佰鸿光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-070A-500E 编号：C692015

封装：SOIC-8

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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型号：KAQY212STLD 编号：C22379858

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY212系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，采用集成单片芯片作为开关输出

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型号：TDSEMIC-803A 编号：C49270386

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

TDSEMIC-1路继电器模块带光耦隔离支持高低电平触发继电器扩展板 5V

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：HCPL-0531-500E 编号：C21432

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

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型号：SFH6343T 编号：C5224046

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

高速光耦合器由GaAlAs红外发光二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如TTL、CMOS等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准SOIC-8封装，适用于表面贴装。

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型号：CPC1972GSTR 编号：C150430

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

固态继电器，Vp=800V

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型号：TLP590B(C,F) 编号：C6718105

封装：DIP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：HCPL2631 编号：C16384

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。

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型号：HCNW3120-500E 编号：C49269355

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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型号：QCPL-325J-500E 编号：C2837512

封装：SOP-16

品牌：Broadcom(博通)

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型号：HCPL-063A-500E 编号：C188703

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容型,高CMR,10MBd光电耦合器

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型号：LH1546AEFTR 编号：C143707

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

LH1546AEF（4引脚SOP封装）性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1A型），在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓（GaAs）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

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型号：G3VM-62C1 编号：C1558769

封装：DIP-8

品牌：OMRON(欧姆龙)

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型号：ACSL-6210-50RE 编号：C6795963

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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型号：ACPL-P346-500E 编号：C17289594

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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￥21.22
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型号：TLP197G(TP,F) 编号：C5985834

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光继电器TLP197G是一种小型表面贴装光继电器，适用于表面贴装组装。TLP197G由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET在六引脚2.1毫米高度的封装中光学耦合而成，这使其能够应用于卡片调制解调器。它是一个双向开关，可以替代传真机和调制解调器等设备中的机械继电器。 SOP 6引脚(2.54SOP6): 1-形式-A 最大关断状态电压: 350 V (最小) 触发LED电流: 3 mA (最大) 导通状态电流: 120 mA (最大) (A连接) 导通状态电阻: 35 Ω (最大) 绝缘电压: 1500 Vrms (最小) UL认证: UL 1577, 文件号E67349 cUL认证: CSA组件接受服务编号5A, 文件号E67349重量: 0.13g (典型值)

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型号：TLP197A(TP,F) 编号：C5155294

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中，以替代机械继电器。

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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-352J-500E 编号：C17667760

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

5.0A智能栅极驱动光耦合器。高峰值输出电流和宽工作电压范围使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或SiC/GaN MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。它为IGBT/MOSFET提供过流保护和功能安全报告。这款功能齐全且易于实现的栅极驱动光耦合器采用紧凑的表面贴装SO-16封装。它提供经安全法规IEC/EN/DIN、UL和CSA认证的加强绝缘。

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￥31.19
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型号：PC817B-FEL-S 编号：C50229497

封装：SMD-4P

品牌：DDF(鼎德丰)

商品目录:晶体管输出光耦输入类型:DC 输出类型:光电三极管正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 直流反向耐压(Vr):6V 输出通道数 1 集射极饱和电压(VCE(sat)) 200mV@1mA,20mA 上升时间(tr) 4us 下降时间 3us 工作温度 -55℃~+110℃ 电流转换比的等级分类CTR:130-260