无刷电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

能够控制五个MOSFET，在三相无刷直流（BLDC）应用中提供电机相位隔离和电源隔离。三个浮动栅极驱动输出可在整个电源范围内，使相位隔离功率MOSFET保持导通状态，适用于12V和48V系统的电机相位连接，具有高相电压和高dv/dt。另外两个浮动栅极驱动器用于在反接电池或短路情况下隔离电池电源电压。支持源极到源极和漏极到漏极的电池MOSFET隔离

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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

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型号：AMT49105KEVTR-J 编号：C5551194

封装：QFN-48(7x7)

是N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥形式连接的MOSFET，专为具有高功率感性负载（如无刷直流电机）的汽车应用而设计。可对三相桥中的所有六个功率MOSFET进行完全控制，允许以方波换相或正弦激励方式驱动电机。设计用于在小型微控制器提供电机控制、与中央ECU的通信接口以及智能故障和状态处理的系统中，提供栅极驱动、电源和外围功能。为微控制器提供电源和看门狗，以及微控制器与中央ECU和点火开关之间的高压接口

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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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型号：EG2131 编号：C193777

封装：SOIC-8

EG2131是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 1/1.5A，采用SOP8封装。

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型号：EG3013 编号：C405257

封装：SO-8

EG3013是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3013高端的工作电压可达100V，Vcc的电源电压范围宽4.5V ~ 30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

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型号：EG5620 编号：C2987462

封装：MSOP-10

EG5620是一款高性价比的带S D功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区可调电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG5620高端的工作电压可达100V，低端VCC的电源电压范围宽5V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，S D内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-1.6/2.5A，采用MSOP10封装。

数据手册

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型号：EG2181 编号：C459721

封装：SOP-8

EG2181是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽3.5V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-2A/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

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型号：TMC4671A-LA 编号：C915797

封装：QFN-76-EP(6.5x10.5)

品牌：TRINAMIC

TMC4671是一款完全集成的伺服控制器，可为无刷直流电机（BLDC）/永磁同步电机（PMSM）、两相步进电机、直流电机和音圈电机提供磁场定向控制。所有控制功能均以硬件形式实现。集成的模数转换器（ADC）、位置传感器接口和位置插值器，使该控制器成为适用于广泛伺服应用的全功能伺服控制器。

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型号：L9907TR 编号：C2677016

封装：TQFP-64-EP(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

6步或FOC控制无刷电机的三相栅极驱动器，与48V NET兼容

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型号：RZ7899-MS 编号：C22462553

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

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型号：DRV8870DDAR 编号：C86590

封装：HSOP-8-EP

DRV8870 具有电流调节功能的 50V、3.6A、H 桥电机驱动器

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￥2.593
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￥2.0003
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型号：TMC2209-LA-T 编号：C2150710

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC2209是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。TMC2209的引脚排列与多款旧款驱动器以及TMC2208兼容。TRINAMIC先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩

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￥16.7
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￥13.51
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型号：DRV8837DSGR 编号：C39159

封装：WSON-8-EP(2x2)

DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器

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￥1.1787
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型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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型号：IR2104STRPBF 编号：C2960

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.44
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￥2.79
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￥1.85
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型号：DRV8874PWPR 编号：C1855818

封装：HTSSOP-16-EP

DRV8874 具有集成电流检测反馈功能的 40V、6A H 桥电机驱动器

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￥5.55
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型号：TC4427AEOA713 编号：C20551

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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￥3.51
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￥2.96
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￥2.25
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型号：FD6288T 编号：C97683

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片

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￥3.85
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￥2.7
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￥2.3
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型号：A4988SETTR-T 编号：C38437

封装：WQFN-28-EP(5x5)

带转换器和过流保护的 DMOS 微步驱动器

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￥6.67
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￥5.05
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￥4.5
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￥4.33
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￥4.22

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型号：MCP1416T-E/OT 编号：C83775

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16器件是能够提供1.5A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制（3V到18V）。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色，使它非常适合高开关频率应用。

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￥2.82
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￥2.17
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￥1.85
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￥1.57
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￥1.49
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￥1.45

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型号：DRV8701ERGER 编号：C90964

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥4.31
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￥3.67
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￥3.21
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￥2.84
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￥2.72
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￥2.65

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型号：DRV8825PWPR 编号：C81582

封装：HTSSOP-28-EP