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首页 > 热门关键词 > 射频开关芯片
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AS193-73是一款高线性度GaAsPHEMTSPDT开关,采用SOT-6塑料封装。该开关设计用于需要极高线性度、低控制电压、高隔离度、低插入损耗和超小型封装的应用。它可以使用正、负或组合电压进行控制。标准应用包括天线切换、T/R切换和分集切换,适用于多种模拟和数字无线通信系统,如蜂窝、GSM和UMTS。
数据手册
  • 1+

    ¥7.73
  • 10+

    ¥6.55
  • 30+

    ¥5.9
  • 100+

    ¥5.16
  • 500+

    ¥4.53
  • 1000+

    ¥4.38
  • 订货
  • PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关,设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口,最高工作频率可达6GHz,并且集成了CMOS解码器,支持1.8VCMOS控制接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.12
    • 10+

      ¥23.89
    • 30+

      ¥21.37
  • 有货
  • MXD8641是一款适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能。
    数据手册
    • 55+

      ¥4.614503
    • 200+

      ¥4.10178
    • 500+

      ¥3.349787
    • 1000+

      ¥2.871245
    RF MOS开关专为手机和移动应用设计。3个端口均可作为分集天线的端接,可处理高达30 dBm的功率。此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力,在端接模式下谐波产生低。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器,由1.35V至VDD的控制输入驱动。采用专利MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性,包括固有的更高ESD鲁棒性。器件尺寸仅为1.1×1.1 mm²,最大高度为0.375 mm。在典型应用中,只要任何RF端口不施加直流,就不需要去耦电容。
    数据手册
    • 10+

      ¥1.35
    • 100+

      ¥1.3
    • 200+

      ¥1.2
    • 1000+

      ¥1.15
    • 2000+

      ¥1.1
    通用射频MOS功率开关旨在覆盖30 MHz至4 GHz的广泛高功率应用,主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。单刀双掷配置的对称设计提供了高设计灵活性。该单电源芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单输入CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关35 dBm的最大输入功率水平,在所有信号电平下都具有线性性能。射频开关插入损耗非常低。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.53
  • 订货
  • 两个平面PIN二极管以共阳极配置封装在SOT23小型SMD塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥5.21
    • 30+

      ¥5.13
    • 100+

      ¥5.05
  • 订货
  • PE42421UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,支持单引脚或互补CMOS逻辑控制输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.57
    • 10+

      ¥7.95
    • 30+

      ¥7.06
    • 100+

      ¥6.06
    • 500+

      ¥5.61
    • 1000+

      ¥5.41
  • 订货
  • ADG936/ADG936-R是宽带模拟开关,包含两个独立可选的SPDT开关,采用CMOS工艺提供高隔离度和低插入损耗。这些器件适用于无线通信和通用高频切换。
    数据手册
    • 单价:

      ¥26.406 / 个
    PE423422是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关,支持100-6000MHz的频率范围,适用于恶劣的汽车环境。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.64
    • 10+

      ¥18.21
    • 30+

      ¥17.92
    • 100+

      ¥17.64
  • 订货
  • HMC270AMS8GETR是一款宽带非反射型GaAsSPDT开关,适用于DC到8GHz的应用。它提供出色的隔离度,从70到35dB,并采用低成本的8引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥47.2284 / 个
    F2923是一款低插入损耗的50ΩSP2T吸收式常阻抗射频开关,适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖300kHz至8000MHz的频率范围,提供低插入损耗、高隔离度和优秀的线性度。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.81
    • 10+

      ¥32.05
    • 30+

      ¥31.55
    • 100+

      ¥31.04
  • 订货
  • ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关,提供高隔离度和低插入损耗,适用于1GHz以下的频率范围。ADG918是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终止的分流腿,而ADG919是反射型开关。
    数据手册
    • 单价:

      ¥17.9712 / 个
    F2933是一款高可靠性、低插入损耗的50ΩSP2T吸收式射频开关,适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖从50MHz到8000MHz的广泛频率范围。
    数据手册
    • 1+

      ¥41.13
    • 10+

      ¥40.18
    • 30+

      ¥39.55
    • 100+

      ¥38.92
  • 订货
  • HMC545A是一款低成本的SPDT射频开关,采用6引脚SOT26封装,适用于需要非常低的插入损耗和非常小尺寸的一般切换应用。这些设备可以在DC到3.0GHz的频率范围内控制信号,特别适合蜂窝/3G、ISM、汽车和便携式设备的应用。设计提供了出色的插入损耗性能,非常适合滤波器和接收器切换。当关闭时,RF1和RF2是反射短路。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.73
    • 10+

      ¥42.44
    • 50+

      ¥37.99
    • 100+

      ¥34.27
  • 订货
  • HMC849ALP4CE是一种高隔离度非反射式DC至6GHzGaAspHEMTSPDT开关,采用低成本无引脚表面贴装封装。该开关适用于蜂窝/WiMAX/4G基础设施应用,提供高达60dB的隔离度、低0.8dB插入损耗和+52dBm输入IP3。电源处理能力在5-6GHzWiMAX频段表现优异,压缩点为+31dBm。单正控制电压为0/+3V或0/+5V,静态电流非常低。启用输入(EN)设置为逻辑高电平时,开关将进入“全关闭”状态。
    数据手册
    • 单价:

      ¥43.9452 / 个
    GAASMMICSP8T非反射式开关,DC-2.5GHz
    数据手册
    • 单价:

      ¥142.186 / 个
    HMC536MS8G和HMC536MS8GE是DC至6GHz的GaAsMMICT/R开关,适用于蜂窝/PCS/3G基站、ISM/MMDS/WiMAX、CATV/CMTS和测试仪器等应用。这些开关具有低插入损耗(0.5dB)和高输入IP3(+55dBm)。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.375
    • 20+

      ¥21.48
    • 100+

      ¥20.585
    • 200+

      ¥20.048
    • 500+

      ¥19.69
    HMC253AQS24E是一款低成本的非反射式SP8T射频开关,采用24引脚QSOP封装,支持从DC到2.5GHz的宽带操作。该开关提供单正偏置和真正的TTL/CMOS兼容性。集成的3:8解码器仅需3条控制线和正偏置即可选择每个路径。
    数据手册
    • 单价:

      ¥139.6008 / 个
    GaAsMMICSP4T非反射式正控制开关,DC*-8GHz
    • 单价:

      ¥189.629 / 个
    ADRF5020是一款采用硅工艺制造的通用单刀双掷(SPDT)开关,具有超宽频带(100MHz至30GHz)、低插入损耗和高隔离度的特点。
    数据手册
    • 1+

      ¥252.26
    • 10+

      ¥246.68
  • 订货
  • HMC344ALP3E是一款宽带非反射式单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。该开关提供高隔离度、低插入损耗,并且集成了端口隔离电阻。
    数据手册
    • 单价:

      ¥232.524 / 个
    HMC347ALP3ETR是一款宽带、高隔离度、低插入损耗的非反射式GaAspHEMTSPDT开关,工作频率范围从DC到14GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥328.9
    • 10+

      ¥314.6
    • 50+

      ¥308.88
    HMC547ALP3E是一款通用宽带高隔离非反射型GaAsMMICSPDT开关,采用低成本无引脚QFN表面贴装塑料封装。覆盖从DC到20GHz的频率范围,提供高隔离和低插入损耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥337.44
    • 30+

      ¥321.88
  • 订货
  • HMC347ALP3E是一款宽带、高隔离度、低插入损耗的非反射式GaAspHEMTSPDT开关,工作频率范围从DC到14GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥355.49
    • 30+

      ¥337.87
  • 订货
  • MASW-011153是一款反射式、超宽带单刀四掷(SP4T)开关,具有3.5dB的插入损耗(在57GHz时)。该开关的功率处理能力为26dBm,输入和输出回波损耗通常为16dB。逻辑电平兼容标准的1.8V、2.5V或3.3VCMOS。所需偏置电源为+3.3V和-3.3V。
    • 1+

      ¥1259.917
    • 10+

      ¥1205.138
    • 50+

      ¥1183.2264
    100MHz至44GHz硅SPDT反射式开关
    数据手册
    • 1+

      ¥670.45
    • 10+

      ¥641.3
    • 50+

      ¥629.64
    HMC253ALC4是一款非反射型单刀八掷(SP8T)射频开关,工作频率范围从DC到3.5GHz。该开关采用单正电源供电(+5V),具有集成的3:8TTL/CMOS解码器,支持0/+3V控制信号。
    数据手册
    • 单价:

      ¥614.52 / 个
  • 订货
  • HMC547ALC3是一款通用宽带高隔离非反射式GaAspHEMTSPDT开关,采用3x3mm无引脚表面贴装封装。该开关覆盖DC到28.0GHz的频率范围,提供超过40dB的隔离度和小于2dB的插入损耗。其宽带宽、快速切换和紧凑尺寸使其成为测试设备应用的理想选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥750.31
    • 30+

      ¥714.04
  • 订货
  • 非反射式9kHz至44GHz的硅SP4T开关
    数据手册
    • 1+

      ¥1025.45
    • 30+

      ¥974.63
  • 订货
  • ADRF5044是一款单刀四掷(SP4T)射频开关,采用硅工艺制造,提供高隔离度和低插入损耗,工作频率范围从100MHz到30GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥1100.27
    • 30+

      ¥1046.19
  • 订货
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