反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TNY275GN-TL 编号：C139132

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选）和热关断电路。该IC系列采用开/关控制方案，提供了一种设计灵活的解决方案，具有较低的系统成本和扩展的功率能力。

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型号：AP3981BS7-13 编号：C5244509

封装：SOIC-7

品牌：DIODES(美台)

是一款高性能电源开关，集成了初级侧调节控制器和N沟道功率MOSFET。可用于电池充电器和适配器应用，无需光耦合器和次级控制电路即可实现精确的恒压（CV）和恒流（CC）。工作在脉冲频率调制（PFM）模式和峰值电流幅度调制（AM）模式，在整个功率范围内形成微调频率曲线，可实现高平均效率并改善可听噪声。提供全面保护，无需额外电路，包含Vcc过压保护、输出过压保护、输出欠压保护、输出短路保护、逐周期电流限制、开环保护和内部OTP等。采用SO-7封装。

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型号：DK5V85R15 编号：C557563

封装：SM-7

品牌：DK(东科半导体)

DK5V85R15是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V85R15是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。

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型号：DK5V85R15ST1 编号：C557586

封装：TO-220F-3

品牌：DK(东科半导体)

DK5V85R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。芯片内部集成了85V功率NMOS管，采用TO-220F封装。

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型号：PN8161SE-M1 编号：C3024766

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

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型号：UC2842BDR2G 编号：C604829

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了一种经济高效的方案，并最大限度减少了外部部件。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，此外还包含以下保护功能：都具有迟滞的输入和参考欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的较低电压应用。

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型号：UCC28600TDRQ1 编号：C2869559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

汽车类 8 引脚准谐振反激式绿色模式控制器 8-SOIC -40 to 105

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型号：TEA2093TS/1Z 编号：C5191711

封装：SOT-457-1

品牌：NXP(恩智浦)

TEA2093TS是用于开关模式电源的新一代同步整流器（SR）控制器IC系列的一员。它包含自适应栅极驱动器，可在任何负载下实现最高效率。TEA2093TS是一款专用控制器IC，用于非对称半桥反激式和标准反激式转换器次级侧的同步整流。它集成了用于驱动SR MOSFET的检测级和驱动级，该MOSFET对次级变压器绕组的输出进行整流。TEA2093TS可为低输出电压的电池充电应用或高端整流应用自行生成电源电压。TEA2093TS采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造。

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型号：UC3844DTR 编号：C702407

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UC3844 电流模式 PWM 控制器

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型号：LNK302GN-TL 编号：C394184

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch-TN 专为在输出电流低于 360 mA 的范围内，以相同的系统成本取代所有线性和电容降压式（电容分压器）非隔离电源而设计，同时具备更高的性能和能效。LinkSwitch-TN 器件将 700 V 功率 MOSFET、振荡器、简单的开/关控制方案、高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和热关断电路集成到单块集成电路中。启动和工作电源直接从漏极引脚的电压获取，从而无需在降压或反激式转换器中使用偏置电源及相关电路

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型号：NCP43080DMTTWG 编号：C603729

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP43080 是一款用于开关模式电源的同步整流器控制器。该控制器可实现反激、准谐振反激和 LLC 拓扑结构的高能效设计。外部可调节最短开关时间间隔时段提供了驱动各种 MOSFET 封装类型和 PCB 布局的灵活性。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4308 还利用驱动器到 MOSFET 的开尔文联接实现了满载下的高能效运行。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间。该高准确性驱动器和 5V 门极箝位使其非常适用于直接驱动 GaN 器件。为了提供 PCB 布局方面的更大灵活性，此产品有两种版本。NCP4308 没有 LLD 功能，NCP43080 有 LLD 功能

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型号：UC2842ADTR 编号：C2658356

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

该系列器件提供了控制电流模式或开关模式电源的必要特性，具有许多改进的特性：启动电流低于 0.5mA，振荡器放电电流调整为 8.3mA，并且在 UVLO 期间，输出级在低于 1.2V 的电压下可灌入至少 10mA 电流（VCC 高于 5V）。

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型号：UCC38C40DR 编号：C7124

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC38C40 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器

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型号：NCP1236BD100R2G 编号：C606144

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1236 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电 (DSS) 功能。此器件与之前的 NCP12xx 系列可实现引脚兼容。DSS 功能可激活内部启动电流源使其在瞬变期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。凭借内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入，此控制器非常适合那些将部件成本作为关键限制因素的转换器。另外，该控制器还包括一个新型高电压电路，组合了启动电流源和欠电压检测器，能够感应来自整流交流线路或直流滤波大电压的输入电压。该高电压感应电路还用于过功率保护目的。过功率保护、超载保护和其他保护功能提高了最终应用的安全性和可靠性。

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型号：NCP12400CBAAB0DR2G 编号：C904412

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：TPS40210DRCR 编号：C165161

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS40210是一款宽输入电压范围（4.5 V至52 V）的非同步升压控制器,适用于需要接地源N通道MOSFET的应用,如升压、反激、SEPIC和各种LED驱动器。该器件具有可编程软启动、过流保护、自动重试和可编程振荡器频率等功能。

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型号：DK5V120R15SL 编号：C3010417

封装：TO-252

品牌：DK(东科半导体)

DK5V120R15SL是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。

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型号：UC3844D8TR 编号：C2657919

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：JW1565JVDFNF#TR 编号：C23091036

封装：VDFN-8L(6x8)

品牌：Joulwatt(杰华特)

是一款集成氮化镓（GaN）的隔离式离线反激式PWM转换器，具有准谐振（QR）操作功能。QR控制通过减少开关损耗来提高效率，并通过自然频率变化改善EMI性能。采用内部最大频率限制，以克服QR反激式的固有缺点。包含一个用于启动的高压引脚，可消除传统的启动电阻并节省待机模式下的能耗，能够符合最严格的效率法规。此外，当移除交流输入时，高压引脚用于X电容放电，有助于减少X电容放电损耗并实现极低的待机功耗。采用6mm*8mm VDFN封装。高度集成的特性为隔离式电源传输提供了易于使用、元件数量少且高效的应用解决方案。

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型号：TL2842BDR 编号：C485085

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

TL2842B 具有 16V/10V UVLO 和 100% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、0.2A 高性能 500KHz 电流模式 PWM

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型号：UC2842BN 编号：C1530209

封装：MiniDIP-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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