反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

同步整流 DK5V45R25S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了45V功率NMOS管，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。

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型号：DK5V45R25 编号：C171870

封装：SM-7

DK5V45R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。

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型号：DK036G 编号：C3013885

封装：PDFN-8(5x6)

DK036G是一款电流模式控制的准谐振反激AC-DC电源管理功率开关芯片。内部集成了700V/400mΩ GaN HEMT，控制电路和驱动电路，可极大减少外围电路元器件的数量，有效地降低整体成本。DK036G采用不连续电流导通模式（DCM）工作，当磁芯能量完全释放完毕，变压器的初级电感和GaN HEMT结电容谐振到最低值时，初级功率管导通，从而改善功率管开通损耗，提高整个功率范围的效率。

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型号：LNK3202D-TL 编号：C567598

封装：SOIC-7

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™-TN2系列非隔离离线式电源IC与传统线性或阻容降压解决方案相比，性能显著提升。采用高度集成的LinkSwitch-TN2 IC的设计更具灵活性，具备更高的效率、全面的系统级保护和更高的可靠性。该器件系列支持降压、升降压和反激式转换器拓扑。每个器件在单芯片IC上集成了725 V / 900 V功率MOSFET、振荡器、用于轻载时实现最高效率的开/关控制、用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、快速（逐周期）电流限制、迟滞热关断以及输出和输入过压保护电路。LinkSwitch-TN2 IC在待机状态下消耗的电流非常小，使得电源设计能够满足全球所有无负载和待机规范。可通过旁路引脚电容值选择MOSFET电流限制模式。高电流限制水平可提供最大连续输出电流，而低水平则允许使用低成本的小型表面贴装电感器。全套保护功能可实现安全可靠的电源，保护器件和系统免受输入和输出过压故障、器件过热故障、调节失控以及电源输出过载或短路故障的影响。

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型号：IW1760B-00 编号：C3093796

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

iW1760B是一款高性能AC/DC电源控制器，采用数字控制技术构建峰值电流模式PWM反激式电源。该器件工作在准谐振模式，可实现高效率，并具备一系列关键的内置保护功能，同时减少外部元件数量，简化EMI设计并降低总体物料成本。iW1760B无需次级反馈电路，即可实现出色的线性和负载调节

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型号：DK5V120R15M 编号：C3013881

封装：SM-10

DK5V120R15M是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。芯片内部集成了120V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V120R15M采用SM-10封装。

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型号：TL2843BDRG4-8 编号：C1880026

封装：SOIC-8

TL2843B 具有 8.4V/7.6V UVLO 和 100% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、0.2A 高性能 500KHz 电流模式 PWM

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型号：PN8386SEC-R1 编号：C361074

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。

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型号：UCC28C57LDR 编号：C20346045

封装：SOIC-8

高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiCMOSFET。是UCCx8C4x的更高效、更稳健的版本。除持续支持SiMOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiCMOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiCMOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。

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型号：UCC28C57HDR 编号：C20346043

封装：SOIC-8

高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。

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型号：UCC38C43DR 编号：C470973

封装：SOIC-8

UCC38C43 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器

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型号：UCC28C50DR 编号：C20346024

封装：SOIC-8

UCCx8C5x系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCCx8C5x系列是UCCx8C4x的更高效率、更强大版本。

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型号：NCP1340B7D1R2G 编号：C603554

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1340 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1340 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1340 进入静音跳过模式来管理功率传递。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1340 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：TL2845BDR 编号：C485099

封装：SOIC-14

TL2845B 具有 8.4V/7.6V UVLO 和 50% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、0.2A 高性能 500KHz 电流模式 PWM

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型号：UCC28700QDBVRQ1 编号：C2877622

封装：SOT-23-6

紧凑型一次侧稳压 PWM 控制器，具有汽车级 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：UCC24612-1DBVT 编号：C2650171

封装：SOT-23-5

是用于标准和逻辑电平N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM反激式和LLC等。集成特性可简化设计工作，使在各种频率下的应用中表现卓越

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型号：L6565N 编号：C31140

封装：DIP-8

L6565是一款电流模式初级控制器IC，专为构建离线准谐振ZVS（开关导通时零电压开关）反激式转换器而设计。通过变压器去磁感应输入触发MOSFET导通，实现准谐振操作。通过线电压前馈补偿转换器功率能力随市电电压的变化。在轻载情况下，该器件具有一项特殊功能，可自动降低工作频率，同时仍尽可能保持接近ZVS的操作。除了极低的启动电流和静态电流外，此功能有助于降低轻载时市电的功耗，并符合蓝天使和能源之星标准。该IC还包括禁用功能、电流检测片上滤波器、带有精确参考电压用于初级调节的误差放大器以及有效的两级过流保护。

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型号：UC2843BN 编号：C283310

封装：PDIP-8

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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型号：TNY286PG 编号：C568067

封装：DIP-8C

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

能源高效的离线开关，具有线路补偿过载功率。

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型号：VIPER26LD 编号：C2961100

封装：SOIC-16

VIPerPlus系列：节能的12W高压转换器，提供直接反馈

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型号：UC3842ADTR 编号：C86757

封装：SOIC-14

UC3842A 电流模式 PWM 控制器

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型号：VIPER114LSTR 编号：C2970631

封装：SOP-10

该器件是一款高压转换器，巧妙地将一个具备 800 V 雪崩耐量的功率 MOSFET 与 PWM 电流模式控制集成在一起。击穿电压为 800 V 的功率 MOSFET 可拓宽输入电压范围，并减小漏极缓冲电路的尺寸。这款 IC 功耗极低，且在轻载条件下以脉冲频率调制方式工作，能够满足最严格的节能标准

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型号：VIPER013XSTR 编号：C2969977

封装：SOP-10

VIPerPlus系列：低压节能固定频率高压转换器

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型号：NCV1362AADR2G 编号：C3093913

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高度集成的初级侧准谐振反激式控制器，能够控制坚固且高性能的离线电源。借助一种新方法，该控制器节省了用于恒压和恒流调节的次级反馈电路，无需传统的光耦合器和TL431电压基准即可实现出色的线路和负载调节。在高负载下，该控制器以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行，以提供高效率。当次级侧的功率开始减小时，控制器会自动调整占空比，然后在低负载下，控制器以固定峰值电流进入脉冲频率调制，并进行谷底开关检测。这种技术允许在微小假负载下保持输出调节。前4个谷底的谷底锁定可防止谷底跳跃操作，然后在低负载下进行谷底开关可提供高效率。

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型号：UCC28C54DR 编号：C20346035

封装：SOIC-8