反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-6

SY5040是一款峰值电流模式的固态继电器（SSR）反激式控制器，它将连续导通模式（CCM）和准谐振（QR）模式相结合，以减小变压器尺寸并实现高效率。在低输入电压和重载条件下，SY5040工作在CCM模式；而在高输入电压或中载条件下，它工作在QR模式（谷底开关）。当负载减小时，SY5040采用频率折返控制以实现高平均效率

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型号：UCC287503DBVR 编号：C33189110

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

是一款高度集成且具有连续导通能力的电流模式PWM控制器，针对使用光耦合器的高性能、低待机功耗和具有成本效益的离线反激式转换器应用进行了优化。在轻负载条件下，该器件会进入频率折返和突发模式，从而提高轻负载效率。使用的突发模式算法控制最低有效开关频率，以防在轻负载条件下出现可闻噪声。频率抖动可提高EMI性能，并在正常、频率折返和功率提升运行中有效

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型号：UCC287507DBVR 编号：C31298072

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC28750是一款高度集成且具有连续导通能力的电流模式PWM控制器，针对使用光耦合器的高性能、低待机功耗和具有成本效益的离线反激式转换器应用进行了优化。在轻负载条件下，该器件会进入频率折返和突发模式，从而提高轻负载效率。UCC28750中使用的突发模式算法控制最低有效开关频率，以防在轻负载条件下出现可闻噪声。频率抖动可提高EMI性能，并在正常、频率折返和功率提升运行中有效。

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型号：GP1210QTGT 编号：C19626931

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

GP1210Q/GP1215Q/GP1224Q是一款高度集成的隔离型适配器和充电器的PSR内置MOSFET控制芯片。工作在QR导通模式，具有效率高、EMI特性好等优点。其待机功耗低于70mW，可以轻松满足欧洲能源之星6级能效标准。

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型号：OB2362DMP 编号：C138830

封装：SOT-23-6

品牌：OB(昂宝)

OB2362D是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，针对高性能、低待机功耗和高性价比的离线反激式转换器应用进行了优化。在满载时，该IC以固定频率（65KHz）模式运行。当负载降低时，它以具备谷底开关的绿色模式运行，以实现高功率转换效率

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型号：ICW118A 编号：C5448694

封装：SOP-6

品牌：ICW(艾创微)

5W/0.25WPWM控制内置700V功率三极管AC/DC转换器

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型号：OB2001ZCPA 编号：C138809

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2001x 是一款高性能、高度集成的开关电源系统次级侧同步整流器。它集成了一个压降低得多的 N 沟道 MOSFET，用于在反激式转换器的次级侧模拟传统二极管整流器，可减少散热，提高输出电流能力和效率，并简化散热设计。OB2001x 在恒流模式下可支持低至 2V 的系统输出电压

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型号：GP8682H 编号：C49420393

封装：SOP-8

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款可应用于充电器和适配器的AC/DC功率控制开关。采用原边反馈和控制，无需光耦和TL431即可实现4%的恒压恒流精度。在恒流工作中采用PFM控制，在恒压工作中采用PFM/PWM多种模式复合控制。集成了输出线缆补偿功能，有利于减小开关损耗并简化系统EMI设计，优化输出特性。提供软启动，音频噪音消除技术以及多种保护功能，诸如自动重启，逐周期电流限制，VCC过压欠压保护，管脚开路短路保护，驱动钳位保护等。

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型号：GR1230TCG 编号：C436798

封装：SOT-26

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR1230T是一款用于反激式转换器的高性能多模式（准谐振/临界导通模式）PWM控制器。它最大限度地减少了元件数量，采用超小型SOT - 26封装。这些特性使其成为低成本应用的理想设计方案

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型号：GR1230RACG 编号：C436796

封装：SOT-26

品牌：Grenergy(南京绿芯)

特性：低启动电流(<2uA)。多模式操作：重载和低线电压时为CCM，中载时类似QR操作，轻载时采用带有谷底跳跃的绿色模式，无负载时为突发模式。精确的过流保护。 QRD引脚上的可调过压保护。输出短路保护。软驱动。 8ms软启动。 VCC引脚上的过压保护(OVP)。片上OTP保护。 SOT-26封装，所需外部组件少

