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首页 > 热门关键词 > ST驱动芯片
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STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列基于高性能的 ARM CorteX-M3 32位RISC内核,工作频率可达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(Flash 存储器最高达1 Mbyte,系统SRAM最高达128 Kbytes),备份SRAM最高达4 Kbytes,以及通过两个APB总线、两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵连接的广泛增强型I/O和外设。这些设备还具有自适应实时内存加速器(ART Accelerator),允许在CPU频率高达120 MHz时从Flash存储器执行程序达到相当于零等待状态的性能。这种性能已经使用CoreMark基准测试进行了验证。所有设备都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、两个通用32位定时器、一个真随机数生成器(RNG)。它们还配备了标准和高级通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强型灵活静态存储控制器(FSMC)接口(适用于引脚数量为100及以上的设备封装)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备也具备标准外设。最多可支持三个I2C、三个SPI、两个I2S、四个USART和两个UART、一个USB OTG全速接口和一个带有高速能力的USB OTG全速接口(带ULPI)、两个CAN、一个SDIO接口、以太网接口以及仅在STM32F207XX设备上可用的摄像头接口。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列的工作温度范围为-40至+105℃,供电电压范围为1.8 V至3.6 V。当设备在降低的温度范围内运行时,供电电压可以降至1.65 V。一套全面的节能模式使得设计低功耗应用成为可能。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列提供了四种封装形式,引脚数量从64到176不等。所包含的外设随所选设备的不同而变化。这些特性使得STM32F205XX 和 STM32F207XX 微控制器系列适用于广泛的应用领域:电机驱动与应用控制、医疗设备、工业应用如PLC、逆变器、断路器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC、家用音频设备。
数据手册
  • 1+

    ¥54.35
  • 10+

    ¥46.63
  • 30+

    ¥41.93
  • 90+

    ¥37.99
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥54.58
    • 10+

      ¥49.51
    • 30+

      ¥48
    • 100+

      ¥46.73
  • 有货
  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口和大量外设
    数据手册
    • 1+

      ¥55.18
    • 10+

      ¥54.31
    • 30+

      ¥52.81
    • 100+

      ¥51.5
  • 有货
  • VN808CM - E和VN808CM - 32 - E是采用意法半导体(STMicroelectronics)VIPower M0 - 3技术设计的单片器件,旨在驱动一侧接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合,可保护器件免受过载影响
    数据手册
    • 1+

      ¥60.93
    • 10+

      ¥51.96
    • 30+

      ¥46.49
    • 100+

      ¥41.9
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥62.06
    • 10+

      ¥55.5
    • 60+

      ¥51.5
    • 120+

      ¥48.15
  • 有货
  • 特性:32位Cortex-M7 CPU,带FPU、自适应实时加速器(ART Accelerator)和L1缓存:8KB数据缓存和8KB指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达512KB的闪存,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))。 528字节的OTP存储器。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM) + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。
    数据手册
    • 1+

      ¥73.27
    • 10+

      ¥62.64
    • 30+

      ¥56.15
    • 100+

      ¥50.72
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥73.69
    • 10+

      ¥62.64
    • 30+

      ¥55.91
    • 100+

      ¥50.27
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.36
    • 10+

      ¥67.06
    • 30+

      ¥60.17
    • 100+

      ¥54.39
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程(OTP)内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口,8080/6800模式
    数据手册
    • 1+

      ¥84.7
    • 10+

      ¥80.81
    • 30+

      ¥74.08
    • 100+

      ¥68.2
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥87.99
    • 10+

      ¥75.67
    • 30+

      ¥68.16
    • 100+

      ¥61.87
  • 有货
  • 3.9V 500mW,即1/2W
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1182
    • 500+

      ¥0.0944
    • 3000+

      ¥0.0771
    • 6000+

      ¥0.0692
  • 有货
  • 3.3V 0.35W
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.099
    • 600+

      ¥0.0834
    • 3000+

      ¥0.074
    • 9000+

      ¥0.0659
    • 21000+

      ¥0.0616
  • 有货
  • 耐压:7.5V 电流:10uA@5V
    • 20+

      ¥0.1641
    • 200+

      ¥0.1251
    • 600+

      ¥0.1034
    • 2500+

      ¥0.094
  • 有货
  • 特性:工作温度范围:-40~+105°C。负荷寿命:1000~2000小时。符合RoHS指令
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1977
    • 200+

      ¥0.1556
    • 1000+

      ¥0.1202
    • 2000+

      ¥0.1062
    • 10000+

      ¥0.094
  • 有货
  • 用于开关和音频放大器应用的PNP硅外延平面晶体管。该晶体管根据其直流电流增益细分为一组。推荐使用NPN晶体管ST 2N2222和ST 2N2222A作为互补类型
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2458
    • 200+

