ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STO36N60M6 编号：C2978937

封装：TOLL

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装

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型号：STM32F103VCT6TR 编号：C2052763

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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型号：SPIRIT1QTR 编号：C2654653

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

低数据率、低功耗Sub 1GHz收发器

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型号：VND5160AJTR-E 编号：C2149769

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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￥19.1807 ￥24.91
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型号：STM32F051K6T6 编号：C88443

封装：QFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

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型号：STW12NK90Z 编号：C262982

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用 SuperMESH™ 功率 MOSFET 技术制造，该技术是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行深度优化而获得的。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最苛刻的应用中具备出色的 dv/dt 能力。

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型号：STM32G431K6T6 编号：C730097

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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型号：STM32F102C8T6 编号：C2969848

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：STP160N75F3 编号：C501026

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 是意法半导体（ST）STripFET™ 工艺的最新改进成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性和低栅极电荷。

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型号：STM32G473VCT6 编号：C730121

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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型号：STM8AF52A8TDY 编号：C1339146

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率：24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期，在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS（行业标准基准测试）。存储器:程序存储器：32至128 Kbyte Flash程序；在55℃下数据保留20年。数据存储器：高达2 Kbyte真数据EEPROM；耐久性300 key/le

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型号：STW9N150 编号：C388524

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道 1500V 8A

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型号：VN5T006ASPTR-E 编号：C2680331

封装：PowerSO-10

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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型号：STM32F205RBT6 编号：C8364

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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￥32.97
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型号：STM32H563RIT6 编号：C20619634

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

1+
￥33.45
10+
￥28.61
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型号：STM32F303VDT6 编号：C1338282

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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￥34.91
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￥30.12
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型号：STM32F303RCT6 编号：C65361

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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￥35.04
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￥30.38
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￥27.61
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型号：STM32H523VET6 编号：C27338462

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Dyrystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，双存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

1+
￥36.67
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￥31.53
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￥28.39
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￥25.77

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型号：STM32F103VDT6 编号：C41527

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥38.02
10+
￥32.81
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￥29.64
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￥26.99

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型号：STM32F412VGT6 编号：C727951

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）。内核：带FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达1 Mbyte的闪存。256 Kbyte的SRAM。灵活的外部静态内存控制器，高达16位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存。双模式Quad-SPI接口。LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理

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1+
￥38.61
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￥33.04
30+
￥29.72
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￥26.38

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型号：STM32L151CCT6 编号：C2149675

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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1+
￥43.7
10+
￥37.81
30+
￥32.68
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￥29.67

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型号：STM32F103RGT6 编号：C8317

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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1+
￥44.99
10+
￥39.25
30+
￥32.73
100+
￥29.8

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型号：L9305EP-TR 编号：C2965253

封装：PowerSSO-36(7.2x4.75)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级4通道气门驱动器

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1+
￥45.65
10+
￥38.95
30+
￥34.86
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￥31.44

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型号：STM32F429ZET6 编号：C84456

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有 FPU 的 ARM 32 位 Cortex M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU 和 DSP 指令。高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的外部内存控制器，具有高达 32 位的数据总线：支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。LCD-TFT 控制器，高达 KGA 分辨率，带有专用的 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。POR、PDR、PVD 和 BOR

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1+
￥50.89
10+
￥44.66
30+
￥41.5
100+
￥38.85

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型号：STM32H757XIH6 编号：C1343741

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核:32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存；频率高达480MHz，有MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）用于内部闪存和外部存储器，频率高达240MHz，有MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器:2MB闪存，支持边读边写。1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达125MHz。CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

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1+
￥60.44
10+
￥51.38
30+
￥45.86
119+
￥41.24

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型号：STM32F469VIT6 编号：C2970187

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，有MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达2 MB闪存，分两个存储体，支持读写同时进行。高达384 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（内核耦合内存）数据RAM。灵活外部内存控制器，高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Flash NOR/NAND内存。双闪存模式Quad-SPI接口。 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）图形硬件加速器，可在最小CPU负载下增强图形用户界面。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。 LCD TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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1+
￥61.04
10+
￥52.03
30+
￥46.54
90+
￥41.94

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型号：STM32F722VCT6 编号：C1337584

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存：8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节的OTP存储器。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM） + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。

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1+
￥62.44
10+
￥59.7
30+
￥58.03
90+
￥56.64

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型号：STM32F429BGT6 编号：C122914

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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