ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TS272ACDT 编号：C283328

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

TS272器件是低成本双运算放大器，设计用于单电源或双电源工作。这些运算放大器采用意法半导体（ST）的硅栅CMOS工艺，具有出色的功耗 - 速度比。该系列非常适合低功耗应用

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型号：KF50BD-TR 编号：C222151

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

该产品为非常低压差稳压器，有SO-8和DPAK封装，输出电压范围广。非常低的压差电压（0.4 V）和极低的静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其是电池供电系统。具备关断逻辑控制功能（5引脚，TTL兼容），这意味着当该器件用作局部稳压器时，可以使部分电路板进入待机状态，降低总功耗。仅需一个2.2 μF的电容来保证稳定性，节省空间和成本。

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型号：TS512AIDT 编号：C2971379

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

TS512x 系列器件是高性能双路运算放大器，芯片内部集成了频率和相位补偿功能。尽管具有高增益带宽积，但内部相位补偿功能仍可确保其在电压跟随器配置中稳定工作。该电路在整个电源电压范围内呈现出非常稳定的电气特性，特别适用于专业和电信应用（如有源滤波）

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型号：ST232BDR 编号：C435945

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

ST232是一款2驱动器，2接收器设备，符合EIA/TIA-232和V.28通信标准。它特别适用于没有±12 V电源的应用。

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型号：STF10NM60N 编号：C10650

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,10A,550mΩ@10V

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型号：STPS1045DEE-TR 编号：C2927582

封装：PowerFLAT(3.3x3.3)

品牌：ST(意法半导体)

45 V、10 A PowerFLAT功率肖特基整流器

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型号：STD25N10F7 编号：C114860

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、25 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

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型号：STTH810FP 编号：C2919726

封装：TO-220FP-AC

品牌：ST(意法半导体)

1000 V，8 A超高速二极管

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型号：STD10NF10T4 编号：C87948

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道100v,MOSFET

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型号：TS862IDT 编号：C283308

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

轨到轨微功耗BiCMOS双路比较器

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型号：LF351DT 编号：C91063

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路是高速JFET输入单运算放大器，集成了良好匹配的高电压JFET和双极型晶体管于单片集成电路中。该器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。

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型号：STD5NM60T4 编号：C500961

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

MDmesh是一种新的革命性功率MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有的条形技术，其整体动态性能明显优于类似的竞争产品。

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型号：SPT01-335DEE 编号：C1975840

封装：QFN-9(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

SPT01-335专为保护24 V接近传感器而设计。它实现了传感器电源的反极性和过压保护，以及电源开关的过压保护。它提供了一种非常紧凑且灵活的解决方案，为PNP或NPN传感器提供两种连接方式。得益于意法半导体（ST）的高性能技术，SPT01-335能为接近传感器提供最高级别的保护，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 60947-5-2 / IEC 61000-4-5标准。

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型号：TS974IPT 编号：C283515

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

TS97x系列运算放大器可在低至±1.35 V的电压下工作，具备轨到轨输出信号摆幅。TS97x器件特别适用于便携式和电池供电设备。极低的噪声和低失真特性使其成为音频前置放大的理想选择

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型号：STM32C011F6U6TR 编号：C5456206

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex®-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40°C至85°C / 105°C / 125°C。存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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型号：L5150BNTR 编号：C125140

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

L5150BN是一款低压差线性5V稳压器，特别适用于汽车应用。在宽温度范围、线路和负载变化的情况下，该稳压器可保持较高的输出电压精度（±2%）。

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型号：STTH12S06FP 编号：C501062

封装：TO-220AC-2

品牌：ST(意法半导体)

600 V、12 A Turbo 2超高速升压二极管

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型号：VIPER06XSTR 编号：C2845040

封装：SSOP-10-150mil

品牌：ST(意法半导体)

VIPerPlus系列：用于直接反馈的节能高压转换器

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型号：STD2NK100Z 编号：C183635

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1000V,1.85A,8.5Ω@10V

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型号：STL2N80K5 编号：C495243

封装：PowerFLAT-8(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道800 V、3.7 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 VHV封装

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型号：LD1086D2M33TR 编号：C262918

封装：D2PAK-A

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降电压调节器，能够提供高达1.5A的输出电流。在最大输出电流下，压降保证最大为1.2V，在较低负载时会降低。与旧的三端可调稳压器引脚兼容，但在压降和输出容差方面性能更好。与PNP稳压器不同，其静态电流流入负载，提高了效率

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型号：STPSC6H065D 编号：C472624

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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型号：STPS30170DJF-TR 编号：C501054

封装：Power-FLAT(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

170 V、30 A PowerFLAT功率肖特基整流器

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型号：STD2805T4 编号：C672201

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用“基极岛”布局，运用 PNP 平面技术制造。由此制成的晶体管具有极高的增益性能，同时饱和电压极低。

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型号：LD39100PU33RY 编号：C155574

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

LD39100可提供最高1 A的电流，输入电压范围为1.5 V至5.5 V，典型压差为200 mV。

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￥4.9

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型号：STPS30120DJF-TR 编号：C501053

封装：Power-FLAT(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

120 V、30 A PowerFLAT功率肖特基整流器

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￥4.84
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型号：1.5KE440CA 编号：C2936095

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：STM32F070F6P6 编号：C86951

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

STM32F070XB/6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32位RISC内核，工作频率为48 MHz，高速嵌入式存储器（最高128 KB闪存和最高16 KB SRAM），以及一系列增强型外设和I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个I2C，最多两个SPI和最多四个USART），一个USB全速设备，一个12位ADC，七个通用16位定时器和一个高级控制PWM定时器。STM32F070XB/6微控制器的工作温度范围为-40至+85℃，供电电压范围为2.4至3.6V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F070XB/6微控制器包括三种不同封装的设备，引脚数从20到64不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得STM32F070XB/6微控制器适用于广泛的应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和HVAC。

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