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封装：SOIC-5-175mil

PS9117A 是一款高速光耦合低电平有效型隔离器，其输入侧采用 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧在同一芯片上集成了光电二极管和信号处理电路。PS9117A 专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用场景。

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：TLP2310(TPL,E 编号：C7473281

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内，TLP2310 的电源电流（I₍DDI₎ / I₍DDH₎）最大仅为 0.3 mA，且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。

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型号：LT241 编号：C33962508

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LT241是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制，输出端则采用MOSFET。

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型号：LT243 编号：C2691610

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT243是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：ATAQW216EH 编号：C50199112

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

ATAQW216EH光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感器、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP290-4(TP,E 编号：C5221832

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：APW214E 编号：C42444403

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：6N136-560E 编号：C691905

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：GAQY414EH 编号：C19188666

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：KAQY212A 编号：C194713

封装：SMD-4P

品牌：Cosmo(冠西)

特性：常开，单刀单掷。可控制60V交流或直流电压。可切换400mA负载。 LED控制电流为5mA。低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。隔离测试电压为3750V/ACrms

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型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：GAQV212G1EH 编号：C7435165

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：APW211G2EH 编号：C42444435

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：SL214S 编号：C5155353

封装：SMD-8P

品牌：Slkor(萨科微)

SL214X用于代替继电器许多应用。它使用GaAlAs LED发光来驱动控制和集成单片模具开关输出。用高压制造的模具介电隔离技术由以下部分组成光电二极管阵列、开关控制电路和光MOSFE开关耦合组成。

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型号：HCPL-0452-500E 编号：C692008

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：HCNW137-500E 编号：C188685

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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￥4.57

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型号：APY414S 编号：C42444402

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

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型号：AQY210S 编号：C132163

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号：光电MOS具有极低的闭路失调电压，能够无失真地控制低电平模拟信号。小型SOP4引脚封装：设备采用微型SOP4引脚类型，尺寸为 (W)4.3×(L)4.4×(H)2.1mm (W).169×(L).173×(H).083 英寸。低电平关态泄漏电流最大为 1μA。提供 60V、350V 和 400V 负载电压类型。应用：电信（PC、电子记事本）。测量和测试设备

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￥9
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型号：TLP700F(ABB-TP,F) 编号：C50214854

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥6.51
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型号：BCW211GS 编号：C42434368

封装：SOP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥7.1725 ￥7.55

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型号：LT218D 编号：C2691608

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT218D是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供1500V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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￥10.41
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￥8.98
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￥5.36
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￥5.18

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型号：ISOM8116DFGRQ1 编号：C43317183

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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1+
￥10.57
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型号：ISOM8116DFHRQ1 编号：C43317184

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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