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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
  • 20+

    ¥0.2306
  • 200+

    ¥0.1789
  • 600+

    ¥0.1502
  • 3000+

    ¥0.133
  • 9000+

    ¥0.1181
  • 21000+

    ¥0.11
  • 有货
  • 它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它们为电路板级保护提供了理想的特性,包括快速响应时间、低钳位电压和无器件性能下降。这些器件可用于满足 IEC61000-4-2 4 级的抗扰度要求。
    • 20+

      ¥0.2306
    • 200+

      ¥0.179
    • 600+

      ¥0.1503
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 9000+

      ¥0.1182
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 可用于提供高达 ±30 kV(接触放电)的 ESD 保护(根据 IEC61000-4-2),并能承受高达 20 A(8/20 μs)的峰值脉冲电流(根据 IEC61000-4-5)。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2309
    • 200+

      ¥0.18
    • 600+

      ¥0.1518
    • 3000+

      ¥0.1292
    • 9000+

      ¥0.1145
    • 21000+

      ¥0.1065
  • 有货
  • 旨在保护敏感设备免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷电感应浪涌的损坏。
    • 10+

      ¥0.2366
    • 100+

      ¥0.1866
    • 300+

      ¥0.1615
    • 3000+

      ¥0.1427
    • 6000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • ESD静电管
    数据手册
    • 100+

      ¥0.2367
    • 1000+

      ¥0.1842
    • 3000+

      ¥0.1511
    • 9000+

      ¥0.1335
    • 51000+

      ¥0.1184
    • 99000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 超低电容:典型值0.3pF(I/O-IO)。超低泄漏:nA级别。低工作电压:5V。低钳位电压。IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试。空气放电。接触放电:±15kV。IEC 61000-4-5(闪电)5A(8/20μs)
    • 10+

      ¥0.2436
    • 100+

      ¥0.192
    • 300+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1469
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.1237
  • 有货
  • 特性:超低电容:典型值0.35pF(I/O到I/O)。 超低泄漏:nA级别。 最多保护4条数据线和1条电源线。 低钳位电压。 低工作电压:5.5V。应用:USB 2.0和USB 3.0端口。 USB OTG
    • 10+

      ¥0.2436
    • 100+

      ¥0.192
    • 300+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1469
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.1237
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.2453
    • 200+

      ¥0.1916
    • 600+

      ¥0.1618
    • 3000+

      ¥0.1439
    • 9000+

      ¥0.1284
    • 21000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压:-20V。 当栅源电压为 -4.5V,漏极电流为 -4.2A 时,导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V,漏极电流为 -3.4A 时,导通电阻小于 50mΩ
    • 10+

      ¥0.2461
    • 100+

      ¥0.1946
    • 300+

      ¥0.1688
    • 3000+

      ¥0.1494
    • 6000+

      ¥0.134
    • 9000+

      ¥0.1262
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有UL 94V-0可燃性等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接:端子在250℃下可承受10秒
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2474
    • 100+

      ¥0.1953
    • 300+

      ¥0.1693
    • 3000+

      ¥0.1486
    • 6000+

      ¥0.133
    • 9000+

      ¥0.1252
  • 有货
  • TVS/ESD管,VRWM:5.5V,VBR:6V,VC MAX:14V,Ppp:150W
    • 10+

      ¥0.2563
    • 100+

      ¥0.2021
    • 300+

      ¥0.175
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      ¥0.1546
    • 6000+

      ¥0.1384
    • 9000+

      ¥0.1302
  • 有货
  • 是一种可调式三端并联稳压器,在工作温度范围内具有出色的热稳定性。输出电压可通过外部电阻设置在Vref(约2.5V)至36V之间的任何值。它具有非常灵敏的开启特性,这使得它在许多应用中可以替代齐纳二极管。
    • 10+

      ¥0.2809
    • 100+

      ¥0.2214
    • 300+

      ¥0.1917
    • 3000+

      ¥0.1694
    • 6000+

      ¥0.1515
    • 9000+

      ¥0.1426
  • 有货
  • SN74LVC1G17是一款单路同相施密特触发缓冲器,提供三种小尺寸封装。
    • 10+

      ¥0.3126
    • 100+

      ¥0.244
    • 300+

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    • 1000+

      ¥0.1839
    • 5000+

      ¥0.1633
    • 10000+

      ¥0.153
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V至12.0V。具有输出电压精度高、电源电流极低和压降电压极低的特点。
    • 10+

      ¥0.3197
    • 100+

      ¥0.2552
    • 300+

      ¥0.223
    • 3000+

      ¥0.1988
    • 6000+

      ¥0.1794
    • 9000+

      ¥0.1697
  • 有货
  • 是一个采用CMOS技术实现的三端口低压检测器。该系列检测器可以检测2.2V-7V的固定电压。检测器由4部分组成:高精度、低功耗标准电压源、比较器、迟滞电路和输出驱动器。CMOS技术确保了低功耗。虽然该检测器主要设计用于固定电压检测,但也可以通过外围组件检测用户指定的阈值电压(仅适用于NMOS开漏型)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3206
    • 100+

