反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

TL2842B 具有 16V/10V UVLO 和 100% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、0.2A 高性能 500KHz 电流模式 PWM

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型号：DP3367C 编号：C2967755

封装：SOP-8

品牌：德普微电子

DP3367C是一款恒压离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置4.5A/650V的高压功率MOS管。具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。适用于输入电压AC85V-264V的输出功率为24W以内的离线式反激开关变换器，满足6级能效标准。

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型号：GR9210RLKAG 编号：C436841

封装：SOP-7

GR9210RL集成了高性能的初级侧反馈PWM控制器和650V高压功率MOSFET。它最大限度地减少了元件数量，提供DIP - 8、SOP - 7和SOP - 8等小型封装。这些特性使其成为低成本应用的理想之选

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型号：UCC28722DBVR 编号：C2863064

封装：SOT-23-6

反激电源控制器无需使用光耦合器即可提供单独输出的恒定电压(CV)和恒定电流(CC)输出稳压。此器件处理来自一次侧电源开关和辅助反激式绕组的信息，以对输出电压和电流进行精确控制。可动态控制工作状态并定制调制配置文件，支持在所有负载条件下高效运行，并且不会影响输出瞬态响应。所采用的控制算法使得工作效率符合甚至超过现行标准

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型号：NCP1341B4D1R2G 编号：C904437

封装：SOIC-9-150mil

NCP1341 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1341 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1341 进入静音跳过模式来管理功率传递。NCP1341 集成了功率偏移模式 (PEM)，可最大程度减小需要高瞬变负载功能设计中的变压器尺寸。如果不要求瞬变负载功能，NCP1340 则与不带 PEM 时的性能和功能相同。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1341 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：VPC28C43 编号：C7470598

封装：SOP-8

品牌：VPSC(源特科技)

VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器，采用先进的BCD 半导体工艺进行设计，具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路，正常情况下器件工作于19V 以下，功耗小而适应于更宽的温度范围；在辅助供电过高时，可阻止VDD 电压升高，避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择，而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ，VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。

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型号：JW15158DHSOPC#TR 编号：C23091034

封装：HSOP-7

品牌：Joulwatt(杰华特)

JW15158D是一款集成氮化镓（GaN）的隔离式离线反激转换器，具备准谐振（QR）工作特性。QR控制通过降低开关损耗提高效率，凭借自然频率变化改善电磁干扰（EMI）性能，并设有内部最大频率限制，以克服QR反激的固有缺点。JW15158D在不同输入和负载条件下结合脉冲宽度调制（PWM）和脉冲频率调制（PFM）控制，以实现最高平均效率，能够符合最严格的效率法规要求

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型号：TMG0365 编号：C5174552

封装：DIP-8

品牌：TM(天微)

TMG0365芯片是一款高集成度、高性能的PWM＋MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器

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型号：UC2843BDR2G 编号：C236262

封装：SOIC-14

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，还包括了保护功能，其中包含输入和参考欠压锁定且每个都带有迟滞、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 专门用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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型号：DK2649CC 编号：C3013892

封装：SOP-8

品牌：DK(东科半导体)

DK2649CC是一颗高性能、低功耗PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，适用于22W以内的电源方案。在PWM模式下芯片开关频率固定，这个频率是由芯片内部设定。在空载或轻载下，芯片工作在绿色模式，以此来减小开关损耗，提高整机的工作效率。

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型号：GR9230RLKAG 编号：C436846

封装：SOP-7

GR9230RL集成了一个高性能多模式（准谐振/连续导通模式）PWM控制器和一个650V的高压功率MOSFET。它最大限度地减少了元件数量，提供小型SOP - 7和DIP - 8封装。这些特性使其成为低成本应用的理想设计方案

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型号：OB2571TCPA 编号：C507641

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2571x是一款出色的初级侧调节控制器，具备恒流（CC）/恒压（CV）操作功能，适用于中等功率的AC/DC充电器和适配器应用。该器件集成了一个内部功率MOSFET，并工作在准谐振（QR）模式，以实现高效率，同时具备多种内置保护功能。它无需次级反馈电路，从而降低了总体物料成本

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型号：GR8875KAG 编号：C436830

封装：SOP-7

GR8875系列是一款高度集成的电流模式PWM控制器，具有低启动电流、绿色模式功能和高压启动电路，能针对故障情况提供过负载保护（OLP）、过压保护（OVP）和过流保护（OCP）等多种保护功能。高压电流源提供启动电流，可省去传统的启动电阻，以降低启动功耗。该控制器还具备电流检测前沿消隐、内部斜率补偿和逐周期峰值电流限制功能

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型号：OB2230TAP-H 编号：C7462453

封装：DIP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2230T是一款高性能离线PSR电源开关，适用于低功率AC/DC充电器和适配器应用。它采用初级侧感应和调节方式，因此可省去光耦合器和TL431。该器件集成了专利的恒压（CV）和恒流（CC）控制功能

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型号：GR9230RKKAG 编号：C436845

封装：SOP-7

GR9230RK集成了一个高性能多模式（准谐振/连续导通模式）PWM控制器和一个650V的高压功率MOSFET。它最大限度地减少了元件数量，有小型SOP - 7和DIP - 8封装可供选择。这些特点使其成为低成本应用的理想设计

