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1.5nF ±20% 400V 等级:Y1 直脚 L=3.5 P=10
型号：Q10E3D152MA5B0S0N0 编号：C2914658
封装：插件,P=10mm
品牌：STE(松田)
特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    2.2nF ±20% 400V 等级:Y1 90°前后翘 长脚 P=10 Y5U
    型号：Q11E8D222MN0B0S0N0 编号：C2914666
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    1.5nF ±20% 400V 等级:Y1 外弯 L=3.5 Y5U
    型号：Q08E2D152MA5B0S0N0 编号：C2914627
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    型号：G09F3D332MA5B0S0N0 编号：C2914544
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：Q11E2D222MA5B0S0N0 编号：C2914661
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    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    型号：G10E1E222MN0B0S0NL 编号：C2914551
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：Q11E2D222MN0B0S0N0 编号：C2914662
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    品牌：STE(松田)
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    品牌：STE(松田)
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    型号：Q11F2D332MA5B0S0N0 编号：C2914668
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    型号：G10F2D472MA5B0S0N0 编号：C2914561
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    品牌：STE(松田)
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    型号：G10F2E472MN0B0S0N0 编号：C2914563
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    680pF ±10% 400V 等级:Y1 外弯
    型号：Q10B2D681KN0B0S0N0 编号：C2914653
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    4.7nF ±20% 250V 等级:Y2 直脚 L=3.5 P=10.0 Y5V
    型号：G10F3D472MA5B0S0N0 编号：C2914564
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    3.3nF ±20% 400V 等级:Y1 前后翘
    型号：Q11F8D332MN0B0S0N0 编号：C2914672
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    680pF ±10% 400V 等级:Y1 直脚 L=3.5 P=10
    型号：Q10B3D681KA5B0S0N0 编号：C2914654
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    3.3nF ±20% 400V 等级:Y1 直脚 L=3.5 P=10
    型号：Q11F3D332MA5B0S0N0 编号：C2914670
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    4.7nF ±20% 250V 等级:Y2 直脚 P=10.0 Y5V 编带
    型号：G10F1D472MQ0T0S0N0 编号：C2914559
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：Q12B2D102KN0B0S0N0 编号：C2914675
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    1nF ±10% 400V 等级:Y1 前后翘 长脚 P=10 Y5P
    型号：Q12B8D102KN0B0S0N0 编号：C2914677
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    3.3nF ±20% 400V 等级:Y1 外弯 L=3.5 Y5V 铜线
    型号：Q11F2D332MA5B0S0NT 编号：C2914669
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    4.7nF ±20% 400V 等级:Y1 前后翘 长脚 P=10.0 Y5V
    型号：Q12F8D472MN0B0S0N0 编号：C2914685
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    3.3nF ±20% 400V 等级:Y1 直脚 P=10 L=3.5 散件
    型号：Q12E3D332MA5B0S0N0 编号：C2914679
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    3.3nF ±20% 400V 等级:Y1 直脚 P=10 Y5U 散件
    型号：Q13E1D332MN0B0S0N0 编号：C2914686
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    4.7nF ±20% 250V 等级:Y2 前后翘 长脚 P=7.5 Y5U
    型号：G14E8E472MN0B0S0N0 编号：C2914580
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：G14F2D103MA5B0S0N0 编号：C2914583
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：G14E8E472MA5B0S0N0 编号：C2914579
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：G14E1D472MN0B0S0N0 编号：C2914574
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    型号：G14F3D103MA5B0S0N0 编号：C2914585
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
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    型号：G14F2E103MA5B0S0N0 编号：C2914584
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    型号：G12E1E472MN0B0S0N0 编号：C2914571
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
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