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首页 > 热门关键词 > ST驱动芯片
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支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
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    ¥23.84
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    ¥20.2
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    ¥18.03
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    ¥14.84
  • 1000+

    ¥14.38
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥26.18
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      ¥22.29
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      ¥19.97
    • 90+

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    • 540+

      ¥16.55
    • 990+

      ¥16.06
  • 有货
  • 特性:动态效率线与批量采集模式(BAM)。 内核:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1MB的闪存;256KB的SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.61
    • 10+

      ¥23.63
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      ¥21.26
    • 100+

      ¥18.87
    • 500+

      ¥17.77
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥28.62
    • 10+

      ¥24.47
    • 30+

      ¥22
    • 100+

      ¥19.5
    • 500+

      ¥18.35
    • 1000+

      ¥17.83
  • 有货
  • 特性:核心:基于ARM 32位Cortex-M3 CPU,带有MPU。 最高频率36 MHz,每兆赫兹1.25 DMIPS(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存(双存储体,具备读写功能)。 80 KB的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选
    数据手册
    • 1+

      ¥28.86
    • 10+

      ¥27.63
    • 30+

      ¥25.5
    • 100+

      ¥23.63
  • 有货
  • MEMS 数字输出运动传感器:适用于汽车应用的高性能 3 轴加速度计
    数据手册
    • 1+

      ¥34.61
    • 10+

      ¥29.61
    • 30+

      ¥25.52
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      ¥22.52
    • 500+

      ¥21.13
    • 1000+

      ¥20.51
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥35.75
    • 10+

      ¥30.64
    • 30+

      ¥27.61
    • 250+

      ¥24.55
    • 500+

      ¥23.13
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator,允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存;512 字节的 OTP 存储器;高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM;支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器;LCD 并行接口,8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理:1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O;POR、PDR、PVD 和 BOR;4 至 26 MHz 晶体振荡器;内部 16 MHz 工厂校准 RC;带校准的 32 kHz RTC 振荡器;带校准的内部 32 kHz RC。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.58
    • 10+

      ¥31.95
    • 30+

      ¥26.13
    • 100+

      ¥23.35
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.82
    • 10+

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      ¥28.23
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      ¥26.83
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥41.78
    • 10+

      ¥36.24
    • 30+

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      ¥29.4
    • 500+

      ¥27.86
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
    数据手册
    • 1+

      ¥42.61
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      ¥34.49
    • 100+

      ¥31.43
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥43.55
    • 10+

      ¥38.89
    • 30+

      ¥36.06
    • 100+

      ¥33.68
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 KB SRAM(CCM SRAM),带硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.74
    • 10+

      ¥35.91
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      ¥31.13
    • 100+

      ¥27.13
  • 有货
  • 特性:32位Arm Cortex-M7内核,带双精度FPU和L1缓存:16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存;频率高达480 MHz,具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM:192 Kbytes TCM RAM(含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序),864 Kbytes用户SRAM,4 Kbytes备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133 MHz。 灵活的外部内存控制器,高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz,SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位,NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。 多达168个I/O端口,具备中断能力
    数据手册
    • 1+

      ¥44.3
    • 10+

      ¥37.91
    • 60+

      ¥34.02
    • 120+

      ¥30.75
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.73
    • 10+

      ¥38.28
    • 30+

      ¥34.35
    • 100+

      ¥31.05
  • 有货
  • 特性:32位Cortex-M7 CPU,带FPU、自适应实时加速器(ART Accelerator)和L1缓存:8KB数据缓存和8KB指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达512KB的闪存,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))。 528字节的OTP存储器。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM) + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。
    数据手册
    • 10+

      ¥58.76
    • 50+

      ¥51.98
    • 100+

      ¥49.72
    • 1000+

      ¥48.364
    特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.36
    • 10+

      ¥67.06
    • 30+

      ¥60.17
    • 100+

      ¥54.39
  • 有货
  • 是用于STM8和STM32微控制器的在线调试器和编程器。单总线接口模块(SWIM)和JTAG/串行线调试(SWD)接口用于与位于应用板上的任何STM8或STM32微控制器进行通信。除了提供与ST-LINK/V2相同的功能外,ST-LINK/V2-ISOL还具有PC和目标应用板之间的数字隔离功能。它还能承受高达1000 Vrms的电压
    数据手册
    • 1+

      ¥189.19
    • 30+

      ¥178.87
  • 有货
  • 适用于开关和放大器应用。建议使用NPN晶体管MMBT8050作为互补类型。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0897
    • 500+

      ¥0.0698
    • 3000+

      ¥0.057
    • 6000+

      ¥0.0504
  • 有货
  • 用于开关和放大器应用。推荐使用PNP晶体管MMBT8550作为互补类型。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0911
    • 500+

      ¥0.0711
    • 3000+

      ¥0.057
    • 6000+

      ¥0.0504
    • 24000+

      ¥0.0446
    • 51000+

      ¥0.0415
  • 有货
  • 3.3V 0.35W
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.099
    • 600+

      ¥0.0834
    • 3000+

      ¥0.074
    • 9000+

      ¥0.0659
    • 21000+

      ¥0.0616
  • 有货
  • 耐压:3.6V 电流:100uA@1V
    • 10+

      ¥0.227
    • 100+

      ¥0.1761
    • 300+

      ¥0.1507
    • 1000+

      ¥0.1316
    • 5000+

      ¥0.1216
    • 10000+

      ¥0.114
  • 有货
  • 用于ESD保护的双路Transil阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5308
    • 50+

      ¥0.4156
    • 150+

      ¥0.358
    • 500+

      ¥0.3148
    • 3000+

      ¥0.2803
    • 6000+

      ¥0.263
  • 有货
  • 是一款低压降电压调节器,能够提供高达800 mA的输出电流,也有可调版本(VREF = 1.25V)。固定版本提供以下输出电压:1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性,还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7226
    • 50+

      ¥0.5654
    • 150+

      ¥0.4868
    • 500+

      ¥0.4278
    • 2500+

      ¥0.3806
    • 5000+

      ¥0.3571
  • 有货
  • 特性:工作温度范围:-40~+105°C。负荷寿命:1000~2000小时。符合RoHS指令
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7686
    • 50+

      ¥0.616
    • 150+

      ¥0.5397
    • 500+

      ¥0.4249
    • 2500+

      ¥0.3791
    • 5000+

      ¥0.3562
  • 有货
  • 该器件由四个独立的精密电压比较器组成,专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计,也可使用双电源供电。 这些比较器还具有一个独特的特性,即即使采用单电源供电,其输入共模电压范围也包含负电源轨。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7988
    • 50+

      ¥0.6303
    • 150+

      ¥0.5461
    • 500+

      ¥0.4829
    • 2500+

      ¥0.4056
  • 有货
  • 特性:高浪涌电流能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8727
    • 50+

      ¥0.7671
    • 150+

      ¥0.7218
    • 500+

      ¥0.5886
    • 2500+

      ¥0.5634
    • 5000+

      ¥0.5483
  • 有货
  • SMAJ瞬态抑制二极管(Transil)系列专为保护敏感设备而设计,可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电,以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W(10/1000 µs)以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源(SMPS),这些应用需要低漏电流和高结温,以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装(SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准)。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9585
    • 50+

      ¥0.7473
    • 150+

      ¥0.6417
    • 500+

      ¥0.5625
    • 2500+

      ¥0.4992
    • 5000+

      ¥0.4675
  • 有货
  • 三端正电压调节器采用内部限流和热关断功能,基本不会损坏。若配备足够的散热器,可提供高达 100 mA 的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器,广泛应用于各种领域,包括本地或板载调节,以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外,它们可与功率传输元件配合使用,制成高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时,能提供改进,同时降低静态电流和噪声。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0921
    • 50+

      ¥0.871
    • 150+

      ¥0.7763
    • 500+

      ¥0.6581
    • 2000+

      ¥0.6054
    • 4000+

      ¥0.5739
  • 有货
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