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型号：NCP12400BBEBA0DR2G 编号：C904409

封装：SOIC-7

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：TMF0265 编号：C5174549

封装：DIP-8

品牌：TM(天微)

TMF0265芯片是一款高集成度、高性能的PWM＋MOSFET二合一的电流型离线式开关电源控制器。

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型号：NCP1234AD100R2G 编号：C904390

封装：SOIC-7

NCP1234是一款采用动态自供电（DSS）技术的新型固定频率电流模式控制器。该器件与前代NCP12xx系列引脚兼容。DSS功能通过激活内部启动电流源，在瞬态期间为控制器供电，极大地简化了辅助电源和VCC电容的设计。由于具备频率折返功能，该控制器在轻载条件下表现出卓越的效率，同时仍能实现极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入，使该控制器成为对元件成本有严格要求的转换器的理想选择。它具有基于定时器的故障检测功能，可独立于辅助绕组检测过载，还具备可调补偿功能，有助于使最大功率不受输入电压的影响。最后，经过精心设计，关键参数在 -40℃至 +125℃的整个温度范围内都能得到良好的精度控制。NCP1234具备构建基于固定频率反激式转换器的安全高效电源所需的所有必要特性。它特别适用于对元件数量要求较低且不牺牲安全性的应用。带斜率补偿的电流模式操作：初级峰值电流由FB电压永久控制，确保最大安全性：DRV关断事件由峰值电流设定点决定。如果处于DCM模式，它还能确保系统的频率响应保持为一阶，从而简化FB环路的设计。该控制器也可用于宽输入范围的CCM应用。

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型号：UC3844ADTR 编号：C1880378

封装：SOIC-14

该系列器件提供了控制电流模式或开关模式电源的必要特性，具有许多改进的特性：启动电流低于 0.5mA，振荡器放电电流调整为 8.3mA，并且在 UVLO 期间，输出级在低于 1.2V 的电压下可灌入至少 10mA 电流（VCC 高于 5V）。

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型号：LNK603DG-TL 编号：C567833

封装：SOIC-7

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™- II 系列产品通过省去光耦合器和次级控制电路，极大地简化了低功率恒压/恒流充电器的设计。该器件采用了一种创新的控制技术，可实现极为精确的输出电压和电流调节，能补偿变压器和内部参数的容差以及输入电压的变化。该器件将一个 700 V 功率 MOSFET、一个新型的开/关控制状态机、一个用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和滞后热关断电路集成到了一块单芯片上

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型号：UC3843BD1 编号：C1529973

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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型号：UCC28C57HDR 编号：C20346043

封装：SOIC-8

高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。

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型号：NCP1250BSN65T1G 编号：C365731

封装：TSOP-6-1.5mm

NCP1250 是一款高度集成的 PWM 控制器，能够在极小型 TSOP-6 封装内提供耐用的高性能离线电源。该控制器供电范围高达 28 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制。 40W 适配器过功率保护 (OPP) 是一种非常困难的措施，尤其当无负载待机要求驱动转换器规格时更是如此。安森美半导体的专属集成 OPP 让您仅通过两个外部电阻即可充分利用提供的最高功率，而不会影响待机性能。同一个引脚上还组合了过电压保护输入，用于在发生光耦合器故障或反向开路运行时保护整个电路。最后，基于计时器的短路保护提供了最佳保护方案，让您能够精确选择保护跳闸点，而不用考虑辅助绕组和电源绕组之间的松散耦合。

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型号：NCP1207APG 编号：C242283

封装：PDIP-8

NCP1207A/B集成了一个真正的电流模式调制器和一个去磁检测器，以确保在任何负载/线路条件下实现完全的边界/临界导通模式，并实现最小的漏极电压开关（准谐振操作）。由于其固有的跳周期能力，一旦功率需求降至预定水平以下，控制器便进入突发模式。由于这发生在低峰值电流时，因此听不到任何可闻噪声。对于NCP1207A，内部8.0 μs定时器可防止自由运行频率超过125 kHz（因此低于150 kHz的CISPR - 22 EMI起始限值），而跳周期调节能力允许用户选择突发折返发生的频率。对于NCP1207B，内部定时器时长缩短至4.5 μs，以允许在更高频率（高达200 kHz）下运行。动态自供电（DSS）通过避免使用辅助绕组为NCP1207A/B供电，极大地简化了变压器设计。此功能在运行期间输出电压会发生变化的应用（如电池充电器）中特别有用。由于采用高压技术，该IC直接连接到高压直流母线。因此，短路跳闸点不依赖于任何VCC辅助电平。变压器铁芯复位检测通过一个辅助绕组完成，该绕组通过一个专用引脚引入，还可实现快速过压保护（OVP）。一旦检测到过压保护事件，IC将永久锁存关闭。最后，通过过流故障保护电路（OCP）实现的连续反馈信号监控使最终设计坚固可靠。

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型号：UC3843D8 编号：C1530194

封装：SOIC-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：LNK364GN-TL 编号：C77690

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch-XT将一个700V功率MOSFET、振荡器、简单的开/关控制方案、高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和热关断电路集成到一个单片IC中。启动和工作电源直接从漏极引脚获取，无需偏置绕组及相关电路。

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型号：UC2844DTR 编号：C2878630

封装：SOIC-14