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UCC2897A 高级电流模式有源钳位 PWM 控制器

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型号：NCP12700ADNR2G 编号：C894964

封装：MSOP-10

NCP12700 是一款固定频率、峰值电流模式 PWM 控制器，具有实施单端功率转换器拓扑结构所需的所有功能。该器件具有高电压启动特性，能够在很宽的输入范围内运行 (9 – 120/200 V MSOP10/WQFN10) 并提供至少 20 mA 电源，在启动期间为 VCC 提供临时偏置。该控制器提供可调节软启动、输入电压 UVLO 保护以及可调节的过功率保护电路，会在输入电压提高时限制电路的总功率能力，简化系统散热设计。UVLO 还具有一个关断比较器，允许外部型号禁用开关，将控制器带入低静止状态。

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型号：UCC28C40QDRQ1 编号：C2864613

封装：SOIC-8

汽车用 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器 8-SOIC -40 to 125

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型号：HFC0300HS-LF-Z 编号：C3094006

封装：SOIC-7

HFC0300是一款可变关断时间控制器，采用固定峰值电流技术，在负载减轻时降低其工作频率。因此，它在轻载时具有出色的效率，同时能优化其他负载条件下的效率。当频率降至阈值时，峰值电流会随着负载的减小而降低，以防止变压器产生机械共振。当输出功率低于给定水平时，控制器进入突发模式。HFC0300具备多种保护功能，如热关断、VCC欠压锁定、过载保护、短路保护和过压保护。HFC0300采用SOIC - 7封装。

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型号：UC3843N 编号：C1530280

封装：PDIP-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：TPS40211DGQ 编号：C1530179

封装：MSOP-10-EP

TPS40211 具有 260mV 基准电压的 4.5V 至 52V 宽输入范围电流模式升压控制器

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型号：UC2843D 编号：C2878625

封装：SOIC-14

电流模式 PWM 控制器 14-SOIC -40 to 85

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型号：MP174GS-Z 编号：C17294671

封装：SOIC-8

MP174是一款初级侧调节器，无需光耦合器即可提供精确的恒压（CV）调节。它支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它集成了一个700V MOSFET，以简化结构并降低成本。这些特性使其成为离线低功率应用（如家用电器和待机电源）的理想调节器。MP174是一款绿色模式运行的调节器。随着负载的减小，峰值电流和开关频率都会降低。这一特性在轻载时提供了出色的效率，并提高了整体平均效率。MP174具备多种保护功能，包括热关断（OTP）、VCC欠压锁定（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP174采用小型TSOT23 - 5封装和SOIC8封装。

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型号：NCP1341B5D1R2G 编号：C2902097

封装：SOIC-9-150mil

NCP1341 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1341 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1341 进入静音跳过模式来管理功率传递。NCP1341 集成了功率偏移模式 (PEM)，可最大程度减小需要高瞬变负载功能设计中的变压器尺寸。如果不要求瞬变负载功能，NCP1340 则与不带 PEM 时的性能和功能相同。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1341 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：DK075G 编号：C20616199

封装：DFN-7(8x8)

品牌：DK(东科半导体)

DK075G是一款电流模式控制的准谐振反激AC-DC电源管理功率开关芯片。内部集成了700V/160mΩ GaN HEMT，控制电路和驱动电路，可极大减少外围电路元器件的数量，有效地降低整体成本。DK075G采用不连续电流导通模式（DCM）工作，当磁芯能量完全释放完毕，变压器的初级电感和GaN HEMT结电容谐振到最低值时，初级功率管导通，从而改善功率管开通损耗，提高整个功率范围的效率。

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型号：NCP4308DDR2G 编号：C603730

封装：SOIC-8

NCP4308 是一款用于开关模式电源的同步整流器控制器。该控制器可实现反激、准谐振反激和 LLC 拓扑结构的高能效设计。外部可调节最短开关时间间隔时段提供了驱动各种 MOSFET 封装类型和 PCB 布局的灵活性。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4308 还利用驱动器到 MOSFET 的开尔文联接实现了满载下的高能效运行。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间。该高准确性驱动器和 5V 门极箝位使其非常适用于直接驱动 GaN 器件。为了提供 PCB 布局方面的更大灵活性，此产品有两种版本。NCP4308 没有 LLD 功能，NCP43080 有 LLD 功能

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型号：VIPER22AS-E 编号：C2760766

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

低功耗离线SMPS主切换器

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型号：UCC3813DTR-4 编号：C2868174

封装：SOIC-8

低功耗经济型 BiCMOS 电流模式 PWM 8-SOIC 0 to 70

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型号：UCC2813QDR-5Q1 编号：C702425

封装：SOIC-8

UCC2813-5-Q1 汽车类低功率 BiCMOS 电流模式 PWM

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型号：UCC28782CDRTWR 编号：C5219050

封装：WQFN-24(4x4)

是一款适用于USB Type-C PD应用的高密度有源钳位反激式(ACF)控制器，通过在整个负载范围内恢复漏感能量和自适应ZVS跟踪，可实现超过93%的效率。凭借1.5MHz的最大频率，可更大程度减少磁性元件。频率抖动有助于提高EMI裕度。还集成了动态偏置电源管理，用于优化Si或GaN MOSFET的栅极驱动。自适应突发模式(ABM)与低功耗模式(LPM)和待机功耗模式(SBP)相结合，可提高轻载效率，同时降低纹波和可闻噪声。还集成了X电容器放电功能，可在断电时对残余输入电压进行放电。具有多种保护模式和选项，可根据应用需求实现重试或闭锁响应。

