413892

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：L6566BH 编号：C2971649

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6566BH是一款功能极为多样的电流模式初级控制器IC，专为采用经整流的三相输入线路供电的高性能离线反激式转换器而设计。它还适用于必须符合EN61000 - 3 - 2或JEITA - MITI法规的单级、单开关、输入电流整形转换器（单级PFC）应用。该器件支持固定频率（FF）和准谐振（QR）两种工作模式，用户可根据应用需求任选其一

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型号：DK5V120R15ST1 编号：C557587

封装：TO-220F-3

品牌：DK(东科半导体)

DK5V120R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。芯片内部集成了120V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。采用TO-220F封装。

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型号：NCP1343AMDCDBD1R2G 编号：C2902220

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1343是一款高度集成的准谐振反激式控制器，适用于设计高性能离线式电源转换器。NCP1343具备专利的谷底锁定电路，可确保稳定的谷底开关。该系统可工作至第6个谷底，并转换至频率折返模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1343进入静音跳跃模式，在输送功率的同时将声学噪声降至最低。此外，NCP1343集成了功率偏移模式（PEM），可在需要高瞬态负载能力的设计中减小变压器尺寸。如果不需要瞬态负载能力，NCP1342可提供相同的性能和特性，但不具备PEM。为确保高频设计在轻载时的性能，NCP1343采用了带最小峰值电流调制的快速频率折返技术，可快速降低开关频率。为确保转换器的耐用性，NCP1343具备多项关键保护特性，如内部欠压检测、无论输入电压如何都能实现恒定最大输出功率的无损耗过功率保护（OPP），以及通过专用引脚实现的锁存过压和支持NTC的过温保护。NCP1343采用电流模式架构实现准谐振反激式转换器，其中关断事件由峰值电流决定。在对元件数量少和成本效益要求较高的应用中，这款IC是理想之选，尤其适用于交直流适配器、开放式电源等。NCP1343集成了现代电源设计通常所需的所有必要组件，并进行了多项改进，如无损耗过功率保护（OPP）、欠压保护和频率降低管理，可在整个功率范围内实现优化效率。

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型号：ICE5QSBG 编号：C535828

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

准谐振控制器 ICE5QSBG 是第五代准谐振控制器，专为共源共栅配置的离线式开关电源优化设计。其采用专有的新型准谐振操作，改进了数字频率降低技术，通过减小高低输入电压下的开关频率差异，在宽交流输入范围内实现了更低的 EMI 和更高的效率。增强型有源突发模式可灵活选择待机功率范围。该产品的 IC 电源具有较宽的工作范围（10~25.5 V），且功耗更低。它具备众多保护功能，包括强大的线路保护（输入过压保护和欠压保护），可在故障情况下为电源系统提供保护。所有这些特性使 ICE5QSBG 成为市场上准谐振反激式转换器的杰出控制器。

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型号：NCP1072STAT3G 编号：C603454

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCP107x系列产品将固定频率电流模式控制器与700 V MOSFET集成在一起。该系列产品采用PDIP−7或SOT−223封装，具备高度集成性，功能包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP107x本质上工作安静：在标称负载运行期间，该器件以可选频率（65、100或130 kHz）之一进行开关操作。当输出功率需求降低时，IC自动进入频率折返模式，在轻载条件下实现出色的效率。当功率需求进一步降低时，它进入跳周期模式，将待机功耗降至空载状态。保护功能包括：用于检测过载或短路事件的定时器、具备自动恢复功能的过压保护以及交流输入线电压检测。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将输入功耗降至50 mW以下。

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型号：TOP266VG 编号：C74401

封装：DIP-12

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TOPSwitch-JX以高性价比的方式将725 V功率MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制、振荡器、热关断电路、故障保护及其他控制电路集成到单芯片器件中。

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型号：DK8075 编号：C53183690

封装：PDFN-8(8x8)

品牌：DK(东科半导体)

合封氮化镓

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型号：IR1161LTRPBF 编号：C537531

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：NCP1342AMAACD1R2G 编号：C904438

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1342 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1342 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。NCP1342 具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1342 进入静音跳过模式来管理功率传递，同时最大程度减小噪音。为了确保高频率设计的轻负载性能，NCP1342 结合了最低峰值电流调制 (MPCM) 以快速降低开关频率。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1342 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除交流线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：TOP242GN-TL 编号：C568098

封装：SMD-8P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TOPSwitch-GX采用了与TOPSwitch相同且经过验证的拓扑结构，以高性价比的方式将高压功率MOSFET、PWM控制、故障保护及其他控制电路集成到单个CMOS芯片上。集成了许多新功能，以降低系统成本并提高设计灵活性、性能和能源效率。根据封装类型，在TOPSwitch标准的漏极、源极和控制端子基础上，增加1个或3个引脚可实现以下功能：线路检测（过压/欠压、线路前馈以降低最大占空比）、精确的外部设定电流限制、远程开/关、与外部低频信号同步以及频率选择（132 kHz/66 kHz）。所有封装类型均具备以下特性：软启动、132 kHz开关频率（轻载时自动降低）、用于降低电磁干扰的频率抖动、更宽的最大占空比、迟滞热关断以及更大爬电距离的封装。此外，所有关键参数（即电流限制、频率、PWM增益）在温度和绝对值方面的公差更小，从而简化设计并优化系统成本。

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型号：VIPER115XSTR 编号：C2971011

封装：SOP-10

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款高压转换器，巧妙地将一个具备 800 V 雪崩耐量的功率 MOSFET 与 PWM 电流模式控制集成在一起。击穿电压为 800 V 的功率 MOSFET 可拓宽输入电压范围，并减小漏极缓冲电路的尺寸。这款 IC 功耗极低，且在轻载条件下以脉冲频率调制方式工作，能够满足最严格的节能标准

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