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型号：DK5V45R25S 编号：C2979255

封装：SM-7

品牌：DK(东科半导体)

同步整流 DK5V45R25S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了45V功率NMOS管，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。

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型号：VPC2844 编号：C7470589

封装：SOP-8

品牌：VPSC(源特科技)

VPC2844是高性能的电流模式通用PWM控制器,适用于各种开关稳压器应用。它采用先进的BCD半导体工艺设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。

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型号：UC3842BP 编号：C7509609

封装：SOP-8

品牌：UTC(友顺)

UC3842BP是一款高性能固定频率电流模式控制器,专为离线和DC到DC转换应用设计,具有最小的外部元件数量。其主要特点包括高达500kHz的开关频率、自动前馈补偿、逐周期电流限制、高电流图腾柱输出、内部调整参考电压和欠压锁定等。

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型号：DK106 编号：C98446

封装：DIP-8

品牌：icman(晶尊微)

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型号：SY50211WAZC 编号：C41411723

封装：SOT-335

品牌：Silergy(矽力杰)

SY50211W是一款单级反激式调节器，适用于恒流/恒压（CC/CV）应用。它在紧凑的SOT335封装中集成了一个800V双极NPN晶体管，以减小尺寸。输出电流和电压均在初级侧进行检测，无需光隔离器和次级侧反馈电路，从而降低了整个系统的成本

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型号：TL3842P-TUDI 编号：C42372700

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：DK5V60R20S 编号：C2979261

封装：SM-7

品牌：DK(东科半导体)

DK5V60R20S是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管的PN管脚。芯片内部集成了60V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V60R20S采用SM-7封装（兼容TO-277封装)。DK5V60R20S是一款简单高效的同步整流芯片，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。

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型号：TL2844BDR-8-TUDI 编号：C42372735

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：SDH8323 编号：C165119

封装：DIP-7

品牌：SILAN(士兰微)

非隔离电源芯片，12V，15V，18V 输出电压三档可调

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型号：ME8325AD7G-N 编号：C2927390

封装：DIP-7

品牌：MICRONE(南京微盟)

原边反馈恒压恒流控制器 ME8325-N是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率AC/DC电源控制芯片。内部集成了650V/2A的高压功率MOS管，最大功率15W，用于充电器，适配器和LED驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于60mW的待机功耗。

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型号：UCC287504DBVR 编号：C36895608

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

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型号：GR9210RKJG 编号：C436839

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR9210RK集成了高性能的初级侧反馈PWM控制器和650V的高压功率MOSFET。它最大限度地减少了元件数量，并且采用小型SOP 8/DIP 8封装。这些特性使其成为低成本应用的理想设计选择

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型号：TL3843BP-TUDI 编号：C42372701

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：TL3845BP-TUDI 编号：C42372705

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：DK5V85R15SC1 编号：C3010402

封装：TO-220

品牌：DK(东科半导体)

DK5V85R15SC1是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V85R15SC1采用TO-220封装。

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￥2.5429 ￥4.31
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型号：LNK604DG-TL 编号：C567839

封装：SOIC-7

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitchTM-II 系列产品通过省去光耦合器和次级控制电路，极大地简化了低功率恒压/恒流（CV/CC）充电器的设计。该器件采用了一种创新的控制技术，可实现极为精确的输出电压和电流调节，能补偿变压器和内部参数容差以及输入电压的变化。该器件在单片集成电路上集成了一个 700V 功率 MOSFET、一个新型的开/关控制状态机、一个用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和迟滞热关断电路

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￥1.0528 ￥1.88

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型号：TL2842BP-TUDI 编号：C42372693

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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￥2.63
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型号：TL2845P-TUDI 编号：C42372698

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：TL2843BP-TUDI 编号：C42372695

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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型号：TL3842BP-TUDI 编号：C42372699

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部集成的电路包括欠压锁定（UVLO）和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制功能的脉宽调制（PWM）比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级

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