silan驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT23-5

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

立即购买

型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

立即购买

型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

立即购买

型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

有货

立即购买

型号：NSG3100C 编号：C41414514

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3100C 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N 沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围内，从而提供欠压锁定功能。

5+
￥1.4614
50+
￥1.1484
150+
￥1.0142
500+
￥0.8469

有货

立即购买

型号：NSG44273 编号：C7421044

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、单输入（IN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.5121
50+
￥1.2512
150+
￥1.1395
500+
￥1

有货

立即购买

型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

5+
￥1.6843
50+
￥1.3315
150+
￥1.1803
500+
￥0.9917

有货

立即购买

型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

5+
￥1.687
50+
￥1.309
150+
￥1.147
500+
￥0.9448

有货

立即购买

型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.6962
50+
￥1.3182
150+
￥1.1562
500+
￥0.9541
2500+
￥0.8641
4000+
￥0.81

有货

立即购买

型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7004
50+
￥1.3375
150+
￥1.182
500+
￥0.9879

有货

立即购买

型号：BD61250MUV-E2 编号：C239846

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：ROHM(罗姆)

BD61250MUV是一款预驱动IC，用于驱动由外部MOS FET构成的单相H桥输出。电源输入端子和驱动输出的额定电压为40V，因此无需使用降压电路即可在24V电源中使用。

数据手册

1+
￥1.7696 ￥5.53
10+
￥1.6192 ￥5.06
30+
￥1.5392 ￥4.81
100+
￥1.4464 ￥4.52
500+
￥1.2832 ￥4.01
1000+
￥1.264 ￥3.95

有货

立即购买

型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A

5+
￥1.8135
50+
￥1.4057
150+
￥1.231
500+
￥1.102

有货

立即购买

型号：NSG2065 编号：C41414477

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

1+
￥1.83
10+
￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.38
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

有货

立即购买

型号：AT8833CQ 编号：C5120769

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：杭州中科微

AT8833为玩具、打印机和其它电机一体化应用提供一种集成的双通道电机驱动方案。AT8833有两路H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。每一个H桥的功率输出级由N通道功率MOSFET组成，叫作H桥驱动器。

数据手册

5+
￥1.9655
50+
￥1.5321
150+
￥1.3463
500+
￥1.0682
2500+
￥0.965
5000+
￥0.903

有货

立即购买

型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2
10+
￥1.77
30+
￥1.67
100+
￥1.55
500+
￥1.49

有货

立即购买

型号：IRS4428STRPBF-JSM 编号：C5804612

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.056 ￥2.57
10+
￥2.008 ￥2.51
30+
￥1.976 ￥2.47
100+
￥1.944 ￥2.43

有货

立即购买

型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467
2500+
￥1.1411

有货

立即购买

型号：GC8548 编号：C16197215

封装：SSOP-10

品牌：SX(芯麦)

GC8548 是一款双通道 12V 全桥驱动芯片，可驱动两个独立的直流电机，或者一个步进电机。每个通道能提供高达 1.5A 的持续输出电流；可以工作在 3.8~12V 的电源电压，兼容3.3，5V逻辑输入，内置 LDO，不需要逻辑电源，封装采用4.9mmx3.9mm的SSOP10L。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护，欠压保护，短路保护，过流保护等功能。其H桥导通阻抗为350mΩ，拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

1+
￥2.18
10+
￥1.88
30+
￥1.76
100+
￥1.6
500+
￥1.53
1000+
￥1.49

有货

立即购买

型号：TPM0596-TS3R 编号：C6807509

封装：TSSOP-16

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是高压、大电流NMOS晶体管阵列，带有移位寄存器接口。该器件由八个通道的低压侧NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于感性负载的续流二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为500 mA。该器件支持1.8 V至5 V的宽I/O电压范围。晶体管可以并联以实现更高的电流能力。可以取代传统的双极达林顿阵列，具有更好的热效率和可靠性，并节省I/O。

5+
￥2.19
50+
￥1.68
150+
￥1.47
500+
￥1.2

有货

立即购买

型号：HR8833MTE 编号：C128666

封装：ETSSOP-16

品牌：嘉兴禾润

HR8833为玩具、打印机和其它机电一体化应用提供一种集成的双通道电机驱动方案。HR8833有两路H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。

1+
￥2.41
10+
￥1.87
30+
￥1.64
100+
￥1.35
500+
￥1.22
1000+
￥1.15

有货

立即购买

型号：TF2005M-TAH 编号：C2981474

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.46
10+
￥1.95
30+
￥1.74
100+
￥1.47
500+
￥1.35

有货

立即购买

型号：TPK21E4US5 编号：C51939654

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是一款紧凑型栅极驱动器，可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件（如 GaN），适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。

1+
￥2.5688 ￥3.38
10+
￥2.0596 ￥2.71
30+
￥1.8012 ￥2.37
100+
￥1.5504 ￥2.04
500+
￥1.3984 ￥1.84
1000+
￥1.3224 ￥1.74

有货

立即购买

型号：HX34152-S 编号：C41399167

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥2.65
10+
￥2.35
30+
￥2.2
100+
￥2.05
500+
￥1.96

有货

立即购买

型号：TC4427AVOA713 编号：C5804605

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.7115 ￥3.19
10+
￥2.159 ￥2.54
30+
￥1.887 ￥2.22
100+
￥1.615 ￥1.9
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

立即购买

型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.73
10+
￥2.13
30+
￥1.87
100+
￥1.54

有货

立即购买

型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.73
10+
￥2.13
30+
￥1.87
100+
￥1.54

有货

立即购买

型号：L9110H(XBLW) 编号：C18723582

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

1+
￥2.81
10+
￥2.21
50+
￥1.95
100+
￥1.62
500+
￥1.48
1000+
￥1.39

有货

立即购买

型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.35
30+
￥2.07
100+
￥1.73
500+
￥1.58

有货

立即购买

型号：L293D(MS) 编号：C19632279

封装：DIP-16

品牌：MSKSEMI(美森科)

电机驱动芯片，L293D(MS)，逻辑电源电压最高7V;马达驱动，双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流，应用领域：继电器、直流和步进电机和开关电源等领域

1+
￥3.006 ￥3.34
10+
￥2.421 ￥2.69
25+
￥2.133 ￥2.37
100+
￥1.836 ￥2.04
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.575 ￥1.75

有货

立即购买

型号：HX4426-P 编号：C19186058

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

1+
￥3.1
10+
￥2.44
50+
￥2.15
100+
￥1.8
500+
￥1.64

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示