TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27424DR 编号：C138519

封装：SOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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1+
￥3.05
10+
￥2.45
30+
￥2.2

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型号：NSG44273 编号：C7421044

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、单输入（IN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥1.2584
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￥0.9975
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￥0.8858
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￥0.7463

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型号：EG2226 编号：C20416242

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2226是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2226高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.6/1.0A，采用SSOP16封装。

5+
￥1.4041
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￥1.2151
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￥1.1341
500+
￥1.033

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型号：IX4426NTR-JSM 编号：C7466362

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

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￥1.414 ￥1.7675
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￥1.13176 ￥1.4147
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￥1.0108 ￥1.2635
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￥0.85992 ￥1.0749
2500+
￥0.79272 ￥0.9909
4000+
￥0.75232 ￥0.9404

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
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￥1.3026
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￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

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型号：FD125CFR-G1 编号：C114336

封装：TS825

品牌：Advanced Analog Technology(类比)

FD125Cf/FD125Mf是一款内置霍尔效应传感器IC的单相全波电机驱动器。它在TS825封装中集成了一个H桥MOS驱动器、一个高灵敏度霍尔效应传感器、一个用于转子锁定的事件定时器、转速计或报警输出逻辑，这使得电机的印刷电路板（PCB）设计变得简单，并尽可能简化小型和微型直流电机或风扇的制造。出于安全考虑，当转子锁定时，锁定关断功能会关闭IC的内部驱动器，避免过热，并且在这些驱动器关断一段时间后，IC会尝试重新启动转子转矩

数据手册

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￥1.6305
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￥1.30221 ￥1.431
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￥1.089855 ￥1.3455
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￥1.003428 ￥1.2388
3500+
￥0.964953 ￥1.1913
7000+
￥0.941868 ￥1.1628

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型号：DRV8833PWPR-HX 编号：C53055901

封装：TSSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

DRV8833PWPR-HX 是双 H 桥电机驱动，可驱动两路直流电机或步进电机，支持 2.7–15V、电流最高 1.2A（并联达 2.4A），具限流、过流、短路、过温保护及低功耗休眠，适用于玩具、打印机与机器人

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￥1.68912 ￥1.8768
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￥1.33533 ￥1.4837
150+
￥1.18368 ￥1.3152
500+
￥0.9945 ￥1.105
2500+
￥0.91026 ￥1.0114
5000+
￥0.85977 ￥0.9553

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型号：DOS2103 编号：C52140043

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
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￥1.02
2500+
￥0.9336

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型号：HP3000-AA000-SP08R 编号：C22394786

封装：SOP-8L

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.7383
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￥1.3855
150+
￥1.2343
500+
￥1.0457
2500+
￥0.9617

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型号：HX8833-S 编号：C49339813

封装：TSSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

适用于玩具、打印机和机电一体化设备。采用H桥配置中的N沟道功率MOSFET为两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或感性负载供电，内置电流调节功能。具备过流、短路和过热保护等安全功能，可通过内部关断和故障输出引脚实现。具有低功耗睡眠模式，可提高能源效率。采用带散热焊盘技术的16引脚TSSOP封装。

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￥1.77579 ￥1.9731
50+
￥1.40382 ￥1.5598
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￥1.24443 ￥1.3827
500+
￥1.04553 ￥1.1617
3000+
￥0.95697 ￥1.0633
6000+
￥0.90378 ￥1.0042

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型号：JSM27511 编号：C19077362

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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￥1.8343 ￥2.158
50+
￥1.42732 ￥1.6792
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￥1.2529 ￥1.474
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￥1.0353 ￥1.218
3000+
￥0.962625 ￥1.1325
6000+
￥0.9044 ￥1.064

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型号：MT7282 编号：C2979288

封装：ESOP-8

品牌：MAXIC(美芯晟)

MT7282是一款2.5V~40V宽输入范围，白光LED恒流驱动芯片，可设置为降压，升压和升降压型拓扑结构。可在AC12V/DC12V的输入电压下达到10W的驱动能力。采用固定工作频率，电流模式来调节LED电流，系统瞬态响应快，环路稳定，设计简单。

数据手册

5+
￥1.8706
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￥1.4875
150+
￥1.3234
500+
￥1.1185
2500+
￥1.0273

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型号：GBI7254NMCR 编号：C6152383

封装：DFN-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器，供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A

