ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STD11N65M5 编号：C495233

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装

数据手册

1+
￥5.8752 ￥10.88
10+
￥4.0172 ￥9.13
30+
￥2.7302 ￥8.03
100+
￥2.3494 ￥6.91
500+
￥2.176 ￥6.4
1000+
￥2.1012 ￥6.18

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型号：STM8S003K3T6CTR 编号：C92470

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

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1+
￥5.88
10+
￥4.77
30+
￥4.21
100+
￥3.65

有货

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型号：STM32L011E4Y6TR 编号：C2052908

封装：WLCSP-25

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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1+
￥6.0192 ￥13.68
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￥4.4234 ￥13.01
30+
￥3.0264 ￥12.61
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￥2.9304 ￥12.21
500+
￥2.8848 ￥12.02
1000+
￥2.8656 ￥11.94

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型号：STP16CPC26PTR 编号：C2678802

封装：QSOP-24-150mil

品牌：ST(意法半导体)

低压16位恒定电流LED灌驱动器

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1+
￥6.24
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￥4.96
30+
￥4.32
100+
￥3.68
500+
￥3.3
1000+
￥3.1

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型号：LD39200PU33R 编号：C222192

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

提供最大2A电流，输入电压范围为1.25V至6.0V，典型压差为130mV。使用输出端陶瓷电容（10μF）时稳定。典型电源抑制比在1kHz时为70dB，在20kHz时开始下降。使能逻辑控制功能可使器件进入关断模式，将总电流消耗降至10nA（典型值）。专用引脚上有电源良好标志。该器件还具备反向电流保护、短路恒流限制和热保护功能。典型应用于电信基础设施和消费领域。

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1+
￥6.45
10+
￥5.14
30+
￥4.48
100+
￥3.83
500+
￥3.44
1000+
￥3.23

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型号：STM32F042G6U6 编号：C961597

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

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1+
￥6.79
10+
￥5.52
30+
￥4.89
100+
￥4.26
490+
￥3.89

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型号：STTH2003CFP 编号：C2688537

封装：TO-220FP-AB

品牌：ST(意法半导体)

300V，20 A超高速二极管

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1+
￥7.03
10+
￥5.92
50+
￥4.95
100+
￥4.26
500+
￥3.95

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型号：TS881ICT 编号：C88382

封装：SC-70-5

品牌：ST(意法半导体)

轨到轨0.9V纳功率推挽单路比较器

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1+
￥7.1
10+
￥5.53
30+
￥4.75
100+
￥3.97
500+
￥3.51
1000+
￥3.27

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型号：LD29150DT33R 编号：C155674

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

是高电流、高精度、低压差电压调节器系列。这些调节器具有400mV的压差电压和极低的接地电流。专为高电流负载设计，也用于低电流、极低压差关键系统，其微小的压差电压和接地电流值是重要特性。典型应用包括电源开关后调节、显示器串联电源、VCR和电视串联电源、计算机系统和电池供电系统。

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1+
￥7.1
10+
￥5.99
30+
￥5.44
100+
￥4.89
500+
￥4.25
1000+
￥4.08

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型号：L6563HTR 编号：C377957

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压启动过渡模式PFC

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1+
￥7.24
10+
￥6.5
30+
￥6.1
100+
￥5.64
500+
￥5.44
1000+
￥5.35

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型号：STD35P6LLF6 编号：C165929

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

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1+
￥7.62
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￥6.08
30+
￥5.31
100+
￥4.55
500+
￥4.1
1000+
￥3.86

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型号：STM32G030C6T6 编号：C529328

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥7.91
10+
￥6.49
30+
￥5.71
250+
￥4.82
500+
￥4.43
1000+
￥4.26

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型号：LD39150DT33-R 编号：C155559

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

是一款快速超低压降线性稳压器，可在2.5V至6V的输入电源下工作。提供多种输出选项。低压降、低噪声和超低静态电流使其适用于低压微处理器和存储器应用。该器件采用BiCMOS工艺，可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。

