ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：RBO40-40G-TR 编号：C672165

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

电池反向和过压保护电路（RBO）

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型号：L272D013TR 编号：C443843

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L272是一款采用Powerdip、Minidip和SO封装的单片集成电路，可用作功率运算放大器，适用于多种应用场景，包括伺服放大器、电源、光盘、录像机等。无论在何种需要运算放大器/功率提升器组合的场合，其高增益和高输出功率能力都能提供卓越的性能。

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￥8.71
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型号：STM32G071K8U6 编号：C724237

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：VNS3NV04DPTR-E 编号：C146561

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：STM32F031K6U6 编号：C97412

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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型号：T2535-800G-TR 编号：C672312

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

D2PAK封装的25A Snubberless 三端双向可控硅

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型号：STM32F100C8T6BTR 编号：C2970082

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM8L152R8T6 编号：C33100

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗微控制器，高达64KB闪存 + 2KB数据EEPROM，具备RTC、LCD、定时器、USART、I²C、SPI、ADC、DAC、比较器。

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型号：STM32U031C8T6 编号：C23172783

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 64 Kbyte 闪存和 12 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有一个 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和两个 16 位低功耗定时器。还嵌入了多达 21 个电容感应通道。具有标准和高级通信接口，即三个 I2C、两个 SPI、四个 USART 和两个低功耗 UART

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型号：LED2000DR 编号：C222073

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

支持同步整流的3 A单片式降压电流源

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型号：STW20N95K5 编号：C501078

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

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型号：STC3100IQT 编号：C155587

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

具有Coulomb计数器/燃气表的电池监测IC

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型号：STM8L152C8T6 编号：C91684

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗MCU，最高64KB闪存，2KB数据EEPROM，RTC，LCD，定时器，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，比较器。高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8超低功耗设备采用增强型STM8 CPU内核，提供更高的处理能力（在16MHz下高达16 MIPS），同时保持CISC架构的优势，具有改进的代码密度、24位线性寻址空间以及针对低功耗操作优化的架构。该系列包括一个集成调试模块，带有硬件接口（SWiM），允许非侵入式应用程序调试和超快速闪存编程。所有高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8微控制器都具有嵌入式数据EEPROM和低功耗低压单电源程序闪存。这些设备集成了广泛的增强型I/O和外设，包括12位ADC、两个DAC、两个比较器、实时时钟、四个16位定时器、一个8位定时器，以及标准通信接口如两个SPI、一个I2C接口和三个USART。STM8L152x8设备上可使用8x40或4x44段LCD。外设集的模块化设计使得相同的外设可以在不同的ST微控制器家族中找到，包括32位家族。这使得向不同家族的转换变得非常容易，并且通过使用一套通用的开发工具进一步简化了这一过程。

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￥15.93
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￥12.01
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￥10.47
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型号：TSV994IPT 编号：C503311

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

单、双和四运算放大器系列提供低电压运行以及轨到轨输入和输出。这些器件具有出色的速度/功耗比，提供20 MHz增益带宽，在增益大于4（100 pF容性负载）时稳定，而在5 V时最大仅消耗1.1 mA。它们还具有超低输入偏置电流。这些特性使该系列非常适合传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。

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￥16.8
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￥12.49
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型号：STF21N90K5 编号：C3290622

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道900 V、0.25 Ohm典型值、18.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：STM32F071CBT6TR 编号：C2053369

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2

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型号：BTA41-800BRG 编号：C82594

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

40A标准三端双向可控硅

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￥18.96
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￥16.08
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￥11.33

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型号：STM32G491VET6 编号：C3209873

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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￥14.83
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￥13.03
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￥12.23
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￥11.88

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型号：STM32F091VCT6 编号：C329282

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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￥11.47
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￥11.06

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型号：STM32F103RBT6TR 编号：C2970888

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

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￥21.34
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￥19.45

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型号：STM32F100R8T6B 编号：C29928

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 24 MHz，1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16 至 128 Kbytes 的闪存。 4 至 8 Kbytes 的 SRAM。 2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）

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￥22.42
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￥13.4

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型号：STM32L471RET6 编号：C110060

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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￥22.43
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￥19.21
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￥15.99
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￥13.16

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型号：STM32L471RGT6 编号：C124719

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

数据手册

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￥24.41
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￥19.8

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型号：STM32F303VBT6 编号：C1338563

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

数据手册

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型号：STM32L431VCT6 编号：C455384

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

数据手册

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￥25.01
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￥19.13
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￥17.12
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￥16.19

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型号：STM32F302CBT6TR 编号：C2054997

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

数据手册

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￥26.78
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型号：STM32F334K8T6 编号：C106758

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

数据手册

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￥33.34
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￥27.06
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型号：STM32G491RET6 编号：C3231005

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

数据手册

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￥35.3
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型号：STM32G473RET6 编号：C730120

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

数据手册

1+
￥41.56
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￥35.33
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￥31.54
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￥28.35

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型号：STM32F412CEU6 编号：C1337664

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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￥43.42
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￥36.83
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