TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：L9110H(XBLW) 编号：C18723582

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：HX4426-P 编号：C19186058

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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型号：NSG2186 编号：C7421060

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：FP7208CXR-G1 编号：C6847469

封装：SOP-8(EP)

品牌：Advanced Analog Technology(类比)

是用于LED驱动器的升压拓扑开关稳压器。它提供内置栅极驱动引脚，用于驱动外部N-MOSFET。误差放大器的同相输入端连接到0.2V参考电压。它具有通过外部电容设置的可编程软启动时间，以及通过外部电阻设置的过压保护。LED电流可以通过连接到EN引脚的外部信号进行调节。EN引脚可以接受直流电压或PWM信号，PWM信号滤波组件包含在芯片内。

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型号：DGD0211CWT-7 编号：C2983695

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DGD0211C单通道高速/低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0211C的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接。DGD0211C提供同相和反相输入

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型号：COS2184S 编号：C42377824

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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型号：TMI8120 编号：C5259218

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8120器件是一款双H桥电机驱动器，适用于低输入电压系统。两组逻辑输入控制H桥驱动器，可驱动双极步进电机或两台直流电机。TMI8120能够驱动峰值电流高达2A的电机

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型号：ZH639D0NU 编号：C53184465

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Semiment(赛卓)

三相栅极驱动器、100V三相、半桥栅极

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型号：MS2857 编号：C50385419

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2857是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景可替代AM2857。

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型号：MS2849 编号：C50385420

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2849是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景可替代AM2849。

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型号：MS2861 编号：C50385418

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2861是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景可替代AM2861。

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型号：MS2878 编号：C50385421

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2878是一款H桥有刷电机驱动芯片，宽电压供电，6.5V-40V，RDS(ON)电阻为560mΩ，3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力，支持欠压锁定保护，低功耗休眠模式,PWM电流整流,限流,调向等，广泛用于打印机，汽车电子，工业设备，智能家居等可替代AM2878

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型号：IRS2128STRPBF-JSM 编号：C41421793

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

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型号：NSG21271 编号：C41414525

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：MX1603-MS 编号：C22462548

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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型号：SA8337-MS 编号：C22462545

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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型号：LM2105DR 编号：C21316176

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：ZXGD3105N8TC 编号：C177100

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管，以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压，这样一来，一旦发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

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￥3.24 ￥4.05
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￥2.555 ￥3.65
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￥2.282 ￥3.26
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￥2.03 ￥2.9

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥3.6
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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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￥4.55
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￥3.25
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￥2.43

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型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

数据手册

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￥2.74
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￥2.47

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型号：DRV8220DSGR 编号：C3681269

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8220 具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.31
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￥4.06
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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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