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1+
￥8.14
10+
￥6.76
30+
￥6
100+
￥5.14
500+
￥4.76

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型号：STM8L101F3U6TR 编号：C111168

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗微控制器，具有高达8 KB Flash、多功能定时器、比较器、USART、SPI、I2C。STM8L101x1、STM8L101x2和STM8L101x3器件是STM8L低功耗8位系列的成员，被称为低密度器件。它们提供降低的系统成本、高系统集成度（内部时钟振荡器和看门狗）、更小的电池和更便宜的电源、低功耗和高级功能。增强的STM8 CPU内核在16 MHz时提供更高的处理能力（高达16 MIPs），同时保持CISC架构的优势，具有更高的代码密度、24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。该系列包括一个集成的调试模块，具有硬件接口（SWIM），可实现非侵入式应用内调试和超快Flash编程。所有STM8L101xx微控制器均具有低功耗、低电压、单供电Flash存储器。8 KB器件嵌入数据EEPROM。外围设备集的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列中找到相同的外围设备，包括32位系列，从而使任何过渡到不同系列都非常容易。

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1+
￥8.19
10+
￥6.98
30+
￥6.31
100+
￥5.55
500+
￥5.22
1000+
￥5.06

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型号：BTA24-600CWRG 编号：C68497

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

25A Snubberless 三端双向可控硅

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1+
￥8.85
10+
￥7.37
50+
￥6.57
100+
￥5.65
500+
￥5.25
1200+
￥5.06

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型号：STW9NK90Z 编号：C115287

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

SuperMESH™系列是通过对成熟的基于条形结构的PowerMESH™布局进行优化而得。除了显著降低电阻外，它还能为要求最严苛的应用提供出色的dv/dt性能。该系列完善了高压功率MOSFET的全产品线

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1+
￥9.64
10+
￥8.01
30+
￥6.65
90+
￥5.64
510+
￥5.19

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型号：L5970ADTR 编号：C500656

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L5970AD是一款降压型单片式功率开关稳压器，开关电流限制为1.5A，因此根据应用条件，它能够向负载提供超过1A的直流电流。输出电压可在1.235V至35V之间设置。该器件采用内部P沟道D-MOS晶体管（典型导通电阻RDSON为200mΩ）作为开关元件，避免使用自举电容并确保高效率

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1+
￥9.99
10+
￥8.18
30+
￥7.19
100+
￥6.06
500+
￥5.57
1000+
￥5.34

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型号：STM8S105C6T6 编号：C8253

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

数据手册

1+
￥10.51
10+
￥8.75
30+
￥7.78
250+
￥6.1
500+
￥5.62

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型号：STP16CP05MTR 编号：C2826415

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

低压16位恒定电流LED灌驱动器

数据手册

1+
￥10.63
10+
￥8.9
30+
￥7.95
100+
￥6.87
500+
￥6.4

有货

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型号：STSPIN32F0TR 编号：C2651738

封装：VFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器

数据手册

1+
￥10.92
10+
￥9.13
30+
￥8.02
100+
￥6.87
500+
￥6.35
1000+
￥6.13

有货

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型号：STM32G070KBT6 编号：C529339

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥11.35
10+
￥9.33
30+
￥8.22
250+
￥6.96

有货

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型号：L7987TR 编号：C2832776

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：ST(意法半导体)

L7987是一款61V 3A异步降压开关调节器,具有可调输出电压范围（0.8V到VIN）,宽输入电压范围（4.5V到61V）,低静态电流（1mA典型值）,可调开关频率（250kHz到1.5MHz）,以及可调电流限制。该器件适用于工业系统,具有100%占空比能力,可提高轻载效率。

数据手册

1+
￥11.67
10+
￥9.96
30+
￥8.89
100+
￥7.79
500+
￥7.29
1000+
￥7.08

有货

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型号：STM32U073CBT6 编号：C27035627

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

1+
￥12.49
10+
￥11.4
30+
￥10.72
250+
￥10.02
500+
￥9.7

有货

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型号：STM8S105K4U6A 编号：C66572

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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