无刷电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-5

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

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型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

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型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥5.07
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型号：ID7S625SBC-R1-JSM 编号：C7432832

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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型号：LM5108DRCR 编号：C2676946

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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￥5.75
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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥6.52
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型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥6.552 ￥7.8
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￥5.2466 ￥7.09
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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.98
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￥5.02
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型号：DRV8841PWPR 编号：C36542

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8841 具有电流调节和 PWM 控制功能的 45V、2.5A 双极步进或两路 H 桥电机驱动器 IC

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￥7.05
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￥4.99
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￥4.16
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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

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￥11.11
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￥9.39
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￥6.5

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型号：DRV8848PWPR 编号：C131079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8848 具有电流调节功能的 18V、2A、H 桥电机驱动器

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￥5.1

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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

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￥12.02
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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

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￥12.08
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型号：BD6231F-E2 编号：C253180

封装：SOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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￥6.94
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￥6.72

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型号：BD6230F-E2 编号：C84323

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

SingleChannelDualOutput32V0.5ASMTBrushMotorH-BridgeDriver-SOP-8

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型号：VNHD7008AYTR 编号：C2150455

封装：PWRSSOEP-36

品牌：ST(意法半导体)

用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器

数据手册

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￥20.38
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￥15.55
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￥13.72
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￥12.5

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。