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￥1.8807
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￥1.4565
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￥1.2747
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￥1.0478
500+
￥0.9468
1000+
￥0.8861

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型号：APR346K6TR-G1 编号：C2650178

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器，支持连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗，并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压，APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号

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￥2.024 ￥2.3
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￥1.5834 ￥2.03
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￥1.2988 ￥1.91
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￥1.1968 ￥1.76
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￥1.156 ￥1.7
1000+
￥1.1288 ￥1.66

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型号：IR4427STRPBF-HX 编号：C50345553

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4427STRPBF-HX系列为双路低端MOSFET驱动器，效率高、可靠性强，将TTL/CMOS输入转换为接近电源或地的输出电平。提供反相、同相及混合三种配置，适用于驱动功率MOSFET、重载时钟线、同轴电缆及压电换能器等高峰值电流和快速切换场合

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￥2.1175
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￥1.6739
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￥1.4839
500+
￥1.2467

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型号：MIC4428YM-HX 编号：C53284320

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4428YM-HX双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

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￥2.14389 ￥2.3821
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￥1.69488 ￥1.8832
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￥1.50237 ￥1.6693
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￥1.26225 ￥1.4025
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￥1.15533 ￥1.2837
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￥1.09116 ￥1.2124

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型号：MIC4426YM-HX 编号：C53284322

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4426/4427/4428YM-HX系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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￥2.14389 ￥2.3821
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￥1.09116 ￥1.2124

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型号：IRS4427-MNS 编号：C47967299

封装：PDIP-8

品牌：minos(迈诺斯)

双通道2A 超高速功率开关驱动器，工作范围：4.5V~25V最大输入电压可达5V，在1nF 负载时，开关时间< 25ns

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￥2.1656
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￥1.712
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￥1.5176
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￥1.275
2500+
￥1.167
5000+
￥1.1022

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型号：U1001A 编号：C41374694

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U1001A 是一款单通道 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相关的低端参考输出通道。专有高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 MOS 或低功耗肖特基 TTL 输出兼容，低至3.3V

5+
￥2.1925
50+
￥1.7389
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￥1.5445
500+
￥1.302

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型号：TF2113M-TEH 编号：C2683761

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥2.49 ￥3.32
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￥2.19 ￥2.92
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￥2.04 ￥2.72
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￥1.8975 ￥2.53
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￥1.8075 ￥2.41
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￥1.7625 ￥2.35

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型号：NSG2203U 编号：C52975880

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥2.5
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￥1.97
30+
￥1.75
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￥1.47
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￥1.35
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￥1.27

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型号：HX27323-S 编号：C19186064

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX37323-S/HX27323-S是一款电源开关驱动器。它具有匹配的上升和下降时间，用于对电源开关的栅极进行充电和放电。在额定功率和电压范围内的任何条件下，HX37323-S/HX27323-S都具有较高的抗闩锁能力

1+
￥2.538 ￥2.82
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.764 ￥1.96
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.341 ￥1.49
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￥1.26 ￥1.4

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型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥2.56
10+
￥2.27
30+
￥2.12
100+
￥1.98
500+
￥1.89
1000+
￥1.85

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型号：DRV8601DRBR 编号：C75462

封装：VSON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8601 具有 1.8V 逻辑电平和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

1+
￥2.64
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￥2.08
30+
￥1.85
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￥1.55
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

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型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

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型号：IRS44273LTRPBF 编号：C126909

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.18
30+
￥1.91
100+
￥1.57

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型号：COS4424SR 编号：C5307912

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4A，4.5V-25V，双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥3.01
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￥2.32
150+
￥2.03
500+
￥1.66
2500+
￥1.5
4000+
￥1.4

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型号：TMI8261SP-MS 编号：C22462550

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

1+
￥3.021 ￥3.18
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￥2.375 ￥2.5
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￥2.0995 ￥2.21
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￥1.7575 ￥1.85
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.5105 ￥1.59

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型号：DGD2106MS8-13 编号：C2677310

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

1+
￥3.16
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￥2.85
30+
￥2.69
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￥2.4
500+
￥2.31
1000+
￥2.26

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型号：2EDN7524G 编号：C533082

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

1+
￥3.26
10+
￥2.55
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￥2.24
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￥1.86
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￥1.61
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