射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：R574393285 编号：C3301796

封装：-

品牌：Radiall

12路自切断自动复位射频开关，具有SMA连接器，支持0-3GHz频率范围，最大插入损耗0.20dB，最小隔离度80dB。

1+
￥12293.18
30+
￥11699.01

订货

我要订货

型号：R573J23615 编号：C3302732

封装：-

品牌：Radiall

6位射频开关，支持0-50GHz频率范围，采用2.4mm母头连接器，具有高隔离度和低插入损耗

1+
￥12688.71
30+
￥12075.42

订货

我要订货

型号：MXD8627 编号：C285550

封装：QFN-9(1.1x1.1)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8627是一款CMOS绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SP2T）射频开关，具有高线性性能和低插入损耗，适用于GSM/WCDMA/LTE接收和802.11a/b/g/nWLANs应用。

数据手册

230+
￥1.1626
500+
￥0.939024
1000+
￥0.804877

我要订货

型号：TS8329K 编号：C20034367

封装：QFN-16(3x3)

品牌：Tagore

TS8329K是一款适用于宽带、高峰值功率切换应用的不对称反射式单刀双掷开关。其从500MHz到5GHz的宽带行为使TS8329K成为所有要求低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的理想选择。

1+
￥140.95
30+
￥134.45

订货

我要订货

型号：TS63421K 编号：C3304159

封装：QFN-16(3x3)

品牌：Tagore

TS63421K是一款反射型单刀四掷（SP4T）射频开关，适用于需要高射频峰值电压处理的应用。TS63421K适合1MHz至1GHz的频率范围，具有非常低的1.9Q导通电阻和0.35pF的关断电容。该开关可以选择16个独立状态。

1+
￥304.63
200+
￥117.89
500+
￥113.75
1000+
￥111.7

订货

我要订货

型号：F2932NBGP8 编号：C1512000

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀双掷（SP2T）吸收式射频开关，专为多种无线和其他射频应用而设计。该设备覆盖了从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外，还能提供高线性度和高隔离性能，同时为未使用的射频输入端口提供50Ω的终端。使用2.7V至5.5V的单正电源电压，支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三种状态。

数据手册

2500+
￥5.5
5000+
￥5.45
7500+
￥5.4

我要订货

型号：BAR64-02VH6327 编号：C609523

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

射频二极管

数据手册

1+
￥0.9163
10+
￥0.7438
30+
￥0.6575
100+
￥0.5928
600+
￥0.4871
1200+
￥0.4612

订货

我要订货

型号：BGSX 22G5A10 E6327 编号：C534244

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为LTE和WCDMA三天线应用而设计。此双刀双掷（DPDT）开关在射频端口间提供低插入损耗、低谐波生成和高隔离度。通过通用输入输出（GPIO）接口控制。片上控制器允许电源电压从1.65V到3.4V。具有直接连接到电池的功能和无直流（DC）的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，仅当在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统互补金属氧化物半导体（CMOS）的经济性和集成性，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。尺寸非常小，仅为1.1×1.5mm²，最大厚度为0.55mm。

数据手册

1+
￥14.37
10+
￥12.27
30+
￥10.96
100+
￥9.61
500+
￥9
1000+
￥8.74

订货

我要订货

型号：SKY13372-467LF 编号：C150897

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：SKYWORKS

SKY13372-467LF是一款GaAspHEMTFET高隔离度吸收式射频开关，适用于对合成器隔离要求较高的基站应用。提供4x4mm,16引脚无引线四方扁平封装。

数据手册

15+
￥23.550484
100+
￥20.318065
1000+
￥18.701855

我要订货

型号：RFSW8000TR7 编号：C470894

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：Qorvo

RFSW8000是一款高性能的单刀双掷（SPDT）射频开关，适用于高频无线应用。该开关设计用于5MHz至6.5GHz的频率范围，具有极高的线性度、高隔离度、低插入损耗和小巧的封装尺寸。

数据手册

10+
￥22.035
50+
￥19.4925
100+
￥18.645
1000+
￥18.1365

我要订货

型号：SKY13286-359LF 编号：C3304168

封装：QFN-16(4x4)

品牌：SKYWORKS

SKY13286-359LF是一款GaAspHEMT高隔离度吸收型开关，适用于对合成器隔离要求高的基站应用。该设备采用4x4mm,16引脚无引线四方扁平(QFN)封装。

10+
￥32.57555
100+
￥28.104395
1000+
￥25.868819

我要订货

型号：SKY12208-478LF 编号：C2151934

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：SKYWORKS

单价：
￥62.54 / 个

订货

我要订货

型号：SKY13380-350LF 编号：C2830801

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS

SKY13380-350LF是一款对称的单刀四掷（SP4T）开关，适用于宽带高功率切换应用，要求高线性和低插入损耗。该开关采用先进的GaAspHEMT工艺制造，集成逻辑控制，仅需两条控制线即可操作。

数据手册

1+
￥115.6
10+
￥111.92

订货

我要订货

型号：AW13412DNR 编号：C498342

封装：DFN-6(0.7x1.1)

品牌：AWINIC(艾为)

AW13412是一款宽带SP2T射频开关，支持3G/4GTRX、数据卡和平板电脑的频段切换和模式切换。

数据手册

3000+
￥0.18306
6000+
￥0.180009
12000+
￥0.175433
24000+
￥0.167805

我要订货

型号：MXD8650 编号：C285563

封装：DFN-10(1.1x1.5)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8650是一款通用的DP4T射频开关，适用于3G/4G和分集应用。该器件采用先进的CMOS绝缘体上硅技术，具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高ESD保护水平。这些优异的性能使其非常适合应用于多模式WCDMA、UMTS和LTE系统。

数据手册

5+
￥1.0084
50+
￥0.8028
150+
￥0.7146
500+
￥0.6047
3000+
￥0.4965
6000+
￥0.4671

订货

我要订货

型号：SW470 编号：C391969

封装：DFN-6-EP(1.5x1.5)

品牌：RFIC(朗弗)

SW470是一款SPDTGaAs开关，设计用于0.1至6GHz频率带应用。该开关可用于发射/接收选择或天线分集功能，适用于各种无线通信系统。

数据手册

1+
￥3.03
10+
￥2.44
30+
￥2.18
100+
￥1.87
500+
￥1.73
1000+
￥1.64

订货

我要订货

预售商品

型号：SKYA21070 编号：C3303710

封装：DFN-6(1.5x1.5)

品牌：SKYWORKS

SKYA21070是一款pHEMTGaAs双刀双掷（DPDT）开关，设计用于0.1至6.0GHz的宽带频率范围内的应用。该开关提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

1+
￥13.9
200+
￥8.17
500+
￥8.05

有货

立即购买

预售商品

型号：MMS008AA 编号：C3312617

封装：-

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1+
￥240.4
200+
￥93.03
500+
￥89.77
1000+
￥88.15

订货

我要订货

预售商品

型号：MMS006AA 编号：C3303739

封装：-

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MMS006AA是一款从DC到20GHz的非反射砷化镓（GaAs）伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷（SPDT）单片微波集成电路（MMIC）芯片。

1+
￥291.27
200+
￥112.72
500+
￥108.76
1000+
￥106.8

订货

我要订货

预售商品

型号：MMS006PP3/TR 编号：C3303743

封装：-

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MMS006PP3/TR是一款从DC到20GHz的非反射砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷（SPDT）单片微波集成电路（MMIC）开关，采用3mm×3mm×0.85mm无引脚塑料封装。该开关在DC到20GHz范围内提供超过40dB的隔离度，同时保持低于2.0dB的低插入损耗。