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由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：PS2805-1-F3-A 编号：C171801

封装：SOIC-4-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2805-1 和 PS2805-4 是光耦合隔离器，在用于高密度应用的塑料 SSOP 封装中集成了砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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型号：PC923LRNIP0F 编号：C2983162

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。办公自动化设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：AQY280S 编号：C2936853

封装：SOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：低成本类型。高灵敏度，低导通电阻，能以 5mA 输入电流控制最大 0.5A 负载电流，导通电阻低至 2.5Ω。稳定运行，无金属接触部件。多种封装设计（提供 DIP4、SOP4、DIP8、SOP8 封装）。低关态泄漏电流，额定负载电压 350V 时仅 100pA。应用：调制解调器。电话设备

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型号：PS9117A-F3-AX 编号：C133879

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9117A 是一款高速光耦合低电平有效型隔离器，其输入侧采用 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧在同一芯片上集成了光电二极管和信号处理电路。PS9117A 专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用场景。

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型号：TLP2362(TPR,E 编号：C5156050

封装：SOIC-5-4.6mm

由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

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型号：LTV-6341W-TA1 编号：C2944039

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 6341系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光电耦合器的工作参数在 - 40°C至 + 125°C的温度范围内得到保证

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型号：QX214-CuH-S 编号：C22459233

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD4封装光继电器 5000V隔离电压，负载电压400V, 负载电流：0.12A

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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型号：GAQW211G2E 编号：C7435147

封装：DIP-8

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：ACPL-P480-560E 编号：C691961

封装：SO-6-6.8mm

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。通过减少开关死区时间，将器件之间的传播延迟差异降至最低，以最大化逆变器效率。

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型号：ACPL-P314-560E 编号：C691958

封装：SO-6-6.8mm

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：BCW214 编号：C5348924

封装：DIP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：GAQV214EH 编号：C7435167

封装：SMD-6P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：GAQY252G3E 编号：C7435141

封装：DIP-4

光耦继电器触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：KAQV212G 编号：C22379856

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

KAQV212G系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中替代机电继电器。该开关采用GaAlAs LED进行驱动控制，采用集成单芯片裸片作为开关输出

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型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262

封装：SOP-16-4.6mm

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：HCNW4504-500E 编号：C49269559

封装：-

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型号：EL0530 编号：C42371562

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL0530双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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型号：HCPL-314J-500E 编号：C545701

封装：SOP-16-300mil

HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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型号：GAQW212G1S 编号：C19188594

封装：SOP-8

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型号：QXH65LB-CuH-L 编号：C51026135

封装：LSOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

LSOP8封装单通道晶体管光耦，7500V隔离电压，130-260%电流传输比

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型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm