TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：GR6208D 编号：C18164463

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片通用版本 GR6208D 是一款的双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止，可用于IR-Cut驱动，用来控制红外线滤光片的切换。GR6208D具有耐压高、待机功耗低的特点，可广泛应用于无线摄像设备和安防监控系统中。

20+
￥0.2204
200+
￥0.1724
600+
￥0.1484
4000+
￥0.1304
8000+
￥0.116
20000+
￥0.1088

有货

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型号：BDR6118 编号：C53055896

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款直流电机控制的驱动芯片，具有宽工作电压范围，2V~7V。应用领域：2-4 节干电池供电电机驱动、单节锂电池供电的电机驱动、遥控玩具飞机尾翼电机驱动、遥控玩具飞机舵机电机驱动领域等。

10+
￥0.2926
100+
￥0.2326
300+
￥0.2026
1000+
￥0.1801

有货

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型号：LKS570 编号：C22447892

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3596 / 个

有货

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型号：LKS520 编号：C2798403

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS520 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +600V 。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

数据手册

单价：
￥0.4253 / 个

有货

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型号：BL8023DCB6TR 编号：C692261

封装：SOT-23-6

品牌：BL(上海贝岭)

BL8023D是一款双向继电器驱动电路，用于控制磁保持继电器，具有大输出能力和超低功耗的特点。它可广泛应用于智能电表及其他脉冲、电平控制应用中。BL8023D可提供300mA的典型驱动电流，该电流会根据继电器线圈电阻的不同而有所变化

数据手册

5+
￥0.6012
50+
￥0.4692
150+
￥0.4032
500+
￥0.3537
3000+
￥0.3141
6000+
￥0.2943

有货

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591

有货

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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：MS3111S 编号：C2839433

封装：SOT-23-6

品牌：杭州瑞盟

单通道低压 DC电机驱动，低成本

数据手册

5+
￥0.8107
50+
￥0.6427
150+
￥0.5587
500+
￥0.4957
3000+
￥0.4453
6000+
￥0.42

有货

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型号：PAM8016AKR 编号：C581340

封装：UFLGA-9

品牌：DIODES(美台)

PAM8016是一款触觉驱动器，具有低延迟、高效率和更强驱动能力的特点，能够驱动线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉元件，这些元件常用于便携式市场的触觉反馈。PAM8016支持差分、单端或PWM输入等灵活输入方式，方便主微控制器驱动触觉元件。PAM8016采用无滤波器架构设计，无需外部输出滤波器，所需外部元件更少，PCB面积更小，系统成本更低，并且简化了应用设计

数据手册

5+
￥0.99331 ￥1.1686
50+
￥0.7719 ￥1.0292
150+
￥0.63011 ￥0.9694
500+
￥0.581685 ￥0.8949
3000+
￥0.560105 ￥0.8617
6000+
￥0.547105 ￥0.8417

有货

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型号：GR2823M 编号：C18164466

封装：SOP-16

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片专用步进电机驱动集成芯片，内置数据转换模块、高耐压大电流驱动模块和输出钳。

5+
￥1.0773
50+
￥0.9408
150+
￥0.8823
500+
￥0.8093
2500+
￥0.7768
5000+
￥0.7573

有货

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型号：HT7K1201 编号：C182041

封装：SOT-23-6

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

直流电机驱动应用简单无外围电路

数据手册

5+
￥1.0784
50+
￥0.8359
150+
￥0.732
500+
￥0.6024

有货

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型号：SS8837T-DF-TP 编号：C5370897

封装：DFN2x2-8L

品牌：LEADPOWER(率能)

SS8837T 为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。此器件能够驱动一个直流电机或诸如螺线管的器件。其导通电阻：高侧 + 低侧 (HS + LS) 260mΩ。

数据手册

5+
￥1.1
50+
￥0.8581
150+
￥0.7544
500+
￥0.625
3000+
￥0.5674

有货

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型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：JSM27511 编号：C19077362

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

5+
￥1.5032
50+
￥1.3037
150+
￥1.2182
500+
￥1.1115
3000+
￥1.0925
6000+
￥1.064

有货

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型号：FM1919 编号：C2837464

封装：ESOP-16

品牌：FM(富满)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到2.1A，最大峰值输出电流达到3.5A。

数据手册

5+
￥1.6778
50+
￥1.3038
150+
￥1.1435
500+
￥0.9435
2500+
￥0.8545

有货

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型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

5+
￥1.6843
50+
￥1.3315
150+
￥1.1803
500+
￥0.9917

有货

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

5+
￥1.687
50+
￥1.309
150+
￥1.147
500+
￥0.9448

有货

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7004
50+
￥1.3375
150+
￥1.182
500+
￥0.9879

有货

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型号：BD61250MUV-E2 编号：C239846

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：ROHM(罗姆)

BD61250MUV是一款预驱动IC，用于驱动由外部MOS FET构成的单相H桥输出。电源输入端子和驱动输出的额定电压为40V，因此无需使用降压电路即可在24V电源中使用。

数据手册

1+
￥1.7696 ￥5.53
10+
￥1.6192 ￥5.06
30+
￥1.5392 ￥4.81
100+
￥1.4464 ￥4.52
500+
￥1.2832 ￥4.01
1000+
￥1.264 ￥3.95

有货

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型号：AT8833CQ 编号：C5120769

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：杭州中科微

AT8833为玩具、打印机和其它电机一体化应用提供一种集成的双通道电机驱动方案。AT8833有两路H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。每一个H桥的功率输出级由N通道功率MOSFET组成，叫作H桥驱动器。

数据手册

5+
￥1.9655
50+
￥1.5321
150+
￥1.3463
500+
￥1.0682
2500+
￥0.965
5000+
￥0.903

有货

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型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2
10+
￥1.77
30+
￥1.67
100+
￥1.55
500+
￥1.49

有货

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型号：IRS4428STRPBF-JSM 编号：C5804612

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.056 ￥2.57
10+
￥2.008 ￥2.51
30+
￥1.976 ￥2.47
100+
￥1.944 ￥2.43

有货

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467
2500+
￥1.1411

有货

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.1698
50+
￥1.6799
150+
￥1.47

有货

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型号：GC8548 编号：C16197215

封装：SSOP-10

品牌：SX(芯麦)

GC8548 是一款双通道 12V 全桥驱动芯片，可驱动两个独立的直流电机，或者一个步进电机。每个通道能提供高达 1.5A 的持续输出电流；可以工作在 3.8~12V 的电源电压，兼容3.3，5V逻辑输入，内置 LDO，不需要逻辑电源，封装采用4.9mmx3.9mm的SSOP10L。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护，欠压保护，短路保护，过流保护等功能。其H桥导通阻抗为350mΩ，拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

1+
￥2.18
10+
￥1.88
30+
￥1.76
100+
￥1.6
500+
￥1.53
1000+
￥1.49

有货

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型号：TPM0596-TS3R 编号：C6807509

封装：TSSOP-16

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是高压、大电流NMOS晶体管阵列，带有移位寄存器接口。该器件由八个通道的低压侧NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于感性负载的续流二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为500 mA。该器件支持1.8 V至5 V的宽I/O电压范围。晶体管可以并联以实现更高的电流能力。可以取代传统的双极达林顿阵列，具有更好的热效率和可靠性，并节省I/O。

5+
￥2.19
50+
￥1.68
150+
￥1.47
500+
￥1.2

有货

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型号：TF2005M-TAH 编号：C2981474

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.46
10+
￥1.95
30+
￥1.74
100+
￥1.47
500+
￥1.35

有货

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型号：TPK21E4US5 编号：C51939654

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是一款紧凑型栅极驱动器，可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件（如 GaN），适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。

1+
￥2.5688 ￥3.38
10+
￥2.0596 ￥2.71
30+
￥1.8012 ￥2.37
100+
￥1.5504 ￥2.04
500+
￥1.3984 ￥1.84
1000+
￥1.3224 ￥1.74

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