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MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

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型号：MIC4452VM 编号：C637547

封装：SOIC-8

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出，并且能驱动大型MOSFET，同时具备更高的安全工作裕量

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型号：DRV8243HQRXYRQ1 编号：C3040833

封装：VQFN-HR-14(3x4.5)

DRV8243-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、12A H 桥驱动器

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型号：THB6128-TLM-H 编号：C5337018

封装：MFP30KR

品牌：onsemi(安森美)

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型号：TC4424AVOA 编号：C636876

封装：SOIC-8

该产品是双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器系列，是早期TC4423/TC4424/TC4425双输出3A驱动器系列的改进版本。此改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间，且与现有TC4423/TC4424/TC4425系列引脚兼容，新增了8引脚SOIC封装选项，8引脚DFN封装选项则为驱动较重的电容性或电阻性负载提供了更高的功率耗散能力。该MOSFET驱动器能够在20 ns内轻松对1800 pF的栅极电容进行充电和放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使受到大的瞬变影响，MOSFET的预期状态也不会受到影响。其输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动，此外，300 mV的内置迟滞提供了抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动

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型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022

封装：QFN-14(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

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型号：DRV8461DDWR 编号：C5672510

封装：HTSSOP-44

DRV8461 具有智能调优、失速检测和自动扭矩功能的 65V、3A 双路 H 桥步进电机驱动器

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型号：1ED3323MC12NXUMA1 编号：C17695244

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：DRV8899QWRGERQ1 编号：C1513001

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8899-Q1 具有集成式电流检测功能的汽车类 50V、1.0A 双极步进电机驱动器

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型号：MP6535GU-Z 编号：C5362326

封装：DFN-8

品牌：MPS(芯源)

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型号：BTM7740G 编号：C75776

封装：SOIC-28

品牌：Infineon(英飞凌)

BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员，该系列产品在一个封装中集成了三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低导通电阻（RDSON）的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。

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型号：DRV103H/2K5 编号：C544418

封装：SOIC-8-EP

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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型号：IXDN614CI 编号：C1549562

封装：TO-220-5

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：IXDI614CI 编号：C1549553

封装：TO-220-5

适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流，同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器（带使能）、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP（PI）、带外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）、5引脚TO-220（CI）和5引脚TO-263（YI）封装。

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型号：DRV8302DCA 编号：C84672

封装：HTSSOP-56-6mm

DRV8302 具有降压稳压器和电流分流放大器和硬件接口的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：TC4431EOA 编号：C2909520

封装：SOIC-8

TC4431/TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器，适用于高端驱动应用。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。它们能够承受高达300 mA的反向电流（任意极性）强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚均具备高达4 kV的静电放电保护。当输入电源电压降至7V以下时，欠压锁定电路会将输出强制置为“低”状态。若要在较低电压下工作，可将引脚3（LOCK DIS）接地以禁用锁定和启动电路；在其他情况下，引脚3（LOCK DIS）应悬空。在驱动MOSFET时，欠压锁定和启动电路可提供掉电保护。

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型号：DRV8262DDWR 编号：C22427252

封装：HTSSOP-44

一款宽电压、高功率H桥电机驱动器，适用于各种工业应用。该器件集成了两个H桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。在双路H桥模式下支持高达16A的峰值电流，在单路H桥模式下支持高达32A的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路

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型号：IXDD630YI 编号：C1524124

封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：MCZ33810EK 编号：C3192631

封装：SSOP-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款八通道输出驱动IC，适用于汽车发动机控制应用。该IC由四个集成的低端驱动器和四个低端栅极预驱动器组成。低端驱动器适用于驱动喷油器、电磁阀、灯和继电器。四个栅极预驱动器既可以作为点火IGBT栅极预驱动器，也可以作为通用MOSFET栅极预驱动器。该器件采用SMARTMOS技术供电。当配置为点火IGBT栅极预驱动器时，可启用额外功能，如火花持续时间、导通时间和点火线圈电流检测。当配置为通用栅极预驱动器（GPGD）时，提供外部MOSFET短路保护、电感反激保护和诊断功能。该器件采用32引脚（0.65mm间距）外露焊盘SOIC封装。

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型号：IXDD630CI 编号：C1549373

封装：TO-220-5