      ¥0.2539
    • 300+

      ¥0.2206
    • 3000+

      ¥0.1956
    • 6000+

      ¥0.1756
    • 9000+

      ¥0.1656
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声、快速响应的低压差线性稳压器。该系列稳压器内置固定参考电压、误差校正电路、限流电路、相位补偿电路和低内阻MOSFET,实现了高纹波抑制、低输出噪声和对低压差的快速响应。
    • 10+

      ¥0.3436
    • 100+

      ¥0.2653
    • 300+

      ¥0.2261
    • 3000+

      ¥0.1893
    • 6000+

      ¥0.1658
    • 9000+

      ¥0.154
  • 有货
  • 是一款低电容 TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受 ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 10+

      ¥0.3514
    • 100+

      ¥0.2751
    • 300+

      ¥0.237
    • 3000+

      ¥0.2083
    • 6000+

      ¥0.1855
    • 9000+

      ¥0.174
  • 有货
  • 最大输入电压:57V;最大输出电流:3A;输出电压(固定):15V;静态电流(最大):10mA;
    • 10+

      ¥0.3543
    • 100+

      ¥0.2794
    • 300+

      ¥0.2419
    • 3000+

      ¥0.2138
    • 6000+

      ¥0.1913
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 10+

      ¥0.3676
    • 100+

      ¥0.2891
    • 300+

      ¥0.2498
    • 3000+

      ¥0.2204
    • 6000+

      ¥0.1968
    • 9000+

      ¥0.185
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.405
    • 100+

      ¥0.3216
    • 300+

      ¥0.2798
    • 850+

      ¥0.2419
    • 5100+

      ¥0.2169
    • 10200+

      ¥0.2044
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4329
    • 100+

      ¥0.3327
    • 300+

      ¥0.2827
    • 850+

      ¥0.2451
    • 5100+

      ¥0.215
    • 10200+

      ¥0.2
  • 有货
  • SOP-8 经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.438
    • 100+

      ¥0.3444
    • 300+

      ¥0.2976
    • 3000+

      ¥0.2625
    • 6000+

      ¥0.2344
    • 9000+

      ¥0.2204
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.4526
    • 50+

      ¥0.3537
    • 150+

      ¥0.3043
    • 500+

      ¥0.2672
    • 3000+

      ¥0.2375
    • 6000+

      ¥0.2227
  • 有货
  • 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。
    • 5+

      ¥0.4981
    • 50+

      ¥0.3938
    • 150+

      ¥0.3416
    • 500+

      ¥0.3025
    • 3000+

      ¥0.2712
    • 6000+

      ¥0.2555
  • 有货
  • 此功率 MOSFET 采用最新的处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。
    • 5+

      ¥0.5518
    • 50+

      ¥0.4349
    • 150+

      ¥0.3765
    • 500+

      ¥0.3327
    • 2500+

      ¥0.2976
    • 5000+

      ¥0.2801
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.5938
    • 50+

      ¥0.468
    • 150+

      ¥0.4052
    • 500+

      ¥0.358
    • 3000+

      ¥0.3203
    • 6000+

      ¥0.3014
  • 有货
  • 特性:低导通电阻 (RDS(ON)),以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。 VDS(V) = 30V。 ID = 88A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 7.4mΩ (VGS = 4.5V)。 CPU 电源传输。 DC-DC 转换器。 低端开关
    • 5+

      ¥0.6897
    • 50+

      ¥0.6015
    • 150+

      ¥0.5637
    • 500+

      ¥0.5165
    • 2500+

      ¥0.4955
    • 5000+

      ¥0.4829
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.6951
    • 50+

      ¥0.5479
    • 150+

      ¥0.4743
    • 500+

      ¥0.4191
    • 3000+

      ¥0.3749
    • 6000+

      ¥0.3528
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6972
    • 50+

      ¥0.5511
    • 150+

      ¥0.4781
    • 500+

      ¥0.4233
    • 3000+

      ¥0.3795
    • 6000+

      ¥0.3576
  • 有货
  • SOP-8通过定制引线框架进行了改进,具有增强的热特性和多芯片能力,使其非常适合各种电源应用。通过这些改进,多个器件可以在应用中使用,大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.73017 ¥0.7686
    • 50+

      ¥0.5795 ¥0.61
    • 150+

      ¥0.504165 ¥0.5307
    • 500+

      ¥0.44764 ¥0.4712
    • 3000+

      ¥0.38361 ¥0.4038
    • 6000+

      ¥0.361 ¥0.38
  • 有货
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