ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ST890CDR 编号：C135999

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1.2 A电流受限高侧电源开关，支持热关断

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￥7.45
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￥6.12
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型号：LD1085D2T33R 编号：C7913

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

LD1085是一款低压差稳压器，能够提供高达3 A的输出电流。在最大输出电流下，压差保证最大为1.2 V，在较低负载时压差会减小。

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￥7.5
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型号：STB7NK80ZT4 编号：C283493

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

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￥6.13
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￥5.35
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型号：STM8S103K3T6CTR 编号：C1340271

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和三级流水线，扩展指令集。程序存储器：8KB Flash，在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：640 字节真正的数据 EEPROM，耐久性 300k 周期。 RAM：1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC

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￥8.09
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￥6.58
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型号：M24M01-DFDW6TP 编号：C222243

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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￥8.2
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￥6.74
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￥5.04
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型号：TIP142T 编号：C501105

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

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￥8.22
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型号：STPS30H60CG-TR 编号：C2965437

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

60 V、30 A双路高Tj功率肖特基整流器

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￥8.2368 ￥8.58
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型号：STD10NM60N 编号：C42088

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，以实现极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。

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￥8.54
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￥4.82
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型号：TIP147 编号：C84047

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

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型号：STM8S103F3P3TR 编号：C2053135

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和三级流水线，扩展指令集。程序存储器：8KB Flash，在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：640 字节真正的数据 EEPROM，耐久性 300k 周期。 RAM：1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC

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￥8.72
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￥7.48
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型号：STM32L010K4T6 编号：C529416

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.8V至3.6V电源，-40至85℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.29μA停止模式（16个唤醒线）。 0.54μA停止模式 + RTC + 2Kbyte RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz

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￥8.74
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￥7.3
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￥6.51
250+
￥5.62
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￥5.22

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型号：STD5NM50AG 编号：C2970538

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级N沟道500 V、0.7 Ohm典型值、7.5 A MDmesh功率MOSFET，DPAK封装

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￥9.38
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型号：STB18NF30 编号：C2970409

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车级N沟道330 V、160 mOhm典型值、18 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装

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型号：ST25DV16K-IER6T3 编号：C2654877

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16-Kbit动态NFC/RFID标签NFC Forum type V，具有I2C接口、快速传输模式和能量捕获

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型号：L6566BTR 编号：C157453

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6566B是一款极其通用的电流模式初级控制器IC，专为高性能离线反激式转换器而设计。它也适用于需符合EN61000 - 3 - 2或JEITA - MITI法规的单级单开关输入电流整形转换器（单级PFC）

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型号：STP15N80K5 编号：C2688578

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装

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￥10.44
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￥8.22
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型号：VND10N06TR-E 编号：C2149912

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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1+
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30+
￥8.2
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￥5.76

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型号：STH3N150-2 编号：C221471

封装：H2PAK-2

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V

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1+
￥11.2
10+
￥9.34
30+
￥8.31
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型号：STM8AF6223IPCX 编号：C2054348

封装：TSSOP-20(4.4x6.4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：AEC-Q100 qualified。核心：最大fCPU：16 MHz。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8A核心。扩展指令集。存储器：程序存储器：4至8 Kbyte Flash程序；在55℃下经过1 kcycle后数据保留20年。数据存储器：640 byte真数据EEPROM；耐久性300 kcycle

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1+
￥11.46
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30+
￥9.78
100+
￥9.12
500+
￥8.83

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型号：STP16DP05XTTR 编号：C155648

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ST(意法半导体)

具有输出错误检测功能的低压16位恒定电流LED灌驱动器

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1+
￥11.81
10+
￥9.91
30+
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型号：STGF3NC120HD 编号：C10076

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降

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1+
￥11.82
10+
￥9.88
30+
￥8.66
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￥7.41
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型号：STM32F042C6T6 编号：C88447

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

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1+
￥11.93
10+
￥10
30+
￥8.8
250+
￥7.57
500+
￥7.01

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型号：STM8S207CBT6 编号：C8243

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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1+
￥12.01
10+
￥10.22
30+
￥9.24

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型号：TSC2011IDT 编号：C1857476

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压精密双向电流感应放大器

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1+
￥13.91
10+
￥11.7
30+
￥10.31
100+
￥8.9
500+
￥8.26
1000+
￥7.98

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型号：STM32G071KBT6 编号：C529348

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥14.51
10+
￥12.28
30+
￥10.89
200+
￥9.15
400+
￥8.51

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型号：LSM6DSVQTR 编号：C17496470

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥14.7
10+
￥12.39
30+
￥10.95
100+
￥9.46
500+
￥8.79
1000+
￥8.5

有货

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型号：STM8S207C8T6 编号：C11949

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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1+
￥15
10+
￥13.01
30+
￥11.77
250+
￥9.98

有货

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型号：STM32F031C6T6TR 编号：C329281

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

数据手册

1+
￥16.65
10+
￥14.1
30+
￥12.5
100+
￥10.13
500+
￥9.39

有货

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型号：VND5050JTR-E 编号：C194749

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器

数据手册

1+
￥17.49
10+
￥15.12
30+
￥13.65
100+
￥12.13
500+
￥11.45
1000+
￥11.15

有货

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型号：STM32F303CBT6 编号：C108516

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

数据手册

1+
￥18.03
10+
￥15.66
30+
￥14.45
250+
￥12.83
500+
￥12.25
1000+
￥12

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