无刷电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM6288Q 编号：C19077370

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

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￥3.18
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￥2.48
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￥1.84
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￥1.76

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

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￥0.6955
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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。

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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.418
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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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型号：BDR6122T 编号：C724035

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

适用于电子锁、无线充电、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

数据手册

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

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￥2.0485 ￥2.41
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￥1.6235 ￥1.91
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￥1.0455 ￥1.23

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

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￥2.115 ￥2.35
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￥1.872 ￥2.08
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￥1.746 ￥1.94
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￥1.629 ￥1.81
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￥1.512 ￥1.68

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型号：IR4426STRPBF-JSM 编号：C7462830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，电机控制等，DQ类开关放大器

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￥2.204 ￥2.32
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.52 ￥1.6
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￥1.292 ￥1.36
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￥1.178 ￥1.24
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￥1.102 ￥1.16

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型号：DRV8870DDAR(MS) 编号：C19632000

封装：SOP-8-EP

品牌：MSKSEMI(美森科)

电机驱动芯片，DRV8870DDAR(MS)，电机驱动芯片，A4950，是一款全桥，DMOS，有刷电机驱动芯片，宽电压供电，8V-40V，RDS(ON)电阻为600mΩ，3.5A峰值驱动输出，2A持续输出能力，支持欠压锁定保护，低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向

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￥2.22
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￥1.62
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￥1.59

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型号：NSG2203U 编号：C53436488

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.35 ￥1.5
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￥1.287 ￥1.43

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型号：G2061 编号：C53436212

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.439 ￥2.71
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￥1.962 ￥2.18
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￥1.314 ￥1.46

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型号：NSG2065 编号：C53436440

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.547 ￥2.83
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￥2.043 ￥2.27
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.368 ￥1.52

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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￥2.62
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型号：COS4426SR 编号：C2685357

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双反相，双高速低功耗 MOSFET低边驱动器

数据手册

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型号：TPM27524-DF6R 编号：C38487412

封装：DFN-8(3x3)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。

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￥2.62
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￥1.29

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型号：TPSGM42501XPS8G 编号：C42370559

封装：ESOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是有刷直流电机驱动器。此设备集成四个N-MOSFET，可在40V电压下提供高达3.6A的峰值电流。支持PH/EN接口。

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￥2.622 ￥2.76
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￥2.0425 ￥2.15
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.4915 ￥1.57
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￥1.349 ￥1.42
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￥1.273 ￥1.34

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型号：FD6187T 编号：C5126666

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

数据手册

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￥2.73
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￥2.16
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￥1.92
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￥1.62
500+
￥1.49
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￥1.4

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型号：NSG2308 编号：C53436449

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.862 ￥3.18
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￥2.295 ￥2.55
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￥2.061 ￥2.29
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￥1.755 ￥1.95
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￥1.62 ￥1.8
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￥1.539 ￥1.71

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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

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￥2.91
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￥2.3
30+
￥2.04
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￥1.72
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￥1.57
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￥1.48

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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￥3.009 ￥3.54
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￥2.363 ￥2.78
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￥2.091 ￥2.46
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￥1.7425 ￥2.05
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￥1.5895 ￥1.87
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￥1.496 ￥1.76

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型号：DRV8870DDAR-S 编号：C19077371

封装：ESOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

欠压保护、过流保护、短路保护、过温保护可外部限流低功耗

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￥3.36
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￥2.71
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￥2.39
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￥2.07
500+
￥1.98
1000+
￥1.88

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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

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￥4.1
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￥3.36
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￥2.99
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￥2.62
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

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型号：MCP1402T-E/OT 编号：C128573

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

数据手册

1+
￥4.41
10+
￥3.6
30+
￥3.19
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￥2.79
500+
￥2.55
1000+
￥2.42

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型号：LMG1020YFFR 编号：C6423790

封装：BGA-6

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.75V~5.25V 峰值灌电流：5A 峰值拉电流：7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125

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￥4.51
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￥3.63
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￥3.2
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￥2.66
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￥2.4
1000+
￥2.27

有货

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型号：LM2105DSGR 编号：C22399677

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

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￥4.76
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￥4.08
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￥3.6
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￥3.2
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￥3.08
1000+
￥3

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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

数据手册