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封装：DFN-8-EP(4x4)

ST1S10是一款高效同步降压PWM电流模式开关调节器,最大输出电流可达3A。输入电压范围为2.5V至18V,输出电压可调范围为0.8V至0.85 * VIN_Sw。具有同步整流功能,可在900kHz固定频率或外部同步到400kHz至1.2MHz的频率下工作。内置软启动功能,提供动态短路保护和过热保护。

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型号：L5972D013TR 编号：C361019

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

最高1.5 A步降开关稳压器

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型号：STL110N10F7 编号：C672185

封装：PowerFLAT-8(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

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型号：FERD40H100SG-TR 编号：C377964

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

100 V、40 A场效应整流二极管（FERD）

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型号：VND5E160AJTR-E 编号：C2150171

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：STD3NK100Z 编号：C200451

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

SuperMESH™ 系列是通过成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还采取特殊措施确保该系列在要求最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列完善了意法半导体的全系列高压功率 MOSFET 产品

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型号：STM8L151F3U6TR 编号：C91430

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源：1.65至3.6V（无BOR），1.8至3.6V（有BOR）。温度范围：-40至85或125℃。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行、低功耗等待、带RTC的主动暂停、暂停。超低每I/O泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：5μs。哈佛架构和3级流水线

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

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型号：STF33N60M2 编号：C2836687

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：TS952IDT 编号：C179480

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

TS951、TS952和TS954系列器件是轨到轨BiCMOS运算放大器，针对3V和5V工作电压进行了优化并给出了完整的参数规格。TS951器件采用节省空间的5引脚SOT23封装，非常适合电池供电系统。这种微型封装能够安装在紧凑空间内（外部尺寸为2.8mm×2.9mm），从而简化了印刷电路板设计

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型号：STPS20200CG-TR 编号：C222075

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款双中心抽头200 V肖特基整流器，适用于开关模式电源和高频直流-直流转换器。其采用TO 220AB、窄引脚TO 220AB、TO 220FPAB和DFPAK封装，特别适用于开关模式电源的次级整流，也非常适合所有LED照明应用。

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型号：STGD5NB120SZT4 编号：C2971167

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件是采用先进的PowerMESH技术开发的低降压内部钳位IGBT。这一工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

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型号：STM8S105C4T6TR 编号：C66575

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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型号：STM32F042K6T6 编号：C69216

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042X4/X6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，运行频率高达 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的闪存和 6 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART）、一个无晶振 USB 全速设备、一个 CAN、一个 12 位 ADC、四个 16 位定时器、一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F042X4/X6 微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F042X4/X6 微控制器包括七种不同封装形式的产品，从 20 引脚到 48 引脚不等，并可根据要求提供裸片形式。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得 STM32F042X4/X6 微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC 系统。

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型号：STM32G071C8T6 编号：C529341

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32G070CBT6TR 编号：C724073

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STGW39NC60VD 编号：C169774

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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型号：STL15N65M5 编号：C2970161

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.335 Ohm典型值、10 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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型号：STM8S007C8T6 编号：C65701

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时0等待状态。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。在24 MHz时最大20 MIPS。存储器：程序：64 Kbytes Flash，在55℃下100个周期后数据保留20年。数据：128 bytes真数据EEPROM，耐久性100 kcycles

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型号：VNQ500PEPTR-E 编号：C391236

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合，可保护器件免受过载影响。

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型号：STM32L051K6T6 编号：C124724

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：VN750PTTR-E 编号：C2149771

封装：TO-252-5

品牌：ST(意法半导体)

VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：TYN1225RG 编号：C190434

封装：TO-220AB-3

品牌：ST(意法半导体)

25 A 1200 V标准SCR晶闸管，TO-220AB封装

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型号：LIS2MDLTR 编号：C919695

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

磁传感器、数字输出、50高斯磁场动态范围、超低功耗、高性能、3轴磁力计

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型号：STM32H503CBU6 编号：C25503101

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU 配备 FPU，频率高达 250 MHz，具备 MPU、375 DMIPS（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 8 Kbyte 指令缓存，允许从闪存进行零等待状态执行（频率高达 250 MHz）。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark®（4.092 CoreMark®/MHz）。 128 Kbyte 嵌入式闪存，带 ECC，两个可读写存储体。 2 Kbyte OTP（一次性可编程）。 32 Kbyte SRAM，带 ECC

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型号：STM32U073CCU6 编号：C22455185

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

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型号：LIS2DUX12TR 编号：C17548754

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

是一款智能数字 3 轴线性加速度计，其 MEMS 和 ASIC 专门设计用于将尽可能低的电源电流与始终开启的抗混叠滤波、有限状态机 (FSM) 和具有自适应自配置 (ASC) 的机器学习核心 (MLC) 等功能相结合。FSM 和具有 ASC 的 MLC 为其提供了出色的始终开启的边缘处理能力。MIPI I3C 从接口和嵌入式 128 级 FIFO 缓冲区完善了一系列特性，使其在物料清单、处理或功耗方面成为系统集成的参考。具有用户可选的满量程范围 ±2g / ±4g / ±8g / ±16g，能够以 1.6Hz 至 800Hz 的输出数据速率测量加速度

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型号：STM32F411CEU6TR 编号：C2054095

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM）。供电电压范围为1.7V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至85/105/125°C。核心：带有浮点单元（FPU）的32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达512KB的闪存。 128KB的SRAM。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V的应用电源和I/O。具备上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：VNQ5160KTR-E 编号：C2680353

封装：PowerSSO-24

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：STM32G431KBT6 编号：C529357

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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