无刷电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥3.47
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￥1.77

有货

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型号：EG12521 编号：C2929087

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源、无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽4V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + /-0.8/1.2A，采用SOP8封装。

数据手册

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥1.4999
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型号：EG2203 编号：C48580028

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。

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￥2.1656
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￥1.712
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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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型号：EG2011 编号：C48580019

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2011是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥1.7325
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￥1.3696
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有货

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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￥2.0174
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￥1.5638
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￥1.1269

有货

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型号：EG2005 编号：C48580020

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2005是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.0125
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￥1.5226
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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥0.9761

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

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型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥1.1825
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型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

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￥1.2429
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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

数据手册

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￥11.55
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￥9.69
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￥8.53

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型号：EG2003 编号：C2987443

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I O +/-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥0.8328

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型号：EG2108 编号：C480656

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2108是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2108高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥1.7216
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￥1.3297
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￥0.9522

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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￥2.0203
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￥1.3723

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型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

品牌：EG(屹晶微)

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.86
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￥2.27
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￥2.01
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￥1.59

有货

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型号：EG2113D 编号：C480657

封装：SOP-16-W

品牌：EG(屹晶微)

EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2A，采用SOP16和SOW16封装。

数据手册

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￥5.61
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￥4.44
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￥3.97
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￥3.39

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型号：STDRIVE101TR 编号：C3655697

封装：VFQFPN-24

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

数据手册

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￥7.66
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￥7.38

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

数据手册

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￥76.06
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￥73.44

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型号：EG21814 编号：C2987447

封装：SOP-14

品牌：EG(屹晶微)

EG21814是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21814高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200uA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-2.5/3A，采用SOP14封装。

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￥3.18
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￥2.21

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型号：GHD3440PF 编号：C42385770

封装：TSSOP-20

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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￥1.95
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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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￥15.785
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￥15.1536
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￥14.5222
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￥13.8908

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型号：MAX6651EEE+ 编号：C7451951

封装：QSOP-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6650/MAX6651风扇控制器采用兼容SMBus/I²C的接口，来调节和监控内置转速计的5VDC/12VDC无刷风扇的转速。它们通过使用外部MOSFET或双极晶体管线性调节风扇两端的电压，自动使风扇的转速计频率（风扇转速）与风扇转速寄存器中预先编程的值相匹配。MAX6650通过监测单个风扇的转速计输出来调节其转速

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￥48.28
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￥41.36
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￥37.14

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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

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￥44.75
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￥34.1

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型号：AMT49105KEVTR-J 编号：C5551194

封装：QFN-48(7x7)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥形式连接的MOSFET，专为具有高功率感性负载（如无刷直流电机）的汽车应用而设计。可对三相桥中的所有六个功率MOSFET进行完全控制，允许以方波换相或正弦激励方式驱动电机。设计用于在小型微控制器提供电机控制、与中央ECU的通信接口以及智能故障和状态处理的系统中，提供栅极驱动、电源和外围功能。为微控制器提供电源和看门狗，以及微控制器与中央ECU和点火开关之间的高压接口

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￥32.47
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￥31.09

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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型号：A89103KETSR-5 编号：C26515738

封装：QFN-28(5x5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

能够控制五个MOSFET，在三相无刷直流（BLDC）应用中提供电机相位隔离和电源隔离。三个浮动栅极驱动输出可在整个电源范围内，使相位隔离功率MOSFET保持导通状态，适用于12V和48V系统的电机相位连接，具有高相电压和高dv/dt。另外两个浮动栅极驱动器用于在反接电池或短路情况下隔离电池电源电压。支持源极到源极和漏极到漏极的电池MOSFET隔离

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