TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXDD604SIATR 编号：C2676942

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：TF2181M-TAH 编号：C2885961

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：GC6609 编号：C16197208

封装：QFN-28

品牌：SX(芯麦)

GC6609是一款超静音两相步进电机驱动芯片，内置步进驱动模式，采用STEP/DIR接口，最大256微步，超静音，低振动。工作电压在4.7~36V，逻辑电源在3~5.5V，持续输出电流2A，采用QFN28封装。集成自动增益控制回路(AGC)电路，电机转矩随负载或转速变化自动调节和补偿，确保转矩一致,电机保持时开启自动省电功能,并具有过温保护，欠压保护。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：TLE94108ELXUMA1 编号：C2680272

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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型号：SS6951A-ET-TP 编号：C3345073

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ（典型值 HS + LS）。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁(UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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型号：DRV8872DDARQ1 编号：C524788

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV8872-Q1 具有故障报告和电流调节功能的汽车类 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

9A高速MOSFET驱动器

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型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：DRV8834RGER 编号：C400392

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV3201AQPAPRQ1 编号：C22396839

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：TLE9201SGAUMA1 编号：C2653438

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9201SG是一款通用型6A H桥，专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计（但不限于这些应用）。输出可进行脉宽调制，最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量

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型号：VN5770AKPTR-E 编号：C78480

封装：SOIC-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

完整H桥配置的四通道智能功率固态继电器

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型号：MCF8316A1VRGFR 编号：C3681167

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

MCF8316A 40V 最大电压、8A 峰值电流无传感器 FOC 控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：TMC2300-LA-T 编号：C516356

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：TRINAMIC

TMC2300可由单节锂离子电池或两节AA电池供电，非常适合电池供电设备。先进的StealthChop2斩波器可确保步进电机无噪音运行、实现最高效率和最佳扭矩。其快速电流调节功能可实现高动态运动。集成的功率MOSFET和内部电荷泵即使在低电源电压下也能实现同类最佳的RDSon，可处理高达1.2A RMS的电机电流。再加上极小的待机电流，可确保电池续航时间长。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。简单易用的UART接口可进行配置。这款先进的驱动器可确保无噪音且最精确的运行，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：ISL55110IRZ-T 编号：C2680304

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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￥20.83
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型号：DRV8662RGPT 编号：C181554

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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￥25.59
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￥22.02
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￥19.91
250+
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型号：DRV8323RSRGZT 编号：C2653553

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥33.58
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￥28.84
30+
￥25.96
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￥23.53

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型号：DRV8353FSRTAR 编号：C1518717

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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￥35.76
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￥30.4
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￥27.37

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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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