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型号：UC3842N 编号：C1530277

封装：PDIP-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：MP174AGJ-Z 编号：C5180129

封装：TSOT-23-5

MP174A是一款初级侧调节器，无需光耦合器即可实现精确的恒压（CV）调节。它支持降压、升降压、升压和反激式拓扑结构。该器件集成了一个700V MOSFET，可简化电路结构并降低成本

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型号：FSGM0565RBWDTU 编号：C898083

封装：TO-220-6

FSGM0565RB是一款集成了脉冲宽度调制（PWM）控制器和检测场效应管（SENSEFET）的器件，专为离线式开关模式电源（SMPS）设计，所需外部元件极少。PWM控制器集成了固定频率振荡器、欠压锁定（UVLO）、前沿消隐（LEB）、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精确电流源以及自保护电路。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSGM系列可降低总成本、减少元件数量、缩小尺寸和减轻重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。该器件为反激式转换器的低成本设计提供了基础平台。

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型号：UCC28C54QDRQ1 编号：C20346036

封装：SOIC-8

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。

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型号：UCC38C42DGKR 编号：C544755

封装：VSSOP-8-0.65mm

UCC38C42 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器

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型号：UCC2813QPWR-3Q1 编号：C2658570

封装：TSSOP-8

UCC2813-x-Q1系列高速、低功耗集成电路包含离线式和直流到直流固定频率电流模式开关电源所需的所有控制和驱动组件，且所需元件数量最少。这些器件与UC284x系列器件引脚配置相同，还具备内部全周期软启动和电流检测输入内部前沿消隐等附加特性。UCC2813-x-Q1系列提供多种封装选项、最大占空比选择以及关键电压电平选择。像UCC2813-3-Q1和UCC2813-5-Q1这类参考电压较低的器件最适合用于电池供电系统，而UCC2813-2-Q1和UCC2813-4-Q1器件较高的参考电压和较高的欠压锁定（UVLO）迟滞使其成为离线式电源的理想选择。UCC2813-x-Q1系列器件的工作温度范围为-40℃至125℃。

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型号：XDPL8221 编号：C540471

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是高度集成的下一代设备，结合了多模式（QRM和DCM）PFC和多模式（QRM、DCM和ABM）FB，并具有初级侧调节功能。将PFC和FB集成到单个控制器中，可减少外部部件，并通过两个阶段的协调运行优化性能。两阶段方法将PFC职责与输出电流调节功能分开，确保输出电流的低变化（闪烁）达到不可见水平，并实现低THD、高功率因数和更强的抗交流线路干扰能力。PFC采用恒定导通时间方案和THD改善算法，可在30%额定负载下提供高功率因数和出色性能

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￥17.0612 ￥25.09
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￥14.5522 ￥25.09
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￥12.0432 ￥25.09

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型号：UCC3805DTR 编号：C2657975

封装：SOIC-8

UCC280x系列高速、低功耗集成电路包含离线和DC - DC固定频率电流模式开关电源所需的所有控制和驱动组件，且所需元件数量最少。这些器件与UCx84x系列具有相同的引脚配置，还具备内部全周期软启动和电流检测输入内部前沿消隐等附加功能。UCC280x系列提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择以及关键电压电平选择。像UCC2803和UCC2805这类参考电压较低的器件最适合用于电池供电系统，而UCC2802和UCC2804的参考电压较高且欠压锁定（UVLO）迟滞较大，使其成为离线电源的理想选择。UCC280x系列规定的工作温度范围为 - 40℃至125℃。

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型号：LT8301IS5#WTRMPBF 编号：C1881041

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

LT8301是一款微功耗隔离式反激式转换器。该器件通过直接从初级侧反激波形中采样隔离输出电压，无需使用第三绕组或光隔离器进行稳压。输出电压可通过单个外部电阻进行编程设置

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型号：TOP254YN 编号：C568145

封装：TO-220

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

特性：多模式操作，可在所有负载下实现最高效率。新型eSIP-7F和eSIP-7C封装。低热阻结壳：每瓦2℃。低高度，适用于空间有限的适配器。采用夹子简单安装，有助于低成本制造。卧式eSIP-7F封装，适用于超低高度适配器和显示器应用

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型号：ICE5QR2270AZ 编号：C535822

封装：DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

准谐振CoolSET™（ICE5QRxxxxAx）是第五代准谐振集成功率IC，针对共源共栅配置的离线式开关电源进行了优化。它采用单封装形式，包含两颗独立芯片；一颗是控制芯片，另一颗是高压MOSFET芯片。通过专有的新型准谐振操作，该IC可实现更低的电磁干扰（EMI）和更高的效率，并改善数字频率降低效果

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￥19.8628 ￥29.21
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￥14.5812 ￥25.14
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￥10.9056 ￥22.72
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￥9.7344 ￥20.28
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￥8.9472 ￥18.64

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型号：HF500GP-30 编号：C3094728

封装：PDIP-8-7B

HF500 - 30是一款内置斜率补偿的固定频率电流模式稳压器。HF500 - 30将一个700V MOSFET和一个功能齐全的控制器集成到单芯片中，适用于低功率离线反激式开关电源。在中、重载情况下，该稳压器以带有频率抖动的固定频率工作

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￥20.0716
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￥18.0235
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型号：NCP1203P60G 编号：C56091

封装：PDIP-8