      ¥0.1921
    • 1000+

      ¥0.1898
    • 2000+

      ¥0.172
  • 有货
  • 用于数据保护的TRANSIL阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5714
    • 50+

      ¥0.4418
    • 150+

      ¥0.377
    • 500+

      ¥0.3284
    • 3000+

      ¥0.2895
    • 6000+

      ¥0.27
  • 有货
  • SOD323 中用于 BMS 的汽车单线 4 V TVS
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6466
    • 50+

      ¥0.5172
    • 150+

      ¥0.4525
    • 500+

      ¥0.404
    • 3000+

      ¥0.3651
  • 有货
  • 200 V、3 A高效超高速二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6905
    • 50+

      ¥0.5995
    • 150+

      ¥0.5604
    • 500+

      ¥0.5117
    • 2500+

      ¥0.4901
  • 有货
  • 用于ESD保护的汽车用双线Transil 阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8088
    • 50+

      ¥0.6304
    • 150+

      ¥0.5412
    • 500+

      ¥0.4743
    • 3000+

      ¥0.4208
    • 6000+

      ¥0.394
  • 有货
  • 200 V 1 A超快恢复二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.845
    • 50+

      ¥0.6722
    • 150+

      ¥0.5858
    • 500+

      ¥0.4594
    • 2500+

      ¥0.4076
  • 有货
  • 1200 V,1A超高速二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8952
    • 50+

      ¥0.7268
    • 150+

      ¥0.6427
    • 500+

      ¥0.5795
    • 2500+

      ¥0.529
  • 有货
  • SMAJ瞬态抑制二极管(Transil)系列专为保护敏感设备而设计,可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电,以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W(10/1000 µs)以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源(SMPS),这些应用需要低漏电流和高结温,以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装(SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准)。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9237
    • 50+

      ¥0.7197
    • 150+

      ¥0.6322
    • 500+

      ¥0.5231
    • 2500+

      ¥0.4745
  • 有货
  • 是一款低压降电压调节器,能够提供高达 1 A 的输出电流,也有可调版本 (VREF = 1.25 V)。在固定版本中,提供以下输出电压:1.2 V、1.8 V 和 3.3 V。该器件采用 SOT-223、DPAK 和 TO-220 封装。表面贴装封装优化了热特性,同时具有显著的节省空间优势。NPN 传输晶体管确保了高效率。仅需一个非常常见的 10 μF 最小电容即可实现稳定。芯片微调使调节器能够达到非常严格的输出电压容差,在 25℃ 时为 ±2%。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.989
    • 50+

      ¥0.7705
    • 150+

      ¥0.6769
    • 500+

      ¥0.5601
    • 2500+

      ¥0.5081
    • 5000+

      ¥0.4769
  • 有货
  • TS2431是一款可调并联电压基准源,在 -40°C 至 +105°C 的整个工作温度范围内具有有保证的温度稳定性。通过外部电阻桥,输出电压可设置为 2.5 V 至 24 V 之间的任意值。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9985
    • 50+

      ¥0.8587
    • 150+

      ¥0.7988
    • 500+

      ¥0.7241
    • 3000+

      ¥0.6908
  • 有货
  • ESDA8P80-1U1M是一款单向单线TVS二极管,旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。
    • 5+

      ¥1.014
    • 50+

      ¥0.8039
    • 150+

      ¥0.7138
    • 500+

      ¥0.6014
    • 2500+

      ¥0.5514
    • 5000+

      ¥0.5213
  • 有货
  • 150 V、1 A功率肖特基整流器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0439
    • 50+

      ¥0.8027
    • 150+

      ¥0.6994
    • 500+

      ¥0.5704
    • 2500+

      ¥0.513
  • 有货
  • SMBJ采用SMB封装(SMB封装尺寸符合IPC 7531标准)。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.064
    • 50+

      ¥0.8398
    • 150+

      ¥0.7437
    • 500+

      ¥0.6239
    • 2500+

      ¥0.5705
  • 有货
  • 用于ESD保护的四路Transil 阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥1.118
    • 50+

      ¥0.9134
    • 150+

      ¥0.8257
    • 500+

      ¥0.7163
    • 3000+

      ¥0.5915
  • 有货
  • JFET输入,低输入偏置电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1245
    • 50+

      ¥0.8761
    • 150+

      ¥0.7697
    • 500+

      ¥0.6368
  • 有货
  • 低电容二极管阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥1.135
    • 50+

      ¥0.88
    • 150+

      ¥0.7707
    • 500+

      ¥0.6343
    • 3000+

      ¥0.5728
  • 有货
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