步进电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

数据手册

1+
￥11.06
10+
￥9.39
30+
￥8.34
100+
￥7.27
500+
￥6.79

有货

立即购买

型号：EG2129 编号：C20416234

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2129是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2129高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SSOP24封装。

1+
￥3.37
10+
￥2.97
30+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

立即购买

型号：JSM6288Q1 编号：C52196409

封装：QFN-24(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为低欠压VCC≥5V；C19077370为高欠压VCC≥8V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

1+
￥3.37
10+
￥2.67
30+
￥2.37
100+
￥1.99
500+
￥1.82
1000+
￥1.72

有货

立即购买

型号：DRV8300NLQ/TR 编号：C50345924

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

立即购买

型号：UCC27524DGNR 编号：C130088

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥3.64
10+
￥2.88
30+
￥2.5
100+
￥2.13
500+
￥1.9
1000+
￥1.78

有货

立即购买

型号：IR2301STRPBF 编号：C413500

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.06
30+
￥2.7
100+
￥2.35
500+
￥1.87
1000+
￥1.76

有货

立即购买

型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.92
30+
￥3.68
100+
￥3.43
500+
￥3.28
1000+
￥3.2

有货

立即购买

型号：IR2136STRPBF-JSM 编号：C7466365

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥4.44 ￥5.55
10+
￥3.576 ￥4.47
30+
￥3.144 ￥3.93
100+
￥2.712 ￥3.39
500+
￥2.456 ￥3.07
1000+
￥2.32 ￥2.9

有货

立即购买

型号：UCC27324DGNR 编号：C128607

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.34
30+
￥2.92
100+
￥2.49
500+
￥2.24
1000+
￥2.11

有货

立即购买

型号：GC5849 编号：C16197202

封装：SOP-8L

品牌：SX(芯麦)

GC5849是一款三相电机驱动器，具有低噪声，低振动和高效率的特点。芯片可在4~20V电源电压，1A的持续电流下工作，芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 4.9mmx3.9mm的eSOP8脚，底部有散热片。芯片采用180°正弦波驱动，支持高效控制算法，采用无传感器操作，可通过PWM调速，内置热击穿保护、过流保护、短路保护，软启动。提供STM32参考例程及原厂技术支持

1+
￥4.64
10+
￥4.19
30+
￥3.95
100+
￥3.67
500+
￥3.54
1000+
￥3.49

有货

立即购买

型号：TC4424VPA-JSM 编号：C20616626

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

1+
￥4.833 ￥5.37
10+
￥3.861 ￥4.29
50+
￥3.375 ￥3.75
100+
￥2.898 ￥3.22
500+
￥2.61 ￥2.9
1000+
￥2.457 ￥2.73

有货

立即购买

型号：IRS2110STRPBF-JSM 编号：C5804622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.32 ￥6.65
10+
￥4.392 ￥5.49
30+
￥3.888 ￥4.86
100+
￥3.32 ￥4.15
500+
￥3.064 ￥3.83
1000+
￥2.944 ￥3.68

有货

立即购买

型号：DRV8800PWPR 编号：C32579

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8800 40V、2.8A 有刷直流电机驱动器

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.49
30+
￥3.96
100+
￥3.43
500+
￥2.76
1000+
￥2.59

有货

立即购买

型号：FAN3111CSX 编号：C719780

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.56
30+
￥4.03
100+
￥3.51
500+
￥2.84
1000+
￥2.68

有货

立即购买

型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.56
30+
￥4
100+
￥3.45
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

有货

立即购买

型号：DRV8839DSSR 编号：C128627

封装：WSON-12-EP(2x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8839 具有独立半桥控制的 12V、1.8A H 桥驱动器

数据手册

1+
￥5.83
10+
￥4.66
30+
￥4.08
100+
￥3.5
500+
￥3.15
1000+
￥2.97

有货

立即购买

型号：FT8213Q 编号：C5155005

封装：QFN-28(5x5)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FT8213Q 是一款三相、无传感器 FOC 控制直流无刷马达驱动 IC，内置 Rdson 1Ω 驱动 MOS。芯片高度集成电机控制所需部件，所需外围元器件少，噪声低，电机转矩脉动小。内置 EFUSE，可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择 PWM、模拟输入、I2C 调节电机转速，集成转速指示功能，可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒风量、恒电流和开环控制，具有电机转速指示功能，集成缺相、过压、过流、欠压、限流、过温、堵转等多种保护模式，睡眠电流 45μA。

数据手册