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EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.93
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￥2.29
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￥2.02
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￥1.67
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￥1.25

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型号：DRV8300DPWR 编号：C3036056

封装：TSSOP-20

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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￥3.1
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￥2.42
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￥1.76
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￥1.5

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3.23
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￥2.2
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￥1.81
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￥1.53

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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￥3.28
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型号：TPM27524-SO1R 编号：C20416757

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥1.87
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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

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￥3.69
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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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￥4.07
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￥2.88

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型号：IRS4427STRPBF 编号：C171650

封装：SOIC-8

N沟道,Vin=6V~20V

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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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￥5.18
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￥2.65

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型号：TPS2829DBVR 编号：C202321

封装：SOT-23-5

TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器

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￥5.31
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型号：FU6812V 编号：C5126665

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

出厂时白片，需要自行烧录

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￥6.04
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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

数据手册

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￥6.26
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￥4.13

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型号：TF23892M-TLH 编号：C2958769

封装：SOIC-28

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥7.03
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￥6.43
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￥6.1
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￥4.89

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

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￥5.7102 ￥6.14

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥8.1795 ￥8.61
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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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￥8.36
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￥6.01
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￥5.07

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥8.5
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￥4.61
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￥4.42

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥9.3245 ￥10.97
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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

数据手册

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￥9.63
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￥7.98
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￥7.07
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￥5.72
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￥5.26

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型号：VNH5200ASTR-E 编号：C2150596

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

数据手册

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￥7.6632 ￥12.36
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￥5.3872 ￥10.36

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥9.92
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￥8.27
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￥7.37
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￥5.33
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￥5.12

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型号：IXDD604SIATR 编号：C2676942

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

数据手册

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￥9.97
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￥8.27
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￥6.29
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￥5.61

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型号：DRV8231ADSGR 编号：C5139865

封装：WSON-8(2x2)

DRV8231A 具有集成电流调节和电流检测反馈功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥10.04
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￥8.46
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￥7.47
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￥6.46

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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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￥10.06
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￥9.16
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￥8.59
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￥8.01
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￥7.75
1000+
￥7.64

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13