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FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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型号：HCPL-817-56BE 编号：C40666

封装：SMD-4P

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲贴片选项。输入输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr通常为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：6N136S-TA1-L 编号：C336082

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136-L 由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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型号：CNY173SR2M 编号：C258247

封装：SMD-6P

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：TLP350F(UMW) 编号：C53109745

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：MOC3020SR2M 编号：C899781

封装：SMD-6P

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：ICPL-343W-500EAXW 编号：C42432178

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,宽体

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型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072

封装：SOIC-4-175mil

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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型号：GAQY214DS 编号：C50087664

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A

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型号：TLP250HF(UMW) 编号：C53109742

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982

封装：SOP-16-4.6mm

TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP172AM(TPL,E 编号：C2152276

封装：SOP-4-2.54mm

东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通断控制。

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型号：GAQY214KEHX 编号：C53282193

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1A(单刀单掷-常开) 连续负载电流: 0.12A 负载电压: 400V 描述:带限流短路保护

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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：6N137-500E 编号：C691907

封装：SOIC-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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型号：ILD205T 编号：C145456

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是光耦合对，由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：6N137-560E 编号：C691908

封装：SMD-8P

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽保证了在Vcm = 1000V时高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：ACPL-M50L-500E 编号：C54677

封装：SOP-5-175mil

单通道（SO-5封装）、双通道（SO-8封装）、单通道（拉伸SO-6封装）和双通道（拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C，VCM = 1500V时，最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

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型号：APY215G1S 编号：C42444463

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：LTV-244 编号：C125640

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(viso = 3,750Vms)。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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型号：APY252G3HS 编号：C42444481

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来完成其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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￥4.5496 ￥5.17
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￥3.52 ￥4
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￥3.388 ￥3.85

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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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￥6.35
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￥4.59
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￥4.01
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￥3.29
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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm