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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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特性:VDS = 30V。 Qg = 25nC。 RDS(ON) = 7mΩ(VGs = 10V)。 Ip = 50A。 RDS(ON) = 9mΩ(VGs = 4.5V)。 Ip = 40A。应用:OR-ing Server DC/DC
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    ¥0.7442
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    ¥0.5844
  • 150+

    ¥0.5046
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    ¥0.3768
  • 5000+

    ¥0.3528
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术MOSFET,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7487
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      ¥0.5901
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      ¥0.5108
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    • 3000+

      ¥0.3839
    • 6000+

      ¥0.36
  • 有货
  • 极低的导通电阻(RDS(ON))。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化
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      ¥0.5129
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      ¥0.4588
    • 5000+

      ¥0.4318
  • 有货
  • 特性:通过定制引线框架进行了修改,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。 改进后可在应用中使用多个器件,显著减少电路板空间。 该封装设计适用于气相、红外线或波峰焊接技术。 典型 PCB 安装应用中功耗大于 0.8W。 VDS(V) = -20V。 RDS(ON)< 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON)< 60mΩ (VGS = -2.7V)。 第五代技术。 超低导通电阻。 表面贴装。 动态 dv/dt 额定值。 快速开关。 无铅
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      ¥0.8946
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      ¥0.7034
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      ¥0.6078
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      ¥0.5361
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      ¥0.4787
    • 6000+

      ¥0.45
  • 有货
  • N-Channel增强型功率MOSFET采用平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计,可降低导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    • 5+

      ¥0.8961
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      ¥0.7045
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      ¥0.6088
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      ¥0.5369
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      ¥0.4794
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      ¥0.4507
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -40V。 ID = -6.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 41mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 70mΩ (VGS = -4.5V)。 Trench Technology。 Ultra Low On-Resistance。 P-Channel MOSFET。 Lead-Free
    • 5+

      ¥0.9202
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      ¥0.7171
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      ¥0.63
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      ¥0.5214
    • 3000+

      ¥0.4731
    • 6000+

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  • 有货
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      ¥0.5601
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      ¥0.4799
  • 有货
  • 特性:采用先进工艺生产,可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压(VDS):100V。 导通电阻(RDS(ON)):当栅源电压(VGS)为10V时为124mΩ;当栅源电压(VGS)为5V时为175mΩ。 低栅极电荷:典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
    • 5+

      ¥0.9809
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      ¥0.7689
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      ¥0.678
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      ¥0.5646
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      ¥0.5141
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      ¥0.4838
  • 有货
  • XL1509 是一款 150 KHz 固定频率的 PWM 降压型(降压式)DC/DC 转换器,能够以高效率、低纹波以及出色的线性和负载调节能力驱动 2A 负载。该稳压器所需的外部元件数量最少,使用简单,并且内置了内部频率补偿和固定频率振荡器。PWM 控制电路能够将占空比从 0 到 100%进行线性调节
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9962
    • 50+

      ¥0.8733
    • 150+

      ¥0.8206
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      ¥0.7549
    • 2500+

      ¥0.6906
    • 5000+

      ¥0.673
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0062
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      ¥0.7942
    • 150+

      ¥0.7033
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    • 5000+

      ¥0.4839
  • 有货
  • 最新沟槽功率MOSFET技术。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
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      ¥1.0199
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      ¥0.7994
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      ¥0.705
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      ¥0.5346
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      ¥0.5031
  • 有货
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      ¥1.0203
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      ¥0.5066
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。 ID = 4A。 RDS(ON)=2.7Ω(VGS=10V)
    数据手册
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  • 有货
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      ¥0.5531
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -40V。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 29mΩ (VGS = -4.5V)。 封装具有低热阻
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1141
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  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 RDS(ON) < 9.5mΩ(VGS = 10V)。 Qg = 9.6nC。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器
    • 5+

      ¥1.1457 ¥1.206
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      ¥0.57 ¥0.6
  • 有货
  • 低导通电阻,以最小化传导损耗。低电容,以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。CPU 电源传输。DC-DC 转换器。低端开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2053
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      ¥1.0566
    • 150+

      ¥0.9929
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    • 2500+

      ¥0.8355
    • 5000+

      ¥0.8142
  • 有货
  • 特性:使用独特优化的沟槽MOSFET技术,提供高效的高频开关性能。 由于极低的RDS(ON)和Crss组合,功率损耗最小化。 VDS(V) = 30V。 ID = 70A (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3.9mΩ (VGS = 4.5V)
    • 5+

      ¥1.2067
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      ¥0.9475
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      ¥0.6979
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      ¥0.6362
    • 5000+

      ¥0.5991
  • 有货
  • MOS
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      ¥1.2264
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      ¥0.9613
    • 150+

      ¥0.8477
    • 500+

      ¥0.7059
    • 2500+

      ¥0.6428
    • 5000+

      ¥0.6049
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=40V。 RDS(ON)<17mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<21mΩ(VGS=4.5V)。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。 用于计算机处理器电源的高频降压转换器
    • 5+

      ¥1.2408
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      ¥0.9674
    • 150+

      ¥0.8503
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      ¥0.7042
    • 3000+

      ¥0.6391
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      ¥0.6
  • 有货
    • 5+

      ¥1.3071
    • 50+

      ¥1.0354
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      ¥0.9189
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    • 2000+

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  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压(VDS):30V。 漏极电流(ID):85A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 4mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 6mΩ(VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3141
    • 50+

      ¥1.0372
    • 150+

      ¥0.9185
    • 500+

      ¥0.7704
    • 2500+

      ¥0.6715
    • 5000+

      ¥0.632
  • 有货
  • UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件,能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。此外,在其额定功率和电压范围内的所有条件下,它都具有高度的抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.3269
    • 50+

      ¥1.0595
    • 150+

      ¥0.9449
    • 500+

      ¥0.8019
    • 2500+

      ¥0.7383
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 特性:先进的工艺技术。 动态dv/dt额定值。 快速开关。 完全雪崩额定值。 无铅。 VDS(V) = 55V。 ID = 34A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ(VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.327
    • 50+

      ¥1.0401
    • 150+

      ¥0.9172
    • 500+

      ¥0.7638
    • 2500+

      ¥0.6955
    • 5000+

      ¥0.6545
  • 有货
  • MOS管
    • 5+

      ¥1.4194
    • 50+

      ¥1.1126
    • 150+

      ¥0.9811
    • 1000+

      ¥0.817
    • 2000+

      ¥0.744
    • 5000+

      ¥0.7001
  • 有货
  • 特性:NPNPN五层结构的硅双向器件。 具有自主知识产权的单面挖掘技术,表玻璃钝化工艺。 背面多层金属化电极。 高阻断电压和高温稳定性。应用:真空吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器
    • 5+

      ¥1.6841
    • 50+

      ¥1.3204
    • 150+

      ¥1.1645
    • 500+

      ¥0.97
    • 2000+

      ¥0.8834
    • 5000+

      ¥0.8314
  • 有货
  • 特性:采用先进的处理技术,在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(GS) < 22mΩ(VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.7226
    • 50+

      ¥1.3504
    • 150+

      ¥1.1909
    • 800+

      ¥0.9919
    • 2400+

      ¥0.9032
    • 4800+

      ¥0.85
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 坚固耐用的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.7646
    • 50+

      ¥1.3856
    • 150+

      ¥1.2232
    • 500+

      ¥1.0205
    • 2000+

      ¥0.9303
    • 5000+

      ¥0.8761
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=100V。 ID = 97A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<9mΩ(VGS=10V)。应用:不间断电源。 高速功率开关
    • 5+

      ¥1.9369
    • 50+

      ¥1.5182
    • 150+

      ¥1.3388
    • 800+

      ¥1.1149
    • 2400+

      ¥1.0152
    • 4800+

      ¥0.9554
  • 有货
  • UMW 1084是一款正电压输出的低压降三端线性稳压电路,在5A输出电流下压降为1.5V。UMW 1084分为两个版本:固定电压输出版本和可调电压输出版本,固定输出电压为1.5V,1.8V,2.5V,3.3V和5.0V,可调版本的电压精度为1.5%。UMW 1084内部有过热保护和限流电路,适用于各类电子产品。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0237
    • 50+

      ¥1.6082
    • 150+

      ¥1.4301
    • 800+

      ¥1.2079
    • 2400+

      ¥1.1089
    • 4800+

      ¥1.0495
